finfet 文章進(jìn)入finfet 技術(shù)社區(qū)

下一代晶體管技術(shù)何去何從

　　大量的金錢和精力都花在探索FinFET工藝，它會持續(xù)多久和為什么要替代他們? 　　在近期內(nèi)，從先進(jìn)的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當(dāng)清楚。芯片會基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FD SOI工藝的平面技術(shù)，有望可縮小到10nm節(jié)點。但是到7nm及以下時，目前的CMOS工藝路線圖已經(jīng)不十分清晰。　　半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)探索了一些下一代晶體管技術(shù)的候選者。例如在7nm時，采用高遷移率的FinFET，及用III-V族元素作溝道材料來提高電荷的遷移率。然后，到5nm時，可能會有兩種技術(shù)，其中一種是環(huán)柵F
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半導(dǎo)體工藝向14/16nm FINFET大步前進(jìn)

幾乎所有繼續(xù)依靠先進(jìn)半導(dǎo)體工藝來帶給自己芯片性能與功耗競爭優(yōu)勢的廠商，紛紛將自己的設(shè)計瞄準(zhǔn)了即將全面量產(chǎn)的FINFET技術(shù)。在這一市場需求推動下，似乎20nm這一代，成為很多代工廠眼中的雞肋，巴不得直接跨越20nm，直奔16/14nm的FINFET。
關(guān)鍵字： TSMC FINFET 智能手機(jī) 201401

SoC系統(tǒng)開發(fā):FinFET在系統(tǒng)級意味著什么

FinFET給芯片設(shè)計業(yè)帶來的改變幾乎是革命性的，帶來了各種新的要求，同時也推動了各種創(chuàng)新。
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SoC系統(tǒng)開發(fā)：FinFET在系統(tǒng)級意味著什么

　　大家都在談?wù)揊inFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認(rèn)為20nm節(jié)點以后，F(xiàn)inFET將成為SoC的未來。但是對于要使用這些SoC的系統(tǒng)開發(fā)人員而言，其未來會怎樣呢? 　　回答這一問題最好的方法應(yīng)該是說清楚FinFET對于模擬和數(shù)字電路設(shè)計人員以及SoC設(shè)計人員究竟意味著什么。從這些信息中，我們可以推斷出FinFET在系統(tǒng)級意味著什么。
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Synopsys力挺臺積電16納米FinFET

　　全球IC矽智財供應(yīng)商新思科技(Synopsys)力挺臺積電的16納米FinFET(鰭式場效晶體管)，全力協(xié)助臺積電加入導(dǎo)入這項新制程量產(chǎn)行列。　　新思科技是「臺積電大同盟」成員之一，昨天也宣布獲臺積電頒發(fā)開放創(chuàng)創(chuàng)新平臺(OIP)「2013年度最佳伙伴獎」，以表彰對臺積電先進(jìn)制程的貢獻(xiàn)。　　臺積電16納米FinFET制程，是對抗英特爾及三星等勁敵的重要技術(shù)，臺積電將以大同盟的陣營，聯(lián)合IP、自動化工具、設(shè)備及芯片設(shè)計業(yè)的力量應(yīng)戰(zhàn)。臺積電16納米預(yù)定明年第4季試產(chǎn)，2015年第1季量產(chǎn)。
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先進(jìn)制程競賽Xilinx首重整合價值

　　由于ASIC的研發(fā)成本居高不下，加上近來FPGA不斷整合更多的功能，同時也突破了過往功耗過高的問題，尤其當(dāng)進(jìn)入28奈米制程之后，其性價比開始逼近ASSP與ASIC，促使FPGA開始取代部分ASIC市場，應(yīng)用范圍也逐步擴(kuò)張。　　附圖: Xilinx揭露未來市場競爭狀況。資料來源：Xilinx 　　掌握這樣的趨勢，讓FPGA大廠Xilinx在28奈米的產(chǎn)品營收持續(xù)成長。 Xilinx企業(yè)策略與行銷資深副總裁Steve Glaser指出，預(yù)估今年在28奈米產(chǎn)品線將會有1億美元的營收，市占率高
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新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

　　比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3DFinFET化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS至7nm及其以下，以及實現(xiàn)混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。　　隨著晶片微縮即將接近原子級的限制，業(yè)界致力于提高晶片性能與降低功耗的各種方法逐漸面臨瓶頸。透過為矽晶整合更高性能的材料，例如可提供更高載子速度與更高驅(qū)動電流的III-V族電晶體通道，這種新的化合物半導(dǎo)體可望超越矽晶本身性能，持續(xù)微縮至更制程。　
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Mentor工具被納入臺積電16納米FinFET制程技術(shù)參考流程

Mentor Graphics公司(納斯達(dá)克代碼：MENT)日前宣布它已完成其用于臺積電16納米FinFET制程的數(shù)字成套工具。臺積電16納米參考流程包含一些新功能，用于Olympus-SoC?布局與布線系統(tǒng)的16納米設(shè)計，以及Calibre?物理驗證和可制造性設(shè)計(DFM)平臺。
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FinFET新技術(shù)對半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的影響

　　FinFET稱為鰭式場效晶體管，由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。FinFET是對場效晶體管的一項創(chuàng)新設(shè)計，變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)，其控制電流通過的閘門被設(shè)計成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu)，將原來的單側(cè)控制電路接通與斷開變革為兩側(cè)。　　FinFET這樣創(chuàng)新設(shè)計的意義，在于改善了電路控制并減少漏電流，縮短了晶體管的閘長，對于制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計自動化、IP與設(shè)計方法等產(chǎn)生重要影響與變革。FinFET技術(shù)升溫，使得半導(dǎo)體業(yè)戰(zhàn)火重燃，尤其是以Fi
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FinFET引爆投資熱　半導(dǎo)體業(yè)啟動新一輪競賽

　　半導(dǎo)體業(yè)界已發(fā)展出運(yùn)用FinFET的半導(dǎo)體制造技術(shù)，對制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計自動化、IP與設(shè)計方法產(chǎn)生極大變化。特別是IDM業(yè)者與晶圓代工廠正競相加碼研發(fā)以FinFET生產(chǎn)應(yīng)用處理器的技術(shù)，促使市場競爭態(tài)勢急速升溫。　　過去數(shù)10年來，互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)平面電晶體一直是電子產(chǎn)品的主要建構(gòu)材料，電晶體幾何結(jié)構(gòu)則一代比一代小，因此能開發(fā)出高效能且更便宜的半導(dǎo)體晶片。　　然而，電晶體在空間上的線性微縮已達(dá)極限，電晶體縮小到20奈米(nm)以下，會降低通道閘極控制效果，造成汲極(Dr
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專家聚首談FinFET趨勢下3D工藝升級挑戰(zhàn)

　　日前，SeMind舉辦了圓桌論壇，邀請半導(dǎo)體設(shè)計與制造的專家齊聚一堂，共同探討未來晶體管、工藝和制造方面的挑戰(zhàn)，專家包括GLOBALFOUNDRIES的高級技術(shù)架構(gòu)副總裁Kengeri SUBRAMANI ，Soitec公司首席技術(shù)官Carlos Mazure，Intermolecular半導(dǎo)體事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理Raj Jammy以及Lam公司副總裁Girish Dixit。　　SMD ：從你們的角度來看，工藝升級短期內(nèi)的挑戰(zhàn)是什么? 　　Kengeri ：眼下，我們正在談?wù)摰?8nm到2
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爭搶1xnm代工商機(jī) 晶圓廠決戰(zhàn)FinFET制程

　　鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機(jī)，臺積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術(shù)，并各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，預(yù)計將于2014～2015年陸續(xù)投入量產(chǎn)，讓晶圓代工市場頓時硝煙彌漫。　　FinFET制程將成晶圓廠新的角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機(jī)，并建立10納米發(fā)展優(yōu)勢，臺積電、聯(lián)電和格羅方德正傾力投資FinFET技術(shù)，并已將開戰(zhàn)時刻設(shè)定于2014?2015年;同時也各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，期抗衡英特爾和三星
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英盛德：FinFET技術(shù)日趨盛行利益前景可觀

　　英格蘭錫爾--(美國商業(yè)資訊)--世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到芯片集成電路設(shè)計咨詢公司之一的英盛德認(rèn)為，F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為集成電路設(shè)計商帶來新的挑戰(zhàn)，因為這些設(shè)計商希望從新構(gòu)架帶來的尺寸優(yōu)勢中受益。　　工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說：“最近，在德州召開的設(shè)計自動化大會(Design Automation Conference)上，展廳中討論FinFET技術(shù)的聲音不絕于耳。同樣，我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶——包括消費(fèi)、電腦和圖形行業(yè)領(lǐng)域的最知名企業(yè)&md
關(guān)鍵字：集成電路設(shè)計 FinFET

英盛德：FinFET技術(shù)日盛前景可觀

　　根據(jù)美國商業(yè)資訊報導(dǎo)，世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到晶片積體電路設(shè)計顧問公司之一的英盛德(Sondrel)認(rèn)為，F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為積體電路設(shè)計商帶來新的挑戰(zhàn)，因為這些設(shè)計商希望從新構(gòu)架帶來的尺寸優(yōu)勢中受惠。　　工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說：「最近，在德州召開的設(shè)計自動化大會(Design Automation Conference)上，展場中討論FinFET技術(shù)的聲音不絕于耳。同樣，我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶——包括消費(fèi)、電腦和圖形產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的最知名企業(yè)&mdash
關(guān)鍵字： Sondrel FinFET

晶圓廠的FinFET混搭制程競賽

　　一線晶圓廠正紛紛以混搭20納米制程的方式，加速14或16納米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計在2014年以14納米FinFET前段閘極結(jié)合20納米后段金屬導(dǎo)線制程的方式達(dá) 成試量產(chǎn)目標(biāo);而臺積電為提早至2015年跨入16納米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術(shù)，足見此設(shè)計方式已成為晶圓廠進(jìn)入 FinFET世代的共通策略。　　聯(lián)華電子市場行銷處處長黃克勤提到，各家廠商在16/
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FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管，閘長已可小于25奈米，未來預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9奈米，約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于此一半導(dǎo)體技術(shù)上的突破，未來芯片設(shè)計人員可望能夠?qū)⒊売嬎銠C(jī)設(shè)計成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管—場效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細(xì) ]

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