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基于CMOS工藝的鋰聚合物電池保護電路設(shè)計

  • 1 引言  鋰電池產(chǎn)品以高能量密度、長循環(huán)壽命、快速充放電、高電池電壓、工作溫度范圍廣、無記憶等優(yōu)異特性占據(jù)了市場很大份額。然而,鋰電池產(chǎn)品在充放電過程中的過充電、過放電、放電過電流及其它異常狀態(tài)(例如
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卓然發(fā)布單晶片COACH 14數(shù)碼相機處理器

  • 為數(shù)億部數(shù)碼相機提供SOC解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商卓然公司﹝納斯達克證券交易所代碼:ZRAN﹞日前宣布,其高度集成的COACH 14數(shù)碼相機處理器平臺可用于3D、全高清視頻、混合型及單電數(shù)碼相機。
  • 關(guān)鍵字: 卓然  CMOS  COACH 14  

Amalfi推出第二代CMOS功率放大器體系A(chǔ)daptiveRF

  •   手機高級功率放大器解決方案的新領(lǐng)軍人 Amalfi Semiconductor日前宣布推出前端 GSM/GPRS 蜂窩手機用 CMOS 發(fā)射模塊,該模塊是世界上最經(jīng)濟的高性能模塊。利用體效應(yīng)互補金屬氧化物半導(dǎo)體工藝自身的可擴展性,AdaptiveRF 體系結(jié)構(gòu)可融合高度集成的派生功能,包括交換機和復(fù)合濾波器,可不斷大幅降低前端產(chǎn)品的成本、體積和功耗。  
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CCD和CMOS主要技術(shù)分析

  • CCD和CMOS是當前主要的兩項成像技術(shù),它們產(chǎn)生于不同的制造工藝背景,就當前技術(shù)言仍各具優(yōu)劣。選擇CCD或CMOS攝像機應(yīng)依據(jù)適用環(huán)境和要求,合適選用CCD或CMOS技術(shù),便能使圖像監(jiān)控達到預(yù)期的效果。另外,還可看到,C
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提高共源共柵CMOS功率放大器效率的方案

  • 摘要:利用共源共柵電感可以提高共源共柵結(jié)構(gòu)功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的設(shè)計方案,使用CMOS工藝設(shè)計了兩級全差分放大電路,在此基礎(chǔ)上設(shè)計輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)
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基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準

  • 摘要:傳統(tǒng)基準電路主要采用帶隙基準方案,利用二級管PN結(jié)具有負溫度系數(shù)的正向電壓和具有正溫度系數(shù)的VBE電壓得出具有零溫度系數(shù)的基準。針對BJT不能與標準的CMOS工藝兼容的缺陷,利用NMOS和PMOS管的兩個閾值電壓VT
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全CMOS基準電壓源的分析與仿真

  • 摘要:文章基于CMOS 0.18mu;m工藝,在Hspice下,對四利PMOS管基準電壓源進行了分析和仿真,文中給出了每種電路仿真時的電路參數(shù)和仿真結(jié)果。
    關(guān)鍵詞:基準電壓;CMOS集成電路;Hspice

    0 引言
    模擬電路廣泛
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艾克賽利將介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM-IMG模型的應(yīng)用

  •   艾克賽利(Accelicon),器件級建模驗證以及PDK解決方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國際絕緣體上硅大會(2011 IEEE International SOI Conference),并在會上介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM-IMG模型的應(yīng)用情況。
  • 關(guān)鍵字: 艾克賽利  CMOS  

鎖存繼電器的CMOS電路研究

  • 圖1中電路會根據(jù)一個脈沖,切換一個DPDT(雙刀雙擲)鎖存繼電器的狀態(tài)。它包括一個瞬動開關(guān)至步進電壓信號發(fā)生器,一個差分脈沖轉(zhuǎn)換器,一個繼電器驅(qū)動器,以及一個繼電器線圈?! ∷矂娱_關(guān)提供驅(qū)動電路的步進電壓信
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2.4GHz 0.35-μm CMOS全集成線性功率放大器設(shè)計

  • 摘要:片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過分析和對比各類功率放大器的特點,電路采用SMIC0.35-mu;mCMOS工藝設(shè)計2.4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設(shè)計的功率放大器采用不同結(jié)構(gòu)的兩級放大
  • 關(guān)鍵字: 4GHz  CMOS  35  集成    

用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

  • 我們發(fā)現(xiàn)日益改進的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法,這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點,新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計空間,使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終,通過構(gòu)成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層,晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關(guān)鍵作用。

  • 關(guān)鍵字: CMOS  器件  功效  功率  提高  MOSFET  方案  非傳統(tǒng)  

一種全集成型CMOS LDO線性穩(wěn)壓器設(shè)計

  • 摘要:設(shè)計了一種基于0.25 mu;m CMOS工藝的低功耗片內(nèi)全集成型LDO線性穩(wěn)壓電路。電路采用由電阻電容反饋網(wǎng)絡(luò)在LDO輸出端引入零點,補償誤差放大器輸出極點的方法,避免了為補償LDO輸出極點,而需要大電容或復(fù)雜補償
  • 關(guān)鍵字: 穩(wěn)壓器  設(shè)計  線性  LDO  成型  CMOS  全集  

一種12位50 MS/s CMOS流水線A/D轉(zhuǎn)換器

  • 摘要:采用TSMC 0.18 mu;m 1P6M工藝設(shè)計了一個12位50 MS/s流水線A/D轉(zhuǎn)換器(ADC)。為了減小失真和降低功耗,該ADC利用余量增益放大電路(MDAC)內(nèi)建的采樣保持功能,去掉了傳統(tǒng)的前端采樣保持電路,采用時間常數(shù)匹配
  • 關(guān)鍵字: 流水線  轉(zhuǎn)換器  CMOS  MS  12位  一種  

思比科微電子籌備上市:已完成股份制改造

  •   7月10日,北京思比科微電子董事長陳杰在東莞松山湖IC創(chuàng)新高峰論壇上透露,公司已于去年12月完成公司股份制改造,現(xiàn)已進入創(chuàng)業(yè)板輔導(dǎo)流程。
  • 關(guān)鍵字: 思比科  CMOS  

APTINA榮獲成像技術(shù)創(chuàng)新大獎

  • CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新廠商Aptina公司宣布其Aptina MobileHDR 技術(shù)最近在6Sight Mobile Imaging Summit上榮獲國際成像行業(yè)協(xié)會(International Imaging Industry Association, I3A)頒發(fā)VISION 2020成像技術(shù)創(chuàng)新銅獎。
  • 關(guān)鍵字: Aptina  CMOS  
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