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EEPW首頁 >> 主題列表 >> elitesic mosfet

使用功率MOSFET封裝技術(shù)解決計(jì)算應(yīng)用的高功耗問題

  • 　　對于主板設(shè)計(jì)師來說，要設(shè)計(jì)處理器電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)來滿足計(jì)算機(jī)處理器永無止境的功率需求實(shí)在是個(gè)大挑戰(zhàn)。Pentium 4處理器要求VRM提供的電流提高了約3倍。英特爾將其VRM指標(biāo)從8.4版本升級到9.0版本，涵蓋了新的功率要求，以繼續(xù)追隨摩爾(Moore)定律。 　　在過去的10年間，VRM電流要求一直在增加，正如英特爾所公布的，IccMAX從VRM9.0中的60A發(fā)展成驅(qū)動高端4核處理器的VRM11.0所要求的150A。與此同時(shí)，電流切換速率要求也有相當(dāng)大的提高；芯片插座處的dI／dT從45
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瑞薩科技發(fā)布RQA0010和RQA0014高頻功率MOSFET器件

  • 　　2008年5月26日,瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，推出和高頻功MOSFET，以實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高功效級別*1 和IEC61000-4-2的4級ESD標(biāo)準(zhǔn)*2 的高可靠性。這些器件適用于手持式無線設(shè)備發(fā)射器的功率放大器。 　　這兩種產(chǎn)品可以放大轉(zhuǎn)換為高頻的音頻信號，以發(fā)射規(guī)定的輸出功率，并將該功率傳送給天線。1 W輸出的RQA0010的將從2008年8月開始在日本提供樣品，0.25 W輸出的RQA0014樣品將于9月開始提供。 　　這兩種產(chǎn)品具有以下特點(diǎn)。
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高效能電源需求催生MOSFET變革創(chuàng)新 英飛凌專家詳解提升能效秘笈

  • 　　環(huán)境污染、溫室效應(yīng)、不可再生能源日趨枯竭……這些日益威脅人類生存的難題已經(jīng)使全球有識之士認(rèn)識到節(jié)能減排提高能效是未來科學(xué)技術(shù)活動一項(xiàng)長期的任務(wù)。正如英飛凌科技奧地利有限公司全球開關(guān)電源高級市場經(jīng)理Thomas Schmidt所言：“能效不僅是個(gè)時(shí)髦詞匯，更是一個(gè)全球挑戰(zhàn)！”如何應(yīng)對這項(xiàng)挑戰(zhàn)？各個(gè)半導(dǎo)體紛紛從半導(dǎo)體器件入手，幫助系統(tǒng)公司提升電源效率，這方面，英飛凌近年來動作頻頻，近日，英飛凌公司高調(diào)發(fā)布其最新的OptiMOS 3系列低壓MOSFET，并
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IR推出全新30V DirectFET MOSFET系列

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) ，推出專為筆記本電腦、服務(wù)器CPU電源、圖形，以及記憶體穩(wěn)壓器應(yīng)用的同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)而優(yōu)化的全新30V DirectFET MOSFET系列。 　　新器件系列結(jié)合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術(shù)與先進(jìn)的DirectFET封裝技術(shù)，比標(biāo)準(zhǔn)SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設(shè)計(jì)。新一代30V器件的導(dǎo)通電阻 (
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Zetex推出新型整流器控制器

  • 　　Zetex?Semiconductors（捷特科）推出一款驅(qū)動MOSFET的專用整流器控制器，從而使?50?至?150W?的同步反激式轉(zhuǎn)換器成為完美的二極管。ZXGD3101?可使設(shè)計(jì)人員以表面貼裝?MOSFET?取代有損耗的肖特基二極管，以實(shí)現(xiàn)更高的效率、更少的發(fā)熱量，縮小電源尺寸和重量，同時(shí)簡化整體電路設(shè)計(jì)。 　　ZXGD3101?有“零點(diǎn)檢測器驅(qū)動器”之稱，能準(zhǔn)確檢測達(dá)到零點(diǎn)
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IR全新30V DirectFET MOSFET系列為同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

  • ??????? 2008年5月27日，國際整流器公司 (International Rectifier) 推出專為筆記本電腦、服務(wù)器CPU電源、圖形，以及記憶體穩(wěn)壓器應(yīng)用的同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)而優(yōu)化的全新30V DirectFET MOSFET系列。 　　新器件系列結(jié)合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術(shù)與先進(jìn)的DirectFET封裝技術(shù)，比標(biāo)準(zhǔn)SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設(shè)計(jì)。新一代30V器
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運(yùn)用MOSFET實(shí)現(xiàn)完美安全系統(tǒng)

  • 　　車上所使用的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到起動馬達(dá)，許多組件的多元應(yīng)用，不僅提供了各式各樣的高負(fù)載性、低成本效益的解決方案，另外也必須兼具注重安全性汽車所要求的通訊及診斷能力。因此，為了增加車上電子系統(tǒng)的可靠性及耐久性，除了降低維修成本之外，設(shè)計(jì)人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路，才能避免組件發(fā)生故障，降低電子系統(tǒng)所造成損害。 　　另外，在一般汽車行駛的情況下，一旦出現(xiàn)了車上的組件出現(xiàn)故障狀況，將導(dǎo)致汽車上的電路系統(tǒng)發(fā)生短路，或電源無法供電。在遠(yuǎn)程傳感器中采用車用金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管（Metal
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MOSFET開關(guān)軌跡線的示波器重現(xiàn)方法

  • MOSFET的開關(guān)軌跡線是判斷MOSFET開關(guān)過程“軟硬”程度的重要評估指標(biāo)，MOSFET的軟硬程度對于開關(guān)電源的性...
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Intersill推出新型大電流MOSFET柵極驅(qū)動器

  • 　　Intersil公司宣布推出高頻 6A 吸入電流同步（sink synchronous） MOSFET 柵極驅(qū)動器 ISL6615 和 ISL6615A 。這些新器件有助于為系統(tǒng)安全提供更高的效率、靈活性和更多的保護(hù)功能。 　　Intersil 公司此次推出的新型驅(qū)動器增加了柵極驅(qū)動電流（ UGATE 的流出和吸入柵極驅(qū)動電流為 4A ，LGATE 的吸入和流出電流則分別為 6A 和 4A ），可以縮短柵極電壓上升、下降時(shí)間。這將最大限度地降低開關(guān)損耗并改善效率，尤其是在每相并聯(lián)功率MOSFET 的
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大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設(shè)計(jì)

  • 　　大功率線性射頻放大器模塊廣泛應(yīng)用于電子對抗、雷達(dá)、探測等重要的通訊系統(tǒng)中，其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術(shù)是無線電子通訊系統(tǒng)中的一項(xiàng)非常關(guān)鍵的技術(shù)。隨著現(xiàn)代無線通訊技術(shù)的發(fā)展，寬頻帶大功率技術(shù)、寬頻帶跳頻、擴(kuò)頻技術(shù)對固態(tài)線性功率放大器設(shè)計(jì)提出了更高的要求，即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設(shè)備模塊化。 　　通常情況下，在HF~VHF頻段設(shè)計(jì)的寬帶射頻功放，采用場效應(yīng)管(FET)設(shè)計(jì)要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計(jì)方便簡單，正是基于場效應(yīng)管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏差，易
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Zetex推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動器系列

  • 　　Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動器系列，用于開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達(dá)9A的電流，柵極電容的充、放電速度比柵極驅(qū)動器IC更快，有助于加快開關(guān)時(shí)間，提高電路效率。 　　該系列包含4款高速非反向柵極驅(qū)動器，電源電壓范圍為12V至40V。其快速開關(guān)射極跟隨器配置，實(shí)現(xiàn)了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時(shí)間，有效改善了對MOSFET開關(guān)性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定，
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讀取隔離端數(shù)字狀態(tài)無需附加電源(06-100)

  • 　　電子系統(tǒng)常常要求其輸入電路或輸出電路必須與主控回路的進(jìn)行隔離,比如在醫(yī)療產(chǎn)品中，基于安全性考慮，連接到病人身上的輸入傳感器或激勵(lì)源必須與后級處理電路隔離,當(dāng)然需要隔離的應(yīng)用場合還很多，如采集爆炸現(xiàn)場參數(shù)的電路同樣需要與后級完全隔離，等等。 　　在這些應(yīng)用中,通常需要采集被隔離電路的數(shù)字線上的一些狀態(tài)參數(shù), 傳統(tǒng)的辦法是采用光耦得以實(shí)現(xiàn).然而采用光耦有許多局限性:首先,它要消耗隔離端電路許多電流,其次轉(zhuǎn)換時(shí)間長(或動態(tài)響應(yīng)慢)，再者,隨著光發(fā)射器老化，其光電轉(zhuǎn)換增益將隨時(shí)間減小。 　　采用圖1所示電
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MOSFET音頻輸出級的自偏壓電路(04-100)

  • 　　AB類輸出級精度不高可能有下列幾個(gè)原因： 　　·柵極閾值電壓變化與VGS溫度系數(shù)變化引起的MOSFET與雙極管間相對溫度系數(shù)的失配。 　　·輸出器件與檢測器件間耦合的延遲與衰減。 　　·驅(qū)動器工作在不同的溫度。 　　·調(diào)整單個(gè)放大器偏壓時(shí)存在誤差。 　　·老化引起的閾值電壓長期漂移。 　　鑒于上述原因，自然想用控制環(huán)來替代VBE放大器，前者基于偏置電流本身的反饋；而后者只是一種誤差反饋。新設(shè)計(jì)由下列三部分構(gòu)成；偏置電流檢
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選擇適用于POL架構(gòu)中功率轉(zhuǎn)換的 MOSFET

  • 　　對于電路需要 3.3V 及更低電壓的應(yīng)用，負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器已發(fā)展成為面向這些應(yīng)用的廣受歡迎的解決方案。對此類電壓水平的需求源自對更低內(nèi)核電壓的要求，這樣即使功率保持相同, 對這些轉(zhuǎn)換器的電流要求將會很明顯地增加。 　　自引入 POL 理念以來已建議并使用了許多不同的配置，當(dāng)前尚沒有將高壓(例如 48V)逐步降低到 0.9V 低壓的確定策略。過去使用傳統(tǒng)分布式功率架構(gòu) (DPAs) 從單個(gè)“前端轉(zhuǎn)換器”(圖1)提供所有所需的電壓水平。在固定電信應(yīng)用中，48V 的輸
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PDP顯示器電源管理架構(gòu)分析

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