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胡正明：技術創(chuàng)新可能讓半導體晶體管密度再增加1000倍

  • 　　“半導體市場正在經(jīng)歷由技術推動到需求推動的轉變。而半導體技術上的創(chuàng)新，可能讓半導體晶體管密度再增加1000倍，仍有巨大空間?！苯?，美國加州大學伯克利分校教授、國際微電子學家胡正明在接受集微網(wǎng)采訪時表示?！　∽?965年摩爾定律提出以來，歷經(jīng)半個多世紀的發(fā)展，如今越來越遭遇挑戰(zhàn)，特別是新世紀以來，每隔十年，摩爾定律以及半導體的微型化似乎便會遭遇到可能終止的危機?！　『靼l(fā)明了鰭型晶體管(FinFET)以及「全耗盡型絕緣層上硅晶體管」(FD-SOI)，兩大革命性創(chuàng)新為半導體帶來新契機。 2011年5月
  • 關鍵字： FinFET  7納米  

7nm或將引爆2018年手機市場，國產(chǎn)手機岌岌可危

  • 在2018年，如果蘋果新一代產(chǎn)品應用7nm制程工藝的消息被確認，那么對于其競爭對手，或將成為一場腥風血雨;而對于整個產(chǎn)業(yè)來說，或將成為轉折點;對于我們消費者來說，當然是件好事情。
  • 關鍵字： 7nm  FinFET  

格芯技術大會攜最新技術突出中國市場重要地位

  • 近日，格芯2017技術大會（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海舉行，格芯盛邀數(shù)百位半導體行業(yè)領導者、客戶、研究專家與核心媒體齊聚一堂，并精心為與會者準備了公司的核心業(yè)務、市場推進方向與創(chuàng)新成果，以及包括制程工藝、設計實現(xiàn)、IP、射頻以及生態(tài)圈的發(fā)展等方面的最新進展，共同聚焦格芯面向5G互聯(lián)時代的技術解決方案。作為格芯的年度技術盛會，本次大會格芯分享的技術主題十分廣泛，包括FDX?設計和生態(tài)系統(tǒng)、IoT，5G/網(wǎng)絡和汽車解決方案智能應用，F(xiàn)DX?、Fi
  • 關鍵字： GTC  FDSOI  FINFET  制程  

詳解先進的半導體工藝之FinFET

  • 詳解先進的半導體工藝之FinFET-FinFET稱為鰭式場效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補式金氧半導體（CMOS）晶體管。
  • 關鍵字： FinFET  半導體工藝  

三星推11納米FinFET，宣布7nm將全面導入EUV

  • 　　隨著臺積電宣布全世界第一個 3 奈米制程的建廠計劃落腳臺灣南科之后，10 奈米以下個位數(shù)制程技術的競爭就正式進入白熱化的階段。 臺積電的對手三星 29 日也宣布，將開始導入 11 奈米的 FinFET，預計在 2018 年正式投產(chǎn)之外，也宣布將在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 極紫外線光刻設備。 　　根據(jù)三星表示，11 奈米 FinFET 制程技術「11LPP (Low Power Plus)」是現(xiàn)今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，
  • 關鍵字： 三星  FinFET  

FD SOI生態(tài)持續(xù)完善，與FinFET分庭抗禮局勢形成

  • 　　FD SOI技術在物聯(lián)網(wǎng)蓬勃發(fā)展的大環(huán)境下，以其低功耗、集成射頻和存儲、高性能等優(yōu)勢獲得業(yè)界各方重視;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等為代表的企業(yè)的推動下，該產(chǎn)業(yè)鏈正逐步得到完善。此外，在中國大力發(fā)展集成電路的當口，F(xiàn)D-SOI技術還給中國企業(yè)帶去更多的發(fā)展空間和機遇，如何充分利用FD-SOI技術優(yōu)勢，實現(xiàn)差異化創(chuàng)新成了眾IC設計企業(yè)的探討重點。此外，5G網(wǎng)絡與物聯(lián)網(wǎng)的不斷進化，對RF技術革新的強烈需求，對RF SOI技術帶來更廣大的市場前景。 　　FD SOI生態(tài)系統(tǒng)逐步完
  • 關鍵字： FinFET  物聯(lián)網(wǎng)  

格芯發(fā)布為IBM系統(tǒng)定制的14納米FinFET技術

  • 　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務器系統(tǒng)處理器定制的量產(chǎn)14納米高性能(HP)技術。這項雙方共同開發(fā)的工藝專為IBM提供所需的超高性能和數(shù)據(jù)處理能力，從而在大數(shù)據(jù)和認知計算的時代為IBM的云、商業(yè)和企業(yè)解決方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z產(chǎn)品?！　?4HP是業(yè)內唯一將三維FinFET晶體管架構結合在SOI襯底上的技術。該技術采用了17層金屬層結構，每個芯片上有80多億個晶體管，通過嵌入式動態(tài)隨機存儲器(DRAM)以及其它創(chuàng)新功能，達到比前代
  • 關鍵字： 格芯  FinFET  

格芯為高性能應用推出全新12納米 FinFET技術

  • 　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計劃推出全新12納米領先性能(12LP)的FinFET半導體制造工藝。該技術預計將提高當前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能，同時滿足從人工智能、虛擬現(xiàn)實到高端智能手機、網(wǎng)絡基礎設施等最具計算密集型處理需求的應用?！　∵@項全新的12LP技術與當前市場上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高了15%，性能提升超過10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠的12納米 FinFET產(chǎn)品競爭。這項技術
  • 關鍵字： 格芯  FinFET  

MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)

  • 隨著集成電路工藝制程技術的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。
  • 關鍵字： MOS  FinFET  

模擬技術的困境

  • 　　在這樣一個對數(shù)字電路處理有利的世界中，模擬技術更多地用來處理對它們不利的過程。但這個現(xiàn)象可能正在改變?！　∥覀兩钤谝粋€模擬世界中，但數(shù)字技術已經(jīng)成為主流技術?；旌闲盘柦鉀Q方案過去包含大量模擬數(shù)據(jù)，只需要少量的數(shù)字信號處理，這種方案已經(jīng)遷移到系統(tǒng)應用中，在系統(tǒng)中第一次產(chǎn)生了模數(shù)轉換過程?！　∧M技術衰落有幾個原因，其中一些是建立在自身缺陷上的。摩爾定律適用于數(shù)字電路而不是模擬電路;晶體管可以而且必須做得更小，這有利于數(shù)字電路。但這對模擬晶體管的影響并不大，反而器件尺寸越小，模擬器件特性往往越差。器件的
  • 關鍵字： 摩爾定律  FinFET  

格芯交付性能領先的7納米FinFET技術在即

  • 　　格芯今日宣布推出其具有7納米領先性能的(7LP)FinFET半導體技術，其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動處理器、云服務器和網(wǎng)絡基礎設施等應用的需求。設計套件現(xiàn)已就緒，基于7LP技術的第一批客戶產(chǎn)品預計于2018年上半年推出，并將于2018年下半年實現(xiàn)量產(chǎn)。　　2016年9月，格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中無可比擬的技術積淀，來研發(fā)自己7納米FinFET技術的計劃。由于晶體管和工藝水平的進一步改進，7LP技術的表現(xiàn)遠優(yōu)于最初的性能目標。與先前基于14納米FinFET技術的產(chǎn)品相比，預
  • 關鍵字： 格芯  FinFET  

SoC系統(tǒng)開發(fā)人員：FinFET對你來說意味著什么？

  • 大家都在談論FinFETmdash;mdash;可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人mdash;mdash;除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜（FDSOI）的人，都認為20 nm節(jié)點以后，F(xiàn)inFET將成為SoC的未來。但是對于要使用這些SoC的系統(tǒng)開發(fā)人員而言，其未來會怎樣呢？
  • 關鍵字： SoC  Synopsys  FinFET  

ALD技術在未來半導體制造技術中的應用

  • 由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優(yōu)點，ALD（原子層淀積）技術早從21世紀初即開始應用于半導體加工制造。DRAM電容的高k介電質沉積率先采用此技術，但近來ALD在其它半導體工藝領域也已發(fā)展出愈來愈廣泛的應用。
  • 關鍵字： ALD  半導體制造  FinFET  PVD  CVD  

FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn)

  • 　　隨著高級工藝的演進，電路設計團隊在最先進的晶片上系統(tǒng)內加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設計挑戰(zhàn)。多重圖案拆分給設計實施過程帶來了許多重大布局限制，另外為降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶體管使之更加復雜，因為它對擺設和布線流程帶來了更多的限制。下面就隨模擬電子小編一起來了解一下相關內容吧。 　　FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn) 　　隨著高級工藝的演進，電路設計團隊在最先進的晶片上系統(tǒng)內加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設
  • 關鍵字： FinFET  

英特爾推全新低功耗FinFET技術　22納米制程戰(zhàn)場煙硝起

  • 　　英特爾(Intel)宣布將在2017年底之前啟動全新22納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程22 FFL，相關開發(fā)套件(PDK)在接下來幾個月也將陸續(xù)到位，市場上認為22 FFL的推出，顯然是針對GlobalFoundries等業(yè)者以全空乏絕緣上覆硅(FD-SOI)為移動裝置及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應用所生產(chǎn)之同類芯片而來。 　　據(jù)EE Times Asia報導，英特爾稱自家22 FFL是市場上首款為低功耗IoT應用及移動裝置產(chǎn)品而開發(fā)出來的FinFET技術，能打造出高效能及低功耗的電晶體，漏電流(le
  • 關鍵字： 英特爾  FinFET  
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finfet 介紹

FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管，閘長已可小于25奈米，未來預期可以進一步縮小至9奈米，約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于此一半導體技術上的突破，未來芯片設計人員可望能夠將超級計算機設計成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標準的晶體管—場效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細 ]

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