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基于SOI和體硅的FinFET對比研究

隨著半導體產(chǎn)業(yè)向22納米技術節(jié)點外觀的發(fā)展，一些制造商正在考慮從平面CMOS晶體管向三維（3D）FinFET器件結(jié)構的過渡。相對于平面晶體管，F(xiàn)inFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效應。當平面晶體管的柵極在溝道之上，F(xiàn)inFET的柵極環(huán)繞溝道，從雙向提供靜電控制。
關鍵字： SOI 體硅 FinFET

英特爾Finfet晶體管架構未到瓜熟蒂落時

　　自從Intel正式對外公布22nm制程節(jié)點將啟用Finfet垂直型晶體管結(jié)構，吸引了眾人的注意之后，臺積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場在未來一段時間內(nèi)(至少到下一個節(jié)點制程時)仍將采用傳統(tǒng)基于平面型晶體管結(jié)構的技術。他們給出的理由是，Intel手上只有少數(shù)幾套芯片產(chǎn)品，因此Intel方面要實現(xiàn)到Finfet的晶體管架構升遷時，在芯片設計與制造方面需要作出的改動相對較小，而芯片代工商則情況完全不同。
關鍵字：臺積電 Finfet

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finfet 介紹

FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管，閘長已可小于25奈米，未來預期可以進一步縮小至9奈米，約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于此一半導體技術上的突破，未來芯片設計人員可望能夠?qū)⒊売嬎銠C設計成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標準的晶體管—場效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細 ]

finfet 專欄文章

行業(yè)首創(chuàng)！恩智浦攜手臺積電，推出汽車級16納米FinFET嵌入式MRAM

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