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一種基于PWM的CMOS誤差放大器的設計

  • 摘要：為解決PWM控制器中輸出電壓與基準電壓的誤差放大問題，設計了一款高增益、寬帶寬、靜態(tài)電流小的新型誤差放大器，通過在二級放大器中間增加一級緩沖電路，克服補償電容的前饋效應，同時消除補償電容引入的零點。
  • 關鍵字： CMOS  PWM  誤差放大器    

一種低壓高線性CMOS模擬乘法器設計

  • 摘要：提出了一種新穎的CMOS四象限模擬乘法器電路，該乘法器基于交叉耦合平方電路結構，并采用減法電路來實現(xiàn)。它采用0．18mu;m CMOS工藝，使用HSPICE軟件仿真。仿真結果顯示，該乘法器電路在1．8 V的電源電壓下工作
  • 關鍵字： 法器  設計  模擬  CMOS  線性  低壓  

0．6 V CMOS軌至軌運算放大器

  • 摘要：為適應低壓低功耗設計的應用，設計了一種超低電源電壓的軌至軌CMOS運算放大器。采用N溝道差分對和共模電平偏移的P溝道差分對來實現(xiàn)軌至軌信號輸入。當輸入信號的共模電平處于中間時，P溝道差分對的輸入共模電平
  • 關鍵字： CMOS  軌至軌  運算放大器    

基于0．5μm CMOS工藝的一款新型BiCMOS集成運算放

  • 摘要：為了提高運算放大器的驅(qū)動能力，依據(jù)現(xiàn)有CMOS集成電路生產(chǎn)線，介紹一款新型BiCMOS集成運算放大電路設計，探討B(tài)iCMOS工藝的特點。在S-Edit中進行“BiCMOS運放設計”電路設計，并對其電路各個器件參數(shù)
  • 關鍵字： BiCMOS  CMOS  工藝  放大器設計    

電荷泵型LED驅(qū)動器的CMOS誤差放大器設計

  • 結合電荷泵型LED驅(qū)動器的工作要求，從減小輸出電壓紋波、穩(wěn)定輸出電壓出發(fā)，設計了一款誤差放大器。該誤差放大器具有較大的工作電壓范圍，使電荷泵型LED驅(qū)動器高效率低噪聲工作?；贑HRT 0．35μm CMOS MIXEDSIGNAL TECHNOLOGY進行仿真，結果表明，在2．7～5 V工作電壓范圍內(nèi)，開環(huán)電壓增益約等于72 dB，相位裕度約等于65°，單位增益帶寬約等于4．6 MHz，共模抑制比CMRR約等于113 dB，電源抑制比PSRR約等于100 dB。
  • 關鍵字： 放大器  設計  誤差  CMOS  LED  驅(qū)動器  電荷  

L-系列CMOS自掃描光電二極管陣列

FDSOI韜光養(yǎng)晦以待時變

  • 　　半導體產(chǎn)業(yè)遵循摩爾定律發(fā)展已有數(shù)十年，生命力之強大令人敬畏，這種生命力的背后是馬不停蹄的技術創(chuàng)新，每一個革新技術都為產(chǎn)業(yè)注入前行的動力。SOI(Silicon on Insulator，絕緣體上的硅)技術就是其中之一。 　　
  • 關鍵字： 晶體管  CMOS  

基于噪聲消除技術的CMOS超寬帶LNA設計

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： 噪聲消除  CMOS  超寬帶  LNA  噪聲  

影響CMOS單電源放大器的THD+N性能的因素

  • 自上市以來，CMOS單電源放大器就讓全球的單電源系統(tǒng)設計人員受益非淺。影響雙電源放大器總諧波失真加噪...
  • 關鍵字： CMOS  

分析泄漏功率攻擊采用90nm CMOS技術的加密器件

  • 泄漏電流可能被用于攻擊加密系統(tǒng)。在電子商務與電子銀行等應用中，安全要求越來越嚴格。雖然加密技術...
  • 關鍵字： CMOS  

安森美收購賽普拉斯CMOS圖像傳感器業(yè)務部

  • 　　安森美半導體(ON Semiconductor)及賽普拉斯半導體公司(Cypress Semiconductor)宣布已簽署正式協(xié)議，安森美半導體將以約3,140萬美元的全現(xiàn)金交易收購賽普拉斯的CMOS圖像傳感器業(yè)務部(ISBU)。是項交易將根據(jù)例定成交條件(customary closing conditions)預計將在2011年第一季度底完成。 　　賽普拉斯提供寬廣陣容的高性能定制及標準CMOS圖像傳感器，用于數(shù)百萬像素數(shù)碼攝影及電影攝影、機器視覺、線性及二維(2D)條形碼成像、醫(yī)療X射線成像
  • 關鍵字： 安森美  CMOS  傳感器  

安森美收購賽普拉斯CMOS圖像傳感器業(yè)務部

  • 　　安森美半導體(ON Semiconductor)及賽普拉斯半導體公司(Cypress Semiconductor)宣布已簽署正式協(xié)議，安森美半導體將以約3,140萬美元的全現(xiàn)金交易收購賽普拉斯的CMOS圖像傳感器業(yè)務部(ISBU)。是項交易將根據(jù)例定成交條件(customary closing conditions)預計將在2011年第一季度底完成。 　　
  • 關鍵字： 安森美  CMOS  

賽普拉斯宣布其觸摸屏控制器的產(chǎn)能將擴充三倍

  • 　　賽普拉斯半導體公司日前宣布，將大幅提高其快速增長的TrueTouch觸摸屏控制器的產(chǎn)能。賽普拉斯位于明尼蘇達州布魯明頓市的四號工廠及其主要的代工伙伴宏力半導體公司將在2010年的基礎上，將2011年的S8工藝線產(chǎn)能提高三倍。擴產(chǎn)計劃已排上日程，首批擴充產(chǎn)能預計在2011年第一季度即可投產(chǎn)，全部擴充計劃預計在2011年第三季度完成。 　　除了TrueTouch產(chǎn)品，賽普拉斯還將在S8工藝線上生產(chǎn)其PSoC 3 和 PSoC 5、CapSense 和NVSRAM產(chǎn)品。賽普拉斯的S8工藝基于0.13-微米
  • 關鍵字： Cypress  TrueTouch  CMOS  SONOS  

采用噪聲消除技術的3～5 GHz CMOS超寬帶LNA設計

  • 本文基于SM IC 0. 18μm RF CMOS工藝,設計了可以工作于3～5 GHz頻段的超寬帶低噪聲放大器。對電路的輸入匹配和增益進行了分析,對噪聲消除技術進行了推導。仿真結果表明,該放大器在工作頻帶內(nèi)的各項指標滿足超寬帶系統(tǒng)應用。
  • 關鍵字： CMOS  GHz  LNA  噪聲消除    

瑞薩開發(fā)出在邏輯LSI中混載DRAM的技術

  • 　　瑞薩電子開發(fā)出了利用與標準CMOS工藝相近的方法在邏輯LSI中混載DRAM的技術。該項技術面向28nm工藝以后的產(chǎn)品，瑞薩電子將把該工藝的SoC(System on a Chip)生產(chǎn)全面委托給代工企業(yè)?！?/li>
  • 關鍵字： 瑞薩  DRAM  CMOS  
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