首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> hdr-cmos

新日本無線推出超低功耗CMOS運放NJU77806

  • 新日本無線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運放 NJU77806 的獨特之處是同時具有業(yè)界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種特性,還備有良好的寬帶特性 (GBP=4.4MHz) 和強RF噪聲抑制能力,是一款兩全其美外加實用的好產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字: 新日本  CMOS  無線網(wǎng)絡(luò)  

技術(shù):CMOS集成電路電阻的應(yīng)用分析

  •   目前,在設(shè)計中使用的主要有3種電阻器:多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計中,要根據(jù)需要靈活運用這3種電阻,使芯片的設(shè)計達到最優(yōu)。   1CMOS集成電路的性能及特點   1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管,且都是互補結(jié)構(gòu),工作時兩個串聯(lián)的場效應(yīng)管總是處于一個管導(dǎo)通,另一個管截止的狀態(tài),電路靜態(tài)功耗理論上為零。實際上,由于存在漏電流,CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW,動態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時)也僅為幾mW。   1.2工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電
  • 關(guān)鍵字: CMOS  電阻  

3.7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設(shè)計

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字: CMOS  LCVCO  電感  射頻開關(guān)  PVT  鎖相環(huán)  

MAX4617-MAX4619低電壓、CMOS模擬多路復(fù)用器/開關(guān)

  • 概述:MAX4617/MAX4618/MAX4619是高速,低電壓,CMOS模擬集成電路的配置為8通道多路復(fù)用器(MAX4617),兩個4通道多路 ...
  • 關(guān)鍵字: MAX4617  MAX4619  CMOS  多路復(fù)用器  

上海自貿(mào)區(qū)解除游戲機銷售禁令 紅外LED廠受惠

  •   隨著上海自貿(mào)區(qū)掛牌時間的臨近,本周自貿(mào)熱卷土重來:龍頭股外高橋及陸家嘴連續(xù)收出兩個漲停板,且漲勢有向縱深方向擴散的跡象。此前,市場人士就已獲悉,允許國外企業(yè)在華銷售游戲機將是上海自貿(mào)區(qū)藍(lán)圖的一部分;本月23日晚間,百視通發(fā)布的與微軟在上海自貿(mào)區(qū)組建合資公司的公告,更是令自貿(mào)區(qū)相關(guān)游戲機概念的炒作熱潮一觸即發(fā),百視通昨日就強勢漲停。   分析人士表示,百視通與微軟在上海自貿(mào)區(qū)設(shè)立合資公司的舉措表明,實行了十三年的游戲機禁令將在上海自貿(mào)區(qū)正式終結(jié);在此背景下,預(yù)計與游戲機生產(chǎn)相關(guān)的軟硬件公司,如水晶光電
  • 關(guān)鍵字: 紅外LED  CMOS  

銅柱凸點將成為倒裝芯片封裝的主流

  •   銅柱凸點和微焊點將改變倒裝芯片的市場和供應(yīng)鏈。之所以這樣說,是因為除了移動產(chǎn)品用處理器和內(nèi)存外,其他CMOS半導(dǎo)體也需要在比現(xiàn)在更小的芯片面積上實現(xiàn)更多的I/O個數(shù)以及更高的帶寬,并采取更好的散熱措施。   目前全球倒裝芯片市場規(guī)模為200億美元,以年增長率為9%計算,到2018年將達到350米億美元。在加工完成的倒裝芯片和晶圓中,銅柱凸點式封裝的年增長率將達到19%。到2014年,已形成凸點的晶圓中將有50%使用銅柱凸點,從數(shù)量上來說,銅柱凸點式封裝將占到倒裝芯片封裝市場的2/3。   
  • 關(guān)鍵字: CMOS  倒裝芯片  

ASM高級技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理Mohith Verghese談CMOS面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)

  •   高介電常數(shù)(High-k) 金屬閘極應(yīng)用于先進互補式金氧半導(dǎo)體(CMOS) 技術(shù)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)是什么?   高介電常數(shù)/金屬閘極(HKMG) 技術(shù)的引進是用來解決標(biāo)準(zhǔn)SiO2/SiON 閘極介電質(zhì)縮減所存在的問題。雖然使用高介電常數(shù)介電質(zhì)能夠持續(xù)縮減等效氧化物厚度(EOT),整合這些材料需對NMOS及PMOS 元件采用不同的金屬閘極。為了以最低臨界電壓(從而為最低功率)操作元件,NMOS元件必須使用低工作函數(shù)金屬而PMOS 元件則必須使用高工作函數(shù)金屬。即便有許多種金屬可供挑選,但其中僅有少數(shù)具有穩(wěn)定的
  • 關(guān)鍵字: ASM  CMOS  

東芝推出移動設(shè)備用的CMOS-LDO

  • 東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)已經(jīng)擴充了其200mA單輸出CMOS-LDO穩(wěn)壓器陣容。該系列產(chǎn)品專為移動 ...
  • 關(guān)鍵字: 移動設(shè)備  CMOS-LDO  

高電壓CMOS放大器利用單個IC實現(xiàn)高阻抗檢測

  • 電壓的準(zhǔn)確測量需要盡量減小至被測試電路之儀器接線的影響。典型的數(shù)字電壓表 (DVM) 采用 10M 電阻器網(wǎng)絡(luò)以把負(fù)載效應(yīng)保持在不顯眼的水平,即使這會引起顯著的誤差,尤其是在包含高電阻的較高電壓電路中。
  • 關(guān)鍵字: 凌力爾特  LTC6090  CMOS  放大器  電阻器  

臺灣第3季IC封測產(chǎn)值季增4.5%

  •   臺灣第3季IC封測產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值可較第2季成長4.5%。展望第3季臺灣半導(dǎo)體封裝測試產(chǎn)業(yè)趨勢,IEK ITIS計劃預(yù)估,第3季臺灣封裝及測試業(yè)產(chǎn)值分別可達新臺幣757億元和336億元,分別較第2季微幅成長4.6%和4.3%。   IEK ITIS計劃指出,展望第3季,高階智慧型手機市場反應(yīng)趨弱,封測廠蒙上一層陰影;第3季智慧型手機、平板電腦以及大型數(shù)位電視終端產(chǎn)品需求可能趨緩,汰舊換新動能略有轉(zhuǎn)弱,整體電子業(yè)庫存調(diào)整時間可能拉長。   展望今年全年IC封裝測試產(chǎn)業(yè)表現(xiàn),IEK ITIS計劃指出,雖然高階
  • 關(guān)鍵字: IC封測  CMOS  

CMOS圖像傳感器的發(fā)展走向

  •   CMOS圖像傳感器能夠快速發(fā)展,一是基于XMOS技術(shù)的成熟,二是得益于固體圖像傳感器技術(shù)的研究成果。進入20世紀(jì)90年代,關(guān)于CMOS圖像傳感器的研究工作開始活躍起來。蘇格蘭愛丁堡大學(xué)和瑞典Linkoping大學(xué)的研究人員分別進行了低成本的單芯片成像系統(tǒng)開發(fā),美國噴氣推進實驗室研究開發(fā)了高性能成像系統(tǒng),其目標(biāo)是滿足NASA對高度小型化、低功耗成像系統(tǒng)的需要。他們在CMOS圖像傳感器研究方面取得了令人滿意的結(jié)果,并推動了CMOS圖像傳感器的快速發(fā)展。   當(dāng)前研究開發(fā)CMOS圖像傳感器的機構(gòu)很多,其中
  • 關(guān)鍵字: CMOS  圖像傳感器  

CMOS面陣圖像傳感器之高動態(tài)光照渲染技術(shù)

  • 高動態(tài)范圍(HDR)高動態(tài)范圍(HDR)成像的一個特色,是可用來拍攝最亮和最暗區(qū)域之間具有寬對比度的圖像。通過擴展動態(tài)范圍,它有助于使此類圖像看起來更為自然。東芝公司的圖像傳感器已開發(fā)了HDR功能,可以糾正對比度高
  • 關(guān)鍵字: 渲染  技術(shù)  光照  動態(tài)  圖像  傳感器  CMOS  

CMOS面陣圖像傳感器之高動態(tài)光照渲染技術(shù)頁面發(fā)布

  • 高動態(tài)范圍(HDR)成像的一個特色,是可用來拍攝最亮和最暗區(qū)域之間具有寬對比度的圖像。通過擴展動態(tài)范圍,它有助于使此類圖像看起來更為自然。東芝公司的圖像傳感器已開發(fā)了HDR功能,可以糾正對比度高的場景,產(chǎn)生更自然的靜態(tài)和視頻拍攝圖像。東芝的HDR功能,減少了由于HDR合成而產(chǎn)生的固有的模糊和假色,提供更為流暢和清晰的視頻。
  • 關(guān)鍵字: 東芝  HDR  傳感器  視頻  

Avago于28nm CMOS工藝達成32Gbps的SerDes性能

  • Avago Technologies (Nasdaq: AVGO)為有線、無線和工業(yè)應(yīng)用模擬接口零組件領(lǐng)先供應(yīng)商宣布其28nm串行/解串器(SerDes)核心已經(jīng)達到32Gbps的性能,并且可以承受高達40dB的通道損耗,這個最新的SerDes核心不僅僅重新定義了芯片到芯片、連接端口和背板等接口可達到的數(shù)據(jù)率,并且反映了Avago為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)應(yīng)用提供領(lǐng)先解決方案的持續(xù)承諾。
  • 關(guān)鍵字: Avago  CMOS  SerDes  

CMOS集成電路設(shè)計(三):接口電路詳解

  • 二、其它器件驅(qū)動CMOS集成電路  1.TTL-CMOS集成電路的接口  利用集電極開路的TTL門電路可以方便靈活 ...
  • 關(guān)鍵字: CMOS  集成電路  接口電路  
共984條 29/66 |‹ « 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 » ›|

hdr-cmos介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條hdr-cmos!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對hdr-cmos的理解,并與今后在此搜索hdr-cmos的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473