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hdr-cmos 文章 進(jìn)入hdr-cmos技術(shù)社區(qū)
CMOS數(shù)字隔離器為智能電表中的應(yīng)用
- 未來(lái)幾年由于消費(fèi)者對(duì)傳統(tǒng)機(jī)電式電表的更新?lián)Q代,智能電表市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以每年兩位數(shù)的速度增長(zhǎng)。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進(jìn)行精確測(cè)量并報(bào)告消耗的電量,智能電表比機(jī)電式電表復(fù)雜,但更加注重測(cè)量數(shù)據(jù)的完
- 關(guān)鍵字: CMOS 數(shù)字隔離器 智能電表 中的應(yīng)用
一種帶有增益提高技術(shù)的高速CMOS運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)
- 摘要:設(shè)計(jì)了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運(yùn)算放大器。主運(yùn)放采用帶開(kāi)關(guān)電容共模反饋的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu),利用增益提高和三支路電流基準(zhǔn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)一個(gè)可用于12~14bit精度,100MS/s采樣頻率的高速流
- 關(guān)鍵字: CMOS 增益提高 運(yùn)算 放大器設(shè)計(jì)
AMD明年啟用28nm CMOS工藝
- AMD公司高級(jí)副總裁兼首席技術(shù)官M(fèi)ark Papermaster表示,AMD在2013年芯片生產(chǎn)工藝將有重大變化,將完全從現(xiàn)有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造,AMD并不打算作出任何改變。目前南方群島系列GPU,已經(jīng)采用臺(tái)積電28nm工藝,而AMD秋季即將推出的海島系列GPU將繼續(xù)采用相同工藝,海島系列GPU已經(jīng)進(jìn)入樣品試生產(chǎn)階段,在2012年年底開(kāi)始生批量生產(chǎn),在2013年第一季度正式發(fā)布。 在評(píng)論異構(gòu)系統(tǒng)架構(gòu)(HSA)聯(lián)盟,是否用來(lái)應(yīng)對(duì)英特爾和NVIDI
- 關(guān)鍵字: ARM CMOS
一種新型高速CMOS全差分運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)
- 摘要:設(shè)計(jì)了一種基于流水線模/數(shù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)應(yīng)用的低壓高速CMOS全差分運(yùn)算放大器。該運(yùn)放采用了折疊式共源共柵放大結(jié)構(gòu)與一種新型連續(xù)時(shí)間共模反饋電路相結(jié)合以達(dá)到高速度及較好的穩(wěn)定性。設(shè)計(jì)基于SMIC 0.25mu;m CM
- 關(guān)鍵字: CMOS 全差分 放大器設(shè)計(jì) 運(yùn)算
聯(lián)電與星國(guó)微電子開(kāi)發(fā)TSV技術(shù)
- 聯(lián)華電子與新加坡科技研究局旗下的微電子研究院今天宣布,將合作進(jìn)行應(yīng)用在背面照度式CMOS影像感測(cè)器的TSV技術(shù)開(kāi)發(fā),透過(guò)這項(xiàng)技術(shù),包括智慧手機(jī)、數(shù)位相機(jī)與個(gè)人平板電腦等行動(dòng)電子產(chǎn)品,里面所采用的數(shù)百萬(wàn)像素影像感測(cè)器,都可大幅提升產(chǎn)品效能、降低成本、體積減少。 聯(lián)電指出,市場(chǎng)上對(duì)于持續(xù)縮小像素,又能兼顧效能的需求,日益增強(qiáng),帶動(dòng)CMOS影像感測(cè)技術(shù)興起,而背面照度式技術(shù)則普遍被視為能夠讓微縮到微米級(jí)大小的像素,仍保有優(yōu)異效能的解決方案。 聯(lián)電指出,這次專案目標(biāo),希望提影像感測(cè)器靈敏度,支援更
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)華 CMOS 微電子
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