首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁 >> 主題列表 >> finfet

基于SOI和體硅的FinFET對(duì)比研究

  • 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向22納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)外觀的發(fā)展，一些制造商正在考慮從平面CMOS晶體管向三維（3D）FinFET器件結(jié)構(gòu)的過渡。相對(duì)于平面晶體管，F(xiàn)inFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效應(yīng)。當(dāng)平面晶體管的柵極在溝道之上，F(xiàn)inFET的柵極環(huán)繞溝道，從雙向提供靜電控制。
  • 關(guān)鍵字： SOI  體硅  FinFET  

英特爾Finfet晶體管架構(gòu)未到瓜熟蒂落時(shí)

  • 　　自從Intel正式對(duì)外公布22nm制程節(jié)點(diǎn)將啟用Finfet垂直型晶體管結(jié)構(gòu)，吸引了眾人的注意之后，臺(tái)積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場(chǎng)在未來一段時(shí)間內(nèi)(至少到下一個(gè)節(jié)點(diǎn)制程時(shí))仍將采用傳統(tǒng)基于平面型晶體管結(jié)構(gòu)的技術(shù)。他們給出的理由是，Intel手上只有少數(shù)幾套芯片產(chǎn)品，因此Intel方面要實(shí)現(xiàn)到Finfet的晶體管架構(gòu)升遷時(shí)，在芯片設(shè)計(jì)與制造方面需要作出的改動(dòng)相對(duì)較小，而芯片代工商則情況 完全不同。
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  Finfet  
共137條 10/10 |‹ « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

finfet 介紹

FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管，閘長(zhǎng)已可小于25奈米，未來預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9奈米，約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于此一半導(dǎo)體技術(shù)上的突破，未來芯片設(shè)計(jì)人員可望能夠?qū)⒊?jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管—場(chǎng)效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細(xì) ]

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473