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格羅方德12LP+ FinFET解決方案針對(duì)AI進(jìn)行優(yōu)化

半導(dǎo)體代工廠格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）宣布，旗下最先進(jìn)的FinFET解決方案「12LP+」已通過技術(shù)驗(yàn)證，目前準(zhǔn)備投入生產(chǎn)。格羅方德的差異化「12LP+」解決方案主要針對(duì)AI訓(xùn)練以及推論應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化。本解決方案建立于驗(yàn)證過的平臺(tái)上，具有強(qiáng)大的制造生態(tài)系統(tǒng)，可為芯片設(shè)計(jì)師帶來(lái)高效能的開發(fā)體驗(yàn)，及快速的上市時(shí)間。為達(dá)到性能、功耗和面積的組合，12LP+導(dǎo)入了若干新功能，包含更新后的標(biāo)準(zhǔn)組件庫(kù)、用于2.5D封裝的中介板，與一個(gè)低功耗的0.5V Vmin SRAM記憶單元，以支持AI處理器與內(nèi)
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微縮實(shí)力驚人臺(tái)積3納米續(xù)沿用FinFET晶體管制程

由于世界前兩大的半導(dǎo)體廠都相繼宣布投入GAA的懷抱，因此更讓人篤定，也許3納米將會(huì)是GAA的時(shí)代了，因?yàn)橹?納米制程，F(xiàn)inFET晶體管就可能面臨瓶頸，必須被迫進(jìn)入下個(gè)世代。
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燧原科技推出搭載基于格芯12LP平臺(tái)的“邃思”芯片的人工智能訓(xùn)練解決方案云燧T10

在燧原科技（燧原）發(fā)布云燧T10之際，燧原與格芯（GLOBALFOUNDRIES）近日共同宣布推出針對(duì)數(shù)據(jù)中心培訓(xùn)的高性能深度學(xué)習(xí)加速卡解決方案，其核心“邃思”（DTU）基于格芯12LP?FinFET平臺(tái)及2.5D 封裝技術(shù)，為云端人工智能訓(xùn)練平臺(tái)提供高算力、高能效比的數(shù)據(jù)處理。燧原的“邃思”（DTU）利用格芯12LP ?FinFET平臺(tái)擁有141億個(gè)晶體管，采用先進(jìn)的2.5D封裝技術(shù)，支持PCIe 4.0接口和燧原 Smart Link高速互聯(lián)。支持CNN/RNN等各種網(wǎng)絡(luò)模型和豐富的數(shù)據(jù)類型
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新思科技和臺(tái)積合作在其5納米 FinFET 強(qiáng)化版N5P制程技術(shù)上開發(fā)DesignWare IP核產(chǎn)品組合

臺(tái)積公司5奈米 FinFET 強(qiáng)化版（N5P）制程技術(shù)上開發(fā)的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDMI臺(tái)積公司N5P工藝上開發(fā)的DesignWare基礎(chǔ)IP核包括高速、面積優(yōu)化和低功耗的嵌入式存儲(chǔ)器、邏輯庫(kù)和一次性可編程非易失性存儲(chǔ)器。STAR Memory System?采用針對(duì)5nm FinFET晶體管缺陷的新算法，可有效測(cè)試、修復(fù)和診斷嵌入式存儲(chǔ)器新思科技（Synopsys, In
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格芯針對(duì)人工智慧應(yīng)用推出12LP+ FinFET解決方案

晶圓代工大廠格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，與IC設(shè)計(jì)廠SiFive正在合作研發(fā)將高頻寬存儲(chǔ)器（HBM2E）運(yùn)用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解決方案，以擴(kuò)展高性能DRAM。12LP+FinFET解決方案將提供2.5D封裝設(shè)計(jì)服務(wù)，可加速人工智能（AI）應(yīng)用上市時(shí)間。
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Mentor 擴(kuò)展解決方案以支持 TSMC 5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝技術(shù)

　　Mentor, a Siemens business 今日宣布 Mentor Calibre? nmPlatform 和 Analog FastSPICE? (AFS?) Platform 獲得 TSMC 的 7nm FinFET Plus 和最新版本的 5nm FinFET 工藝的認(rèn)證。此外，Mentor 還繼續(xù)擴(kuò)展 Xpedition? Package Designer 和 Xpedition Substrate Integrator 產(chǎn)品的功能，以支持 TSMC 的高級(jí)封裝產(chǎn)品。　　TSMC 設(shè)
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格芯擴(kuò)展FinFET產(chǎn)品新特性為全面實(shí)現(xiàn)未來(lái)智能系統(tǒng)

　　格芯是全球領(lǐng)先的全方位服務(wù)半導(dǎo)體代工廠，為世界上最富有靈感的科技公司提供獨(dú)一無(wú)二的設(shè)計(jì)、開發(fā)和制造服務(wù)。2018年9月25日，格芯在其年度全球技術(shù)大會(huì)(GTC)上，繼在300mm平臺(tái)上面向下一代移動(dòng)應(yīng)用推出8SW RF SOI客戶端芯片后，格芯宣布計(jì)劃在其14/12nm FinFET產(chǎn)品中引入全套新技術(shù)，這是公司加強(qiáng)差異化投資的全新側(cè)重點(diǎn)之一，功能豐富的半導(dǎo)體平臺(tái)為下一代計(jì)算應(yīng)用提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的性能和可擴(kuò)展性。新工藝技術(shù)旨在為快速增長(zhǎng)市場(chǎng)(如超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和自動(dòng)駕駛汽車)應(yīng)用提供更好的可擴(kuò)展性和性
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GF宣布將在既有14/12納米FinFET制程節(jié)點(diǎn)基礎(chǔ)上，向外擴(kuò)展應(yīng)用領(lǐng)域

　　自從28納米制程節(jié)點(diǎn)向下轉(zhuǎn)進(jìn)以來(lái)，就剩下四大晶圓代工廠商持續(xù)鞏固先進(jìn)制程：臺(tái)積電、三星電子(SamsungElectronics)、GlobalFoundries(GF)以及英特爾(Intel)。但在這四大廠商轉(zhuǎn)進(jìn)16/14納米先進(jìn)制程過程中，又以GF歷經(jīng)最多波折，但最終，GF尋求向三星取得14納米制程授權(quán)，更成功將該節(jié)點(diǎn)制程落實(shí)在自家晶圓廠。隨后包括超微(AMD)旗下RyzenCPU與PolarisGPU系列產(chǎn)品的成功，均可說(shuō)是GF旗下晶圓廠14納米制程終于達(dá)到良率開出順利，并且改善制程足以提供更明
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格芯終止7nm FinFET工藝研發(fā)，接下來(lái)要發(fā)大招？

和其他晶圓廠一樣，格芯正在迎來(lái)各種各樣的挑戰(zhàn)。
關(guān)鍵字：格芯 7nm FinFET

FinFET對(duì)動(dòng)態(tài)功耗的影響

現(xiàn)在主要的代工廠都在生產(chǎn)FinFET晶體管，這些FinFET以創(chuàng)紀(jì)錄的速度實(shí)現(xiàn)了從設(shè)計(jì)到現(xiàn)貨產(chǎn)品的轉(zhuǎn)變。FinFET的發(fā)展普及一直都比較穩(wěn)定，因?yàn)榕c平面器件相
關(guān)鍵字： FinFET 動(dòng)態(tài)功耗

中芯國(guó)際14納米FinFET制程開始客戶導(dǎo)入，Q2營(yíng)收同比增長(zhǎng)18.6%

　　9日中芯國(guó)際集成電路制造有限公司公布截至2018年6月30日止第二季度的綜合經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)。中芯國(guó)際第二季度銷售額為8.907億美元，與上一季度環(huán)比增長(zhǎng)7.2%，與去年同比增長(zhǎng)18.6%。欣喜的是，14納米FinFET制程開始進(jìn)入到客戶導(dǎo)入階段，可以預(yù)見量產(chǎn)目標(biāo)已不遙遠(yuǎn)。14納米FinFET制程如果正式量產(chǎn)，對(duì)于中芯國(guó)際來(lái)說(shuō)將是一個(gè)歷史性的時(shí)刻。不僅可以確保其遙遙領(lǐng)先于國(guó)內(nèi)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，更是可以拉近其和國(guó)際芯片大廠之間的距離?！　「鶕?jù)中芯國(guó)際財(cái)報(bào)，第二季度不含技術(shù)授權(quán)收入(授權(quán)收入)確認(rèn)的銷售額為8.379億
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際 14納米 FinFET

利用FinFET優(yōu)勢(shì)的六種方式

為了能夠充分發(fā)揮好工藝制程的功耗，性能和面積(PPA)上的優(yōu)勢(shì)，必須要求我們的設(shè)計(jì)人員將有相關(guān)工藝知識(shí)的設(shè)計(jì)戰(zhàn)略和優(yōu)化的IP相結(jié)合，其中包括了標(biāo)準(zhǔn)
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FinFET布局和布線要經(jīng)受的重大考驗(yàn)

隨著高級(jí)工藝的演進(jìn)，電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在最先進(jìn)的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強(qiáng)。與此同時(shí)，他們同樣面臨許多新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。多重圖案拆分
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三星侵犯大學(xué)專利，賠償金或高達(dá)4億美元

　　近日，德克薩斯州聯(lián)邦陪審團(tuán)作出一項(xiàng)裁決：三星電子因侵犯韓國(guó)技術(shù)學(xué)院一項(xiàng)專利技術(shù)，需向后者支付賠償金或?qū)⒏哌_(dá)4億美元?！　?jù)了解，韓國(guó)技術(shù)學(xué)院曾向法院提起訴訟，指控三星電子侵犯了其鰭片晶體管技術(shù)(FinFET)制程工藝相關(guān)的專利技術(shù)。然而三星向陪審團(tuán)表示，它與韓國(guó)技術(shù)學(xué)院合作開發(fā)了這項(xiàng)技術(shù)，并否認(rèn)侵犯了相關(guān)專利技術(shù)。三星還對(duì)這項(xiàng)專利的有效性提出了質(zhì)疑。就在三星對(duì)此不屑一顧時(shí)，其對(duì)手英特爾公司開始向這項(xiàng)技術(shù)的發(fā)明者取得許可授權(quán)，圍繞三星是否侵權(quán)的力量博弈發(fā)生了改變，三星才開始重視這個(gè)事件的嚴(yán)重性?！　?jù)悉
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掌控芯片制造的“火候”，看懂小處用心的美好

小小的芯片，看似簡(jiǎn)單，卻充滿了科技之道。只有真的懂得制造工藝與應(yīng)用原理，了解每一顆芯片生產(chǎn)背后的艱辛，才能看懂制造商從小處用心的美好。
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FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管，閘長(zhǎng)已可小于25奈米，未來(lái)預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9奈米，約是人類頭發(fā)寬度的1萬(wàn)分之1。由于此一半導(dǎo)體技術(shù)上的突破，未來(lái)芯片設(shè)計(jì)人員可望能夠?qū)⒊?jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管—場(chǎng)效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細(xì) ]

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行業(yè)首創(chuàng)！恩智浦?jǐn)y手臺(tái)積電，推出汽車級(jí)16納米FinFET嵌入式MRAM

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