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豪威“中國化”對圖像傳感器行業(yè)有何影響？
- 2015年對CMOS圖像傳感器(CIS：CMOS Image Sensor)行業(yè)來說，是變動比較大的一年。Yole Developpement(以下簡稱Yole)的報告《2015年CMOS圖像傳感器行業(yè)動向(Status of the CMOS image sensor industry 2015)》顯示，CIS市場今年將達(dá)到100億美元。另外，索尼為支撐自己的技術(shù)優(yōu)勢和業(yè)績出色的蘋果產(chǎn)品戰(zhàn)略而實(shí)施的產(chǎn)能投資收到成效，獲得三分之一以上的市場份額，有在整個智能手機(jī)行業(yè)獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷之勢。 而索尼的競爭對
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微光CMOS圖像傳感器讀出電路設(shè)計
- 當(dāng)前固體微光器件以EBCCD及EMCCD器件為主，隨著CMOS工藝及電路設(shè)計技術(shù)的發(fā)展，微光CMOS圖像傳感器的性能在不斷提高，通過采用專項(xiàng)技術(shù)，微光CMOS圖像傳感器的性能已接近EMCCD的性能，揭開了CMOS圖像傳感器在微光領(lǐng)域應(yīng)用的序幕。隨著對微光CMOS圖像傳感器研究的進(jìn)一步深入，在不遠(yuǎn)的未來，微光CMOS圖像傳感器的性能將達(dá)到夜視應(yīng)用要求，在微光器件領(lǐng)域占據(jù)重要地位。 讀出電路是微光CMOS圖像傳感器的重要組成部分，它的基本功能是將探測器微弱的電流、電壓或電阻變化轉(zhuǎn)換成后續(xù)信號處理電路
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風(fēng)雨欲來，CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)變局已現(xiàn)
- CMOS影像感測器(CIS)市場近年因智慧型手機(jī)大幅成長，未來則可望在汽車、醫(yī)療和安控等嵌入式應(yīng)用推助下持續(xù)向上攀升，預(yù)期2014～2020年復(fù)合年均成長率將高達(dá)10.6%。看好此一商機(jī)，中小型CIS晶片商正競相展開技術(shù)布局，期進(jìn)一步擴(kuò)大市場占有率。 CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor, CIS)市場即將風(fēng)云變色，眾家廠商為卡位新商機(jī)，可謂八仙過海、各顯神通。Yole Developpement指出，智慧型手機(jī)雖占現(xiàn)今CIS市場應(yīng)用大宗，但汽車、醫(yī)療和安全監(jiān)控等新興應(yīng)用需求已
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CMOS影像傳感器市場釀重整，汽車/醫(yī)療/安全監(jiān)控新商機(jī)浮現(xiàn)
- CMOS影像感測器(CIS)市場近年因智慧型手機(jī)大幅成長，未來則可望在汽車、醫(yī)療和安控等嵌入式應(yīng)用推助下持續(xù)向上攀升，預(yù)期2014～2020年復(fù)合年均成長率將高達(dá)10.6%?？春么艘簧虣C(jī)，中小型CIS晶片商正競相展開技術(shù)布局，期進(jìn)一步擴(kuò)大市場占有率。 CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor, CIS)市場即將風(fēng)云變色，眾家廠商為卡位新商機(jī)，可謂八仙過海、各顯神通。Yole Developpement指出，智慧型手機(jī)雖占現(xiàn)今CIS市場應(yīng)用大宗，但汽車、醫(yī)療和安全監(jiān)控等新興應(yīng)用需求已
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“中芯國際”大力研發(fā)下一代CMOS邏輯工藝
- 近日，中國內(nèi)地集成電路晶圓代工企業(yè)—中芯國際集成電路制造有限公司，與全球領(lǐng)先的信息和通信解決方案供應(yīng)商華為、微電子研究中心之一比利時微電子研究中心(imec)、國際無晶圓半導(dǎo)體廠商Qualcomm Incorporated的附屬公司Qualcomm Global Trading Pte. Ltd.在京簽約，宣布共同投資中芯國際集成電路新技術(shù)研發(fā)(上海)有限公司，開發(fā)下一代CMOS邏輯工藝。 中芯國際集成電路新技術(shù)研發(fā)(上海)有限公司由中芯國際控股，華為、imec、Qualcomm各占
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IBM以標(biāo)準(zhǔn)CMOS制程打造三五族FinFET
- 整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在嘗試找到一種方法，不需要從矽基板轉(zhuǎn)換而利用砷化銦鎵(InGaAs)的更高電子遷移率，包括英特爾(Intel)與三星(Samsung);而IBM已經(jīng)展示了如何利用標(biāo)準(zhǔn)CMOS制程技術(shù)來達(dá)成以上目標(biāo)。 上個月IBM展示了一種將三五族(III-V)砷化銦鎵化合物放到絕緣上覆矽(SOI)晶圓的技術(shù)，現(xiàn)在該公司有另一個研究團(tuán)隊(duì)則是聲稱發(fā)現(xiàn)了更好的方法，采用標(biāo)準(zhǔn)塊狀矽晶圓并制造出矽上砷化銦鎵證實(shí)其可行性。 IBMResearch先進(jìn)功能材料部門經(jīng)理、CMOS專家JeanFompeyr
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有關(guān)混合信號的技術(shù)方案及應(yīng)用文獻(xiàn)，包括示波器、信號調(diào)節(jié)器等
- 混合信號，一種說法是未來的系統(tǒng)將是大型的混合信號系統(tǒng)，它所占的比例將會增加一倍，從目前的33%到2005年的66%;另一種說法是每一部份都是建立在超深次微米CMOS上的大型數(shù)位晶片，將來的ASICs會用到多達(dá)一千五百萬個邏輯們，而類比和混合信號電路將會被留在晶片之外。 RF和混合信號設(shè)計的藝術(shù)與科學(xué) 設(shè)計和生產(chǎn)混合信號IC不是件易事，尤其是包含RF功能時尤為如此。之所以存在如此大規(guī)模獨(dú)立的模擬和分立IC市場，是因?yàn)槟M與數(shù)字IC相結(jié)合不是一個簡單、明了的過程。模擬和RF設(shè)計一直被認(rèn)為是&l
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基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開關(guān)電路
- 當(dāng)前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級發(fā)展，模擬開關(guān)是模擬電路中的一個十分重要的原件，由于其較低的導(dǎo)通電阻，極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻的大小直接影響開關(guān)的性能，低導(dǎo)通電阻不僅可以降低信號損耗而且可以提高開關(guān)速度。要減小開關(guān)導(dǎo)通電阻，可以通過采用大寬長比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會帶來一些不必要的寄生效應(yīng)，比如增大器件的寬度會增加器件面積進(jìn)而增加?xùn)烹娙?，脈沖控制信號會通過電容耦合到模擬開關(guān)的輸入和輸出，在每個開關(guān)周期其充放電過
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NRAM已準(zhǔn)備好進(jìn)軍市場？
- 美國記憶體技術(shù)開發(fā)商N(yùn)antero最近宣布進(jìn)行新一輪融資，并準(zhǔn)備“浮出水面”──因?yàn)樵摴菊J(rèn)為其獨(dú)家的非揮發(fā)性隨機(jī)存取記憶體(non-volatile random access memory，NRAM;或稱Nano-RAM)，已經(jīng)準(zhǔn)備好取代企業(yè)應(yīng)用或消費(fèi)性應(yīng)用市場上的儲存級記憶體。 Nantero已經(jīng)向新、舊投資人募得3,150萬美元資金，可用以加速NRAM的研發(fā);該公司執(zhí)行長Greg Schmergel在接受EE Times 美國版編輯電話訪問時表示，NRAM是以碳奈
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CMOS電容式微麥克風(fēng)設(shè)計
- 隨著智能手機(jī)的興起，對于聲音品質(zhì)和輕薄短小的需求越來越受到大家的重視，近年來廣泛應(yīng)用的噪聲抑制及回聲消除技術(shù)均是為了提高聲音的品質(zhì)。相比于傳統(tǒng)的駐極體式麥克風(fēng)(ECM)，電容式微機(jī)電麥克風(fēng)采用硅半導(dǎo)體材料制作，這便于集成模擬放大電路及ADC(∑-ΔADC)電路，實(shí)現(xiàn)模擬或數(shù)字微機(jī)電麥克風(fēng)元件，以及制造微型化元件，非常適合應(yīng)用于輕薄短小的便攜式裝置。本文將針對CMOS微機(jī)電麥克風(fēng)的設(shè)計與制造進(jìn)行介紹，并比較純MEMS與CMOS工藝微導(dǎo)入麥克風(fēng)的差異。 電容式微麥克風(fēng)原理
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基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開關(guān)電路
- 當(dāng)前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級發(fā)展，模擬開關(guān)是模擬電路中的一個十分重要的原件，由于其較低的導(dǎo)通電阻，極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻的大小直接影響開關(guān)的性能，低導(dǎo)通電阻不僅可以降低信號損耗而且可以提高開關(guān)速度。要減小開關(guān)導(dǎo)通電阻，可以通過采用大寬長比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會帶來一些不必要的寄生效應(yīng)，比如增大器件的寬度會增加器件面積進(jìn)而增加?xùn)烹娙荩}沖控制信號會通過電容耦合到模擬開關(guān)的輸入和輸出，在每個開關(guān)周期其充放電過
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如何挑選一個高速ADC
- 高速ADC的性能特性對整個信號處理鏈路的設(shè)計影響巨大。系統(tǒng)設(shè)計師在考慮ADC對基帶影響的同時，還必須考慮對射頻(RF)和數(shù)字電路系統(tǒng)的影響。由于ADC位于模擬和數(shù)字區(qū)域之間，評價和選擇的責(zé)任常常落在系統(tǒng)設(shè)計師身上，而系統(tǒng)設(shè)計師并不都是ADC專家。 還有一些重要因素用戶在最初選擇高性能ADC時常常忽視。他們可能要等到最初設(shè)計樣機(jī)將要完成時才能知道所有系統(tǒng)級結(jié)果，而此時已不太可能再選擇另外的ADC。 影響很多無線通信系統(tǒng)的重要因素之一就是低輸入信號電平時的失真度。大多數(shù)無線傳輸?shù)竭_(dá)ADC的信號
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10納米碳納米管CMOS器件面世
- 近日，在北京市科委先導(dǎo)與優(yōu)勢材料創(chuàng)新發(fā)展專項(xiàng)支持下，北京大學(xué)彭練矛教授團(tuán)隊(duì)在世界上首次研制出10納米碳納米管互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件。與同尺寸硅基器件相比，該器件速度是其5倍，而功耗僅為1/5。該團(tuán)隊(duì)還在世界上首次成功制備出含有100個晶體管的碳納米管集成電路。 下一步，該團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)優(yōu)化碳納米管CMOS器件制備工藝，建立標(biāo)準(zhǔn)的碳基CMOS器件技術(shù)加工平臺，并基于該平臺開發(fā)碳納米管CPU，最終推動碳基集成電路在下一代通用芯片和消費(fèi)電子等領(lǐng)域的應(yīng)用。
- 關(guān)鍵字： 碳納米管 CMOS
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