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提高電源可靠性的應(yīng)用電路

  •   電源模塊以高集成度、高可靠性、簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)等多重優(yōu)勢(shì),受到許多工程師的青睞,但即便使用相同的模塊,不同的用法也會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)的可靠性大相徑庭。使用不當(dāng),非但不能發(fā)揮模塊的優(yōu)勢(shì),還可能降低系統(tǒng)可靠性。        1.兩級(jí)浪涌防護(hù)電路,使用不當(dāng)適得其反  電源模塊體積小,在EMC要求比較高的場(chǎng)合,需要增加額外的浪涌防護(hù)電路,以提升系統(tǒng)EMC性能。如圖1所示,為提高輸入級(jí)的浪涌防護(hù)能力,在外圍增加了壓敏電阻和TVS管。但圖中的電路(a)、(b)原目的是想實(shí)現(xiàn)兩級(jí)防護(hù),但可能適得其
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出色模擬工程師必備系列(一):電磁干擾(EMI)

  •   以上我們介紹了電磁干擾的一些分類,下面我們介紹如何來(lái)抑制電磁干擾   電磁干擾的定義,是指由外部噪聲和無(wú)用電磁波在接收中所造成的騷擾。一個(gè)系統(tǒng)或系統(tǒng)內(nèi)某一線路受電磁干擾程度可以表示為如下關(guān)系式:   N=G×C/I   G:噪聲源強(qiáng)度;   C:噪聲通過(guò)某種途徑傳到受干擾處的耦合因素;   I:受干擾電路的敏感程度。   G、C、I這三者構(gòu)成電磁干擾三要素。電磁干擾抑制技術(shù)就是圍繞這三要素所采取的各種措施,歸納起來(lái)就是三條:一、抑制電磁干擾源;二、切斷電磁干擾耦合途徑;三、降低
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【E課堂】濾波器選擇需注意的十個(gè)問(wèn)題

  •   近期接觸幾位技術(shù)工程師朋友在選用濾波器,發(fā)現(xiàn)了不少有意思的問(wèn)題,才發(fā)現(xiàn)波平浪靜處水最險(xiǎn)。于是下文就為大家介紹濾波器選擇時(shí)需要注意的問(wèn)題?! ?、如果未經(jīng)過(guò)對(duì)儀器的EMI、EMS指標(biāo)測(cè)試就選定了濾波器,基本上屬于“盲人騎瞎馬、夜半臨深池”的主兒;  2、如果機(jī)器上選擇的是一個(gè)市面上買來(lái)的通用濾波器,這個(gè)濾波器基本上是可以不加的;  3、濾波器8分定制、2分通用才算比較靠譜?! ∠麓私Y(jié)論的原因是因?yàn)樽罱龅降暮脦灼鹗虑椋技恿藶V波器,但傳導(dǎo)就是不過(guò),最后還是根據(jù)測(cè)試結(jié)果給設(shè)計(jì)了個(gè)濾波器樣品,一裝上ok才算
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新手解惑:詳解零歐姆電阻的十二種作用

  •   零歐姆電阻又稱為跨接電阻器,是一種特殊用途的電阻,0歐姆電阻的并非真正的阻值為零(那是超導(dǎo)體干的事情),正因?yàn)橛凶柚?,也就和常?guī)貼片電阻一樣有誤差精度這個(gè)指標(biāo)?! ∫韵驴偨Y(jié)了零歐姆電阻的一系列用法?! ?.在電路中沒(méi)有任何功能,只是在PCB上為了調(diào)試方便或兼容設(shè)計(jì)等原因?! ?.可以做跳線用,如果某段線路不用,直接不貼該電阻即可(不影響外觀)  3.在匹配電路參數(shù)不確定的時(shí)候,以0歐姆代替,實(shí)際調(diào)試的時(shí)候,確定參數(shù),再以具體數(shù)值的元件代替。  4.想測(cè)某部分電路的耗電流的時(shí)候,可以去掉0ohm電阻,接
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厚膜技術(shù)型大功率射頻負(fù)載,散熱強(qiáng)不畏“發(fā)燒”!

  •   EMC-RFLABS是一個(gè)國(guó)際公認(rèn)領(lǐng)先的開(kāi)發(fā)、制造薄和厚膜的射頻微波電阻組件、信號(hào)分布產(chǎn)品、電纜組件的供應(yīng)商。其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在電信、軍事、廣播設(shè)備、空間、航空航天、醫(yī)療設(shè)備和測(cè)試和測(cè)量市 場(chǎng)??梢蕴峁┤盗械拇蠊β噬漕l負(fù)載系列,包括貼片式、引線式、同軸法蘭式、SMA、帶線法蘭式、表貼、金線鍵和式等。這些負(fù)載擁有經(jīng)過(guò)優(yōu)化的極低駐波 比,且可應(yīng)用于寬帶應(yīng)用。部分器件的功率容量能夠達(dá)到1 KW,最大頻率高至26.5 GHz。還可以提供不同的基材,例如鋁,氧化鈹,氧化鋁
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戴爾收購(gòu)EMC背500億美元債務(wù)或出售IT部門(mén)緩壓力

  •   有知情人士爆料,戴爾有可能在近期將IT部門(mén)賣給日本電信公司TNT,價(jià)格在35億美元,但目前戴爾和TNT都沒(méi)有就此事發(fā)表評(píng)論。        據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,有知情人士爆料戴爾有可能在近期將IT部門(mén)賣給日本電信公司TNT,價(jià)格在35億美元,但目前戴爾和TNT都沒(méi)有就此事發(fā)表評(píng)論。知情人士指出,最快可能在近幾日公布交易細(xì)節(jié)。   據(jù)了解,戴爾IT服務(wù)部門(mén)旗下核心企業(yè)為Perot Systems,由前任美國(guó)總統(tǒng)候選人企業(yè)家羅斯·佩羅特(Ross Perot)創(chuàng)辦,該公司的
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EMI濾波器設(shè)計(jì)中干擾特性和阻抗特性

  •   根據(jù)多年的工程經(jīng)驗(yàn),大家普遍認(rèn)為電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)中最重要的也是最難解決的兩個(gè)項(xiàng)目就是傳導(dǎo)發(fā)射和輻射發(fā)射。為了滿足傳導(dǎo)發(fā)射限制的要求,通常使用電磁干擾(EMI)濾波器來(lái)抑制電子產(chǎn)品產(chǎn)生的傳導(dǎo)噪聲。但是怎么選擇一個(gè)現(xiàn)有的濾波器或者設(shè)計(jì)一個(gè)能滿足需要的濾波器?工程師表現(xiàn)得很盲目,只有憑借經(jīng)驗(yàn)作嘗試。首先根據(jù)經(jīng)驗(yàn)使用一個(gè)濾波器,如果不能滿足要求再重新修改設(shè)計(jì)或者換另一個(gè)新的濾波器。因此,要找到一個(gè)合適的EMI濾波器就成為一個(gè)費(fèi)時(shí)且高成本的任務(wù)?! ‰娮酉到y(tǒng)產(chǎn)生的干擾特性  解決問(wèn)題首先要了解電子系統(tǒng)產(chǎn)生的總干擾
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怎樣降低MOSFET損耗并提升EMI性能

  •   一、引言  MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損耗及其他方面的損耗,反而會(huì)引起更嚴(yán)重的EMI問(wèn)題,導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少M(fèi)OSFET的損耗的同時(shí)需要兼顧模塊電源的EMI性能?! 《?、開(kāi)關(guān)管MOSFET的功耗分析        MOSFET的損耗主要有以下部分組成:1.通態(tài)損耗;2.導(dǎo)通損耗;3.關(guān)斷損耗;4.驅(qū)動(dòng)
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尋找EMC對(duì)策,關(guān)鍵在于實(shí)際產(chǎn)品與理論相結(jié)合

  •   現(xiàn)在,受到EMC(電磁兼容性)問(wèn)題困擾的技術(shù)人員越來(lái)越多。這是因?yàn)殡S著產(chǎn)品向多功能化、高功能化和高速化發(fā)展,EMC對(duì)策的難度也與日俱增。車載電子產(chǎn)品稱得上是一個(gè)典型的代表。對(duì)此,日本Qualtec可靠性測(cè)試中心所長(zhǎng)前野剛指出:“只要掌握了訣竅,就能找到EMC解決方法。”圍繞EMC對(duì)策當(dāng)前的課題和對(duì)策的重點(diǎn),前野所長(zhǎng)接受了記者采訪。   ——聽(tīng)說(shuō)以車載電子產(chǎn)品為代表,對(duì)于最近的電子產(chǎn)品,很多電路設(shè)計(jì)人員都在為EMC對(duì)策犯愁。首先請(qǐng)您用外行也能理解的語(yǔ)言,
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Dell舉債并購(gòu)EMC恐生變 截止日期延后

  •   打算以舉債450億美元來(lái)支撐總值670億美元EMC并購(gòu)案的Dell,最近1批價(jià)值100億美元的發(fā)債計(jì)劃卻無(wú)法如期完成,截止日期將延后10天,為并購(gòu)案平添變數(shù)。   這項(xiàng)由JP Morgan領(lǐng)軍的發(fā)債計(jì)劃原本應(yīng)在10日完成,卻臨時(shí)宣布期限順延10天。美國(guó)媒體各自引述不同消息來(lái)源推測(cè)可能原因,從農(nóng)歷新年導(dǎo)致在臺(tái)灣與中國(guó)的參 貸銀行來(lái)不及準(zhǔn)備相關(guān)文件、美金大漲提高了海外參貸銀行的成本,到近來(lái)美國(guó)科技股大跌以及日益緊縮的企業(yè)融資市場(chǎng),都被認(rèn)為是導(dǎo)致發(fā)債進(jìn)度落后的原因。        此外
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注意 SEPIC 耦合電感回路電流 —— 第 1 部分

  •   在不要求主級(jí)電路和次級(jí)電路之間電氣隔離且輸入電壓高于或者低于輸出電壓時(shí),SEPIC 是一種非常有用的拓?fù)?。在要求短路電路保護(hù)時(shí),我們可以使用它來(lái)代替升壓轉(zhuǎn)換器。SEPIC 轉(zhuǎn)換器的特點(diǎn)是單開(kāi)關(guān)工作和連續(xù)輸入電流,從而帶來(lái)較低的電磁干擾 (EMI)。這種拓?fù)?如圖 1 所示)可使用兩個(gè)單獨(dú)的電感(或者由于電感的電壓波形類似),因此還可以使用一個(gè)耦合電感,如圖所示。因其體積和成本均小于兩個(gè)單獨(dú)的電感,耦合電感頗具吸引力。其存在的缺點(diǎn)是標(biāo)準(zhǔn)電感并非總是針對(duì)全部可能的應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化。     
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EMC理論基礎(chǔ)知識(shí)——接地設(shè)計(jì)

  •   接地是抑制電磁干擾、提高電子設(shè)備電磁兼容性的重要手段之一。正確的接地既能抑制干擾的影響,又能抑制設(shè)備向外輻射干擾;反之錯(cuò)誤的接地反而會(huì)引入嚴(yán)重的干擾,甚至使電子設(shè)備無(wú)法正常工作。  1、接地的概念  電子設(shè)備中的“地”通常有兩種含義:一種是“大地”,另一種是“系統(tǒng)基準(zhǔn)地”。接地就是指在系統(tǒng)的某個(gè)選定點(diǎn)與某個(gè)電位基準(zhǔn)間建立低阻的導(dǎo)電通路?!敖哟蟮亍本褪且缘厍虻碾娢蛔鳛榛鶞?zhǔn),并以大地作為零電位,把電子設(shè)備的金屬外殼、線路選定點(diǎn)等通過(guò)接地線、接地極等組成的接地裝置與大地相連接?!跋到y(tǒng)基準(zhǔn)地”是指信號(hào)回路的基
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新手必知!EMC理論基礎(chǔ)知識(shí):電磁屏蔽理論

  •   本文主要介紹EMC理論基礎(chǔ)知識(shí)中電磁屏蔽理論,感興趣的朋友可以看看。   1、 屏蔽效能的感念屏蔽是利用屏蔽體來(lái)阻擋或減小電磁能傳輸?shù)囊环N技術(shù),是抑制電磁干擾的重要手段之一。屏蔽有兩個(gè)目的,一是限值內(nèi)部輻射的電磁能量泄漏出該內(nèi)部區(qū)域,二是防止外來(lái)的輻射干擾進(jìn)入某一區(qū)域。   電磁場(chǎng)通過(guò)金屬材料隔離時(shí),電磁場(chǎng)的強(qiáng)度將明顯降低,這種現(xiàn)象就是金屬材料的屏蔽作用。我們可以用同一位置無(wú)屏蔽體時(shí)電磁場(chǎng)的強(qiáng)度與加屏蔽體之后電磁場(chǎng)的強(qiáng)度之比來(lái)表征金屬材料的屏蔽作用,定義屏蔽效能(ShieldingEffectiv
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電源的溫度降額選型注意事項(xiàng)

  •   摘要:選擇一款電源可以有很多的參數(shù)依據(jù),如電壓范圍、輸出電壓、功率、隔離電壓、效率等,稍深入些還有精度、紋波、隔離電壓、EMC、待機(jī)功耗等,比較少會(huì)關(guān)注電源的工作溫度參數(shù),可能會(huì)由這個(gè)細(xì)節(jié)的疏忽導(dǎo)致因小失大?! ?nbsp;     一、電源的工作溫度范圍和成本、可靠性問(wèn)題  一般廠家的模塊電源都有幾個(gè)溫度范圍的產(chǎn)品可供選用:商品級(jí)、工業(yè)級(jí)、軍用級(jí)等,在選擇模塊電源時(shí),一定要考慮實(shí)際需要的工作溫度范圍,因?yàn)闇囟鹊燃?jí)不同,材料和制造的工藝不同,價(jià)格就相差很大。同時(shí),選擇的溫度范圍不
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模擬電路設(shè)計(jì)中的這些問(wèn)題你遇到了嗎?

  •   模擬電路的設(shè)計(jì)是工程師們最頭疼、但也是最致命的設(shè)計(jì)部分,盡管目前數(shù)字電路、大規(guī)模集 成電路的發(fā)展非常迅猛,但是模擬電路的設(shè)計(jì)仍是不可避免的,有時(shí)也是數(shù)字電路無(wú)法取代的,例如 RF 射頻電路的設(shè)計(jì)!這里將模擬電路設(shè)計(jì)中應(yīng)該注意的問(wèn)題總結(jié)如下,有些純屬經(jīng)驗(yàn)之談,還望大家多多補(bǔ)充、多多批評(píng)指正!  (1)為了獲得具有良好穩(wěn)定性的反饋電路,通常要求在反饋環(huán)外面使用一個(gè)小電阻或扼流圈給容性負(fù)載提供一個(gè)緩沖?! ?2)積分反饋電路通常需要一個(gè)小電阻(約 560 歐)與每個(gè)大于 10pF 的積分電容串聯(lián)?! ?3)
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