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Intel憑何獨步天下!

  • Intel曾經(jīng)自己高調(diào)宣揚過，整個世界也都承認，無與倫比的先進制造工藝是這家芯片巨頭永遠令人眼紅的優(yōu)勢。14nm工藝雖然從年初拖到了年底，但到時候仍然是這個地球上最先進的。其他半導體企業(yè)紛紛減緩腳步或者合縱連橫的同時，Intel仍在堅持獨行，仍在引領(lǐng)世界。
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FinFET 全面攻占 iPhone！五分鐘讓你看懂 FinFET

  • 這一年來半導體最熱門的新聞，大概就屬FinFET了，到底什么是FinFET?它的作用是什么?為什么讓這么多國際大廠趨之若騖呢? 　　
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FinFET/3D NAND前景亮　推升半導體設(shè)備需求

  • 　　鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實現(xiàn)更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導體設(shè)備商應用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力，已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機臺和磊晶技術(shù)。 　　應用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸指出，隨著先進制程發(fā)展，該公司產(chǎn)品開發(fā)有兩大重點方向，一是電晶體與導線技術(shù)，另一個是圖形制作與檢測技術(shù)。 　　應用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
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AMD終于用上了FinFET工藝

  • 　　這么多年，新工藝一直是AMD的痛點。早年自己生產(chǎn)進展跟不上，現(xiàn)在拆分出去了GlobalFoundries更是回回炸雷，臺積電都跑去抱蘋果的大腿了，導致其CPU還是停留在32nm，APU和GPU也仍是28nm。 　　不過在昨日的財務會議上，AMDCEOLisaSu興奮地透露，其首批兩款基于FinFET新工藝的芯片已經(jīng)完成了流片，進展順利，接下來就可以去投產(chǎn)了。 　　她并沒有說具體是哪兩款產(chǎn)品(估計會是新架構(gòu)ZenCPU和下一代的APU)，甚至至今不肯提及代工伙伴是誰，臺積電16nm、GF14nm都有
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探秘大基金，下一個投資目標瞄準了誰？

  • 　　自去年國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(以下簡稱大基金)成立，至今已募集資金1300多億元，提前并超額完成了基金的募集任務。正是因為“手握重金”，坊間對于大基金的傳言不絕于耳。更有業(yè)者擔心大基金的投資會不會遍地開花，甚至會毀了中國整個集成電路產(chǎn)業(yè)。據(jù)最接近大基金的業(yè)內(nèi)資深人士透露，這個擔心是多余的，大基金的“國家戰(zhàn)略+市場化運營”的機制以及股權(quán)投資基金業(yè)的游戲規(guī)則決定了它不會這么干! 　　市場上的私募股權(quán)投資基金不勝枚舉，大基金之所以吸引眼球，無非是它有了
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哪些半導體公司會成為22nm FD-SOI的嘗鮮者？

  • 　　美國時間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 　　   　　FD- SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進平面型，20nm上努力了一
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只能FinFET或FD-SOI？二合一也行！

  • 　　在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導體業(yè)者應該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術(shù);不過既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時提供以上兩種制程產(chǎn)能服務客戶，有越來越多半導體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術(shù)。 　　例如飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節(jié)點采用
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GLOBALFOUNDRIES為下一代芯片設(shè)計而強化了14nm FinFET的設(shè)計架構(gòu)

  • 　　GLOBALFOUNDRIES，世界先進半導體制造技術(shù)的領(lǐng)導者，今天宣布了其為14 nm FinFET工藝技術(shù)而開發(fā)的強化過的設(shè)計架構(gòu)，在幫助那些采用先進工藝技術(shù)設(shè)計的客戶的進程上達到了一個關(guān)鍵里程碑。 　　GLOBALFOUNDRIES與重要合作伙伴Cadence，Mentor Graphics，以及Synopsys合作開發(fā)出的新型設(shè)計流程，實現(xiàn)了從RTL到GDS的轉(zhuǎn)換。該流程包括了基于工藝技術(shù)的PDK和早期試用標準單元庫，形成一個數(shù)字設(shè)計“入門套件”，為設(shè)計人員進行物理實
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14納米FinFET制程略勝一籌 全球晶圓代工競爭暗潮洶涌

  • 　　雖然臺積電仍是全球晶圓代工市場的龍頭大廠，但為牽就蘋果(Apple)這個大客戶，內(nèi)部壓寶16納米、20納米設(shè)備可以大部互通的產(chǎn)能擴充彈性優(yōu)勢，硬是將16納米FinFET制程技術(shù)訂為20納米下一棒的規(guī)劃藍圖。 　　反而在Altera、高通(Qualcomm)先后投入英特爾(Intel)及三星電子(Samsung Electronics)14納米FinFET制程技術(shù)的懷抱后，即便蘋果仍可喂飽臺積電先進制程產(chǎn)能，但臺積電客戶結(jié)構(gòu)從以IC設(shè)計公司為主，變成以系統(tǒng)廠獨霸半遍天，加上主要競爭對手也開始爭取到重要
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三星14納米FinFET處理器揭密

  • 　　Exynos 7420已經(jīng)將與英特爾在2014年10月發(fā)表第一款14奈米Broadwell 處理器5Y70的差距縮小。
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Synopsys Galaxy設(shè)計平臺支撐了90%的FinFET設(shè)計量產(chǎn)

  • 　　亮點： 　　 Galaxy Design Platform設(shè)計平臺被用于90%的FinFET設(shè)計量產(chǎn) 　　 強勁的平臺采用率彰顯了Synopsys在FinFET數(shù)字和定制設(shè)計實現(xiàn)工具領(lǐng)域內(nèi)的領(lǐng)先性 　　 所有的FinFET晶圓代工廠都已經(jīng)使用并認證了Galaxy Design Platform 　　新思科技公司(Synopsys, Inc.，納斯達克股票市場代碼：SNPS)日前宣布：其 Galaxy™ Design Platform 設(shè)計平臺支撐了90%基于FinFET設(shè)計的量產(chǎn)流
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新思科技已支援全球9成FinFET設(shè)計量產(chǎn)

  • 　　新思科技(Synopsys)宣布，Galaxy Design Platform已支援全球9成的FinFET晶片設(shè)計量產(chǎn)投片，目前已有超過20家業(yè)界領(lǐng)導廠商運用這個平臺，成功完成超過100件FinFET投片。 　　格羅方德半導體(GLOBALFOUNDRIE)、英特爾晶圓代工(Intel Custom Foundry)、三星電子等晶圓廠已經(jīng)利用Galaxy Design Platform為彼此之共同客戶如Achronix、創(chuàng)意電子(Global Unichip Corporation)、海思半導體(H
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Synopsys占九成FinFET投片，Cadence趨于弱勢

  • 　　新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片設(shè)計量產(chǎn)投片(production tapeout)，目前已有超過20家業(yè)界領(lǐng)導廠商運用這個平臺，成功完成超過100件FinFET投片。 　　包括格羅方德半導體(GLOBALFOUNDRIE)、英特爾晶圓代工(Intel Custom Foundry)、三星電子(Samsung)等晶圓廠已經(jīng)利用Galaxy Design Platform為彼此之共同客戶如Achronix、創(chuàng)意電
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聯(lián)電14納米 下季試產(chǎn)

  • 　　聯(lián)電積極擴充28奈米產(chǎn)能，預計今年中月產(chǎn)能可達2萬片，28奈米毛利率將達平均水準。此外，聯(lián)電已建置月產(chǎn)能約3,000片的14奈米生產(chǎn)線，預計第2季進行第2代14奈米鰭式場效電晶體(FinFET)制程試產(chǎn)，若下半年客戶產(chǎn)品陸續(xù)完成設(shè)計定案(tape out)，明年將開始拉升產(chǎn)能進入量產(chǎn)階段。 　　聯(lián)電去年第4季28奈米投片大增，包括高通、聯(lián)發(fā)科等5家客戶晶片進入量產(chǎn)，并有逾10家客戶完成設(shè)計定案并展開試產(chǎn)，也讓28奈米占去年第4季營收比重正式突破5%。聯(lián)電已積極進行擴產(chǎn)，預估今年中可將28奈米月產(chǎn)能擴
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Cadence與海思在FinFET設(shè)計領(lǐng)域擴大合作

  • 　　益華電腦(Cadence Design Systems)宣布，已與通訊網(wǎng)路與數(shù)位媒體晶片組供應商海思半導體(HiSilicon Technologies)已經(jīng)簽署合作協(xié)議，將于16奈米 FinFET 設(shè)計領(lǐng)域大幅擴增采用Cadence 數(shù)位與客制/類比流程，并于10奈米和7奈米制程的設(shè)計流程上密切合作。 　　海思半導體也廣泛使用Cadence數(shù)位和客制/類比驗證解決方案，并且已經(jīng)取得Cadence DDR IP與Cadence 3D-IC 解決方案授權(quán)，將于矽中介層基底(silicon interp
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finfet 介紹

FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管，閘長已可小于25奈米，未來預期可以進一步縮小至9奈米，約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于此一半導體技術(shù)上的突破，未來芯片設(shè)計人員可望能夠?qū)⒊売嬎銠C設(shè)計成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標準的晶體管—場效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細 ]

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