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IMEC探討10nm以下制程變異

  • 　　在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當(dāng)我們邁入10nm節(jié)點(diǎn)后，控制制程復(fù)雜性和變異，將成為能否驅(qū)動(dòng)技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時(shí)舉行的IMEC Technology Forum上表示。 　　明天的智慧系統(tǒng)將會(huì)需要更多的運(yùn)算能力和儲(chǔ)存容量，這些都遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)今天的處理器和記憶體所能提供的極限。而這也推動(dòng)了我們對(duì)晶片微縮技術(shù)的需求。 　　在演講中，Steegen了解釋IMEC 如何在超越10nm以后繼續(xù)推動(dòng)晶片微縮。在10nm之后，或許還
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基于DSP內(nèi)嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設(shè)計(jì)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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3GHz～5GHz CMOS超寬帶低噪聲放大器設(shè)計(jì)

  • 超帶寬UWB(Ultra-Wideband)技術(shù)具有抗干擾能力強(qiáng)、傳輸速率高、帶寬極寬、功耗傳輸?shù)偷葍?yōu)勢(shì)，近年來(lái)已成為國(guó)內(nèi)外的研究熱點(diǎn)，并在短距離傳輸、高速無(wú)線LAN和成像處理等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用[1]。不論在傳統(tǒng)的無(wú)線接收結(jié)
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詳解背照式CMOS傳感器結(jié)構(gòu)和原理

  • 背照式CMOS傳感器詳細(xì)解讀時(shí)代發(fā)展，技術(shù)進(jìn)步。數(shù)碼相機(jī)的各種新技術(shù)層出不窮，導(dǎo)致消費(fèi)者面對(duì)廠家宣傳或者是相機(jī)參數(shù)列表中的一些專業(yè)詞匯，一般都會(huì)感到非常難于理解，以致影響到購(gòu)機(jī)前的判斷。所以我們數(shù)碼相機(jī)頻
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采用CMOS雙D觸發(fā)器CD4013的脈沖寬度檢測(cè)電路設(shè)計(jì)

  • D觸發(fā)器的常規(guī)使用一般是用作二分頻器、計(jì)數(shù)器或移位寄存器。然而，只要對(duì)D觸發(fā)器的外圍電路加以改進(jìn)，根據(jù)其基本邏輯功能。就可充分發(fā)揮其獨(dú)特的作用。數(shù)字裝置中常用的脈沖寬度檢測(cè)電路，對(duì)脈沖信號(hào)的寬度進(jìn)行識(shí)別
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基于CMOS工藝的新型集成運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

  • 集成電路，即integrated circuit，這是一種微型電子器件或部件，按功能可劃分為數(shù)字和模擬兩大類。而模擬集成電路一般用于模擬信號(hào)的產(chǎn)生和處理，有很多種種類，比如集成運(yùn)算放大器、集成鎖相環(huán)、集成功率放大器、集
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ARM 9平臺(tái)下的CMOS圖像傳感器數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

  • ARM 9平臺(tái)下的CMOS圖像傳感器數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),引言隨著CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)的發(fā)展及市場(chǎng)需求的增加，CMOS圖像傳感器得以迅速發(fā)展。由于采用了CMOS技術(shù)，可以將像素陣列與外圍支持電路(如圖像傳感器核心、單一時(shí)鐘、所有的時(shí)序邏輯、可編程功能和A／D轉(zhuǎn)
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ARM9平臺(tái)下的CMOS圖像傳感器數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

  • 引言隨著CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)的發(fā)展及市場(chǎng)需求的增加，CMOS圖像傳感器得以迅速發(fā)展。由于采用了C ...
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基于CMOS工藝的RF集成電路設(shè)計(jì)

  • 近年來(lái)，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過(guò)1GHz，這無(wú)疑推動(dòng)了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個(gè)研究組已利用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝開(kāi)發(fā)出高性能的下
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Rfaxis手持設(shè)備CMOS Wi-Fi射頻前端設(shè)計(jì)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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一種應(yīng)用于ARM7的CMOS圖像采集系統(tǒng)

  • Samsung公司的S3C4510B是基于以太網(wǎng)系統(tǒng)高性價(jià)比的16/32位RISC微控制器，內(nèi)含一個(gè)由ARM公司設(shè)計(jì)的16/32位 ARM7TDMI RISC處理器核，ARM7TDMI為低功耗、高性能的16/32核，它具有0.9MIPS/MHz的三級(jí)流水線結(jié)構(gòu)，支持32位
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CMOS互補(bǔ)（推挽）放大器

  • 互補(bǔ)（推挽）放大器就是一個(gè)inverter 。數(shù)字電路中的工作區(qū)域是穩(wěn)態(tài)區(qū)，總有一個(gè)管子處于截止?fàn)顟B(tài)。模擬電路中的工作區(qū)域是處于兩種穩(wěn)態(tài)之間的過(guò)渡區(qū)，兩個(gè)MOS管都處于飽和態(tài)。設(shè)通過(guò)兩個(gè)MOS管的直流電流相等，Id1=I
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CMOS隔離器: 醫(yī)療電子系統(tǒng)的安全保障

  • CMOS隔離器: 醫(yī)療電子系統(tǒng)的安全保障,交流供電的醫(yī)療電子系統(tǒng)安全標(biāo)準(zhǔn)要求電流隔離，以保護(hù)病人和操作員免于觸電危險(xiǎn)。由于導(dǎo)體直接連接儀器和病人，其上面附著的液體和凝膠更增加了觸電風(fēng)險(xiǎn)；因此用于這些系統(tǒng)的隔離器必須耐用和可靠。光耦合器和變壓器
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建立一個(gè)更簡(jiǎn)單的CMOS單防區(qū)報(bào)警的方法

  • 說(shuō)明　　這是一個(gè)簡(jiǎn)單的單區(qū)防盜報(bào)警電路。它的功能包括自動(dòng)出入境延誤和定時(shí)貝爾/警報(bào)器停產(chǎn)。它的設(shè)計(jì)是與常閉類型的輸入設(shè)備的正常使用，例如 - 磁簧聯(lián)系方式 - 微動(dòng)開(kāi)關(guān) - 鋁箔膠帶 - 和PIRs。但它可以很容易地修
  • 關(guān)鍵字： 報(bào)警  方法  防區(qū)  CMOS  一個(gè)  簡(jiǎn)單  建立  

構(gòu)建基于一個(gè)CMOS單防區(qū)報(bào)警器的方法

  • 　　該電路具有自動(dòng)出入延誤 - 計(jì)時(shí)鐘切斷 - 和系統(tǒng)重置。它為常開(kāi)和常閉開(kāi)關(guān)提供 - 并將滿足通常的輸入設(shè)備(壓力墊，磁簧接觸，鋁箔膠帶，PIRs和慣性傳感器)。　　如果綠色指示燈不亮 - 一個(gè)開(kāi)放的窗口或門等檢查一
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hdr-cmos介紹

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