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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案推動(dòng)2D/3D IC升級(jí)

比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國(guó)際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結(jié)構(gòu)，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）透過(guò)這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過(guò)奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對(duì)
關(guān)鍵字： imec 晶背供電邏輯IC 布線 3D IC

2021-2022年度（第五屆）中國(guó) IC 獨(dú)角獸榜單出爐

集成電路是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國(guó)家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，是世界主要國(guó)家和地區(qū)搶占工業(yè)經(jīng)濟(jì)制高點(diǎn)的必爭(zhēng)領(lǐng)域。為了進(jìn)一步鼓勵(lì)我國(guó)具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力和投資價(jià)值的集成電路企業(yè)健康快速發(fā)展，進(jìn)一步總結(jié)企業(yè)發(fā)展的成功模式，挖掘我國(guó)集成電路領(lǐng)域的優(yōu)秀創(chuàng)新企業(yè)，對(duì)優(yōu)秀企業(yè)進(jìn)行系統(tǒng)化估值，提升企業(yè)的國(guó)際和國(guó)內(nèi)影響力。在連續(xù)成功舉辦四屆遴選活動(dòng)的基礎(chǔ)上，由賽迪顧問(wèn)股份有限公司、北京芯合匯科技有限公司聯(lián)合主辦的2021-2022（第五屆）中國(guó)IC獨(dú)角獸遴選活動(dòng)歷時(shí)兩個(gè)月，收到企業(yè)自薦及機(jī)構(gòu)推薦
關(guān)鍵字： IC 獨(dú)角獸

不畏亂流半導(dǎo)體市場(chǎng)逆風(fēng)揚(yáng)

隨著全球通膨疑慮升高及能源成本飆升，加上大陸因疫情實(shí)施封控，以及俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)懸而未決，經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)對(duì)今年全球經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)將造成挑戰(zhàn)，但包括Gartner及IC Insights等市調(diào)機(jī)構(gòu)仍預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)仍會(huì)較去年成長(zhǎng)一成以上。IC Insights表示，今年全球半導(dǎo)體總銷售額仍可年增11％，與今年初預(yù)測(cè)相同，但外在變化造成的不確定性，導(dǎo)致芯片銷售成長(zhǎng)幅度或有消長(zhǎng)。其中，微處理器及功率分離式組件銷售將高于先前預(yù)期，包括嵌入式處理器及手機(jī)應(yīng)用處理器成長(zhǎng)強(qiáng)勁，功率組件價(jià)格續(xù)漲且成長(zhǎng)幅度增加，至于CMOS影像傳感器
關(guān)鍵字： Gartner IC Insights 半導(dǎo)體市場(chǎng)

2022年傳感器和致動(dòng)器成長(zhǎng)15% 離散組件將回復(fù)正常水平

IC Insights日前發(fā)布報(bào)告指出，由于COVID-19造成的隔離和短缺因素，使得2021年全球光電組件產(chǎn)品、傳感器和致動(dòng)器，以及離散組件 (O-S-D)的銷售額，均出現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的成長(zhǎng)。但CMOS影像傳感器卻因美中對(duì)抗和某些系統(tǒng)因素，沒(méi)有相對(duì)應(yīng)的結(jié)果。根據(jù)IC Insights一月半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)報(bào)告，2021年OSD總收入首次突破1000億美元，與2020年的883億美元相比，增加18%至1042億美元，當(dāng)時(shí)三個(gè)市場(chǎng)的總銷售額成長(zhǎng)不到3 %。報(bào)告顯示，OSD總銷售額占2021年全球6139億美元半導(dǎo)體市場(chǎng)
關(guān)鍵字： ?IC Insights 傳感器致動(dòng)器離散組件

IC PARK 年度盛事圓滿收官！業(yè)界翹楚云端論劍，引爆中國(guó)“芯”思潮

12月10日，第五屆“芯動(dòng)北京”中關(guān)村IC產(chǎn)業(yè)論壇、“華為杯”第四屆中國(guó)研究生創(chuàng)“芯”大賽決賽開(kāi)幕式以線上云會(huì)議的方式召開(kāi)。今年是“十四五”規(guī)劃開(kāi)局之年，本次會(huì)議在北京市委書(shū)記蔡奇提出的“舉全市之力做大做強(qiáng)集成電路產(chǎn)業(yè)”指示精神的背景下，高度聚焦集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，邀請(qǐng)了來(lái)自國(guó)內(nèi)外“政產(chǎn)學(xué)研用”領(lǐng)域嘉賓齊聚一堂，圍繞創(chuàng)“芯”機(jī)、育“芯”才等主題進(jìn)行深入交流，探討當(dāng)前形勢(shì)下我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)如何應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)，共繪集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展新藍(lán)圖。北京市委常委、副市長(zhǎng)殷勇，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)設(shè)計(jì)分會(huì)理事長(zhǎng)魏少軍，創(chuàng)“芯”大賽
關(guān)鍵字： IC PARK 芯動(dòng)北京

新思Fusion Compiler協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)超過(guò)500次投片

新思科技宣布其旗艦產(chǎn)品Fusion Compiler RTL至GDSII解決方案自 2019推出以來(lái)，已協(xié)助用戶累積超過(guò)500次投片，此項(xiàng)成就擴(kuò)展了新思科技在數(shù)字設(shè)計(jì)實(shí)作領(lǐng)域的地位。使用 Fusion Compiler進(jìn)行設(shè)計(jì)投片的客戶涵蓋領(lǐng)先業(yè)界的半導(dǎo)體公司40至3奈米制程節(jié)點(diǎn)，橫跨高效能運(yùn)算(high-performance computing; HPC)、人工智能(AI)與第五代行動(dòng)通訊等高成長(zhǎng)的垂直市場(chǎng)。新思科技Fusion Compiler具備統(tǒng)一架構(gòu)和優(yōu)化引擎，可促進(jìn)達(dá)成簽核準(zhǔn)確度(signo
關(guān)鍵字：新思 Fusion Compiler

新思科技PrimeSim可靠性分析解決方案加速任務(wù)關(guān)鍵型IC設(shè)計(jì)超收斂

經(jīng)晶圓廠認(rèn)證的全生命周期可靠性簽核有助于預(yù)防汽車、醫(yī)療和5G芯片設(shè)計(jì)中的過(guò)度設(shè)計(jì)和昂貴的后期ECO（工程變更指令）要點(diǎn)： ? 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的技術(shù)統(tǒng)一工作流程在整個(gè)產(chǎn)品生命周期內(nèi)提供符合ISO 26262等標(biāo)準(zhǔn)的高性能可靠性分析? 與PrimeSim? Continuum解決方案整合可無(wú)縫使用業(yè)界領(lǐng)先的仿真器進(jìn)行電遷移/IR壓降分析、MOS老化、高西格瑪Monte Carlo、模擬故障和其他可靠性分析? 與PrimeWave?設(shè)計(jì)環(huán)境整合
關(guān)鍵字：可靠性分析 IC

多家IC設(shè)計(jì)廠商證實(shí)：收到臺(tái)積電漲價(jià)通知

　　原標(biāo)題：多家IC設(shè)計(jì)廠商證實(shí)：收到臺(tái)積電漲價(jià)通知強(qiáng)調(diào)不影響合作關(guān)系　　8月25日，市場(chǎng)幾度傳出臺(tái)積電即將全線漲價(jià)，從最初的明年成熟制程上漲15%至20%、先進(jìn)制程漲幅達(dá)10%，到全面漲價(jià)20%，并從即日起生效。　　對(duì)此，據(jù)中央社報(bào)道，多家IC設(shè)計(jì)廠商證實(shí)收到臺(tái)積電漲價(jià)通知，并表示不會(huì)因而影響與臺(tái)積電的合作關(guān)系?！　C設(shè)計(jì)業(yè)者指出，臺(tái)積電包含7納米及5納米的先進(jìn)制程漲價(jià)約7%至9%，其余成熟制程代工價(jià)格漲幅約20%。　　此外，臺(tái)積電罕見(jiàn)未給客戶緩沖期，今天通知漲價(jià)隨即于今天生效，供應(yīng)鏈也緊急尋求因應(yīng)
關(guān)鍵字： IC 臺(tái)積電漲價(jià)

媒體稱明年晶圓代工價(jià)漲定了，臺(tái)積電：不評(píng)論

　　財(cái)聯(lián)社6月24日訊，據(jù)媒體報(bào)道，IC設(shè)計(jì)業(yè)者透露，明年初晶圓代工價(jià)格已經(jīng)敲定，不僅聯(lián)電8英寸和12英寸的晶圓代工價(jià)格續(xù)漲，晶圓代工龍頭臺(tái)積電也漲價(jià)，部分8英寸和12英寸制程價(jià)格上漲一到兩成，且12英寸制程漲幅高于8英寸。臺(tái)積電發(fā)言窗口表示，不評(píng)論價(jià)格問(wèn)題。
關(guān)鍵字： IC 晶圓廠臺(tái)積電

Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認(rèn)證

空間應(yīng)用電源需要在抗輻射技術(shù)環(huán)境中運(yùn)行，防止極端粒子相互作用及太陽(yáng)和電磁事件的影響，因?yàn)檫@類事件會(huì)降低空間系統(tǒng)的性能并干擾運(yùn)行。為滿足這一要求，Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）獲得了商業(yè)航天和國(guó)防空間應(yīng)用認(rèn)證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換電路提供了主要的開(kāi)關(guān)元件，包括負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電
關(guān)鍵字： MOSFET LET IC MCU

中國(guó)臺(tái)灣IC產(chǎn)值雙位成長(zhǎng)新常態(tài) 2021第一季整體較去年增長(zhǎng)25%

據(jù)WSTS統(tǒng)計(jì)，21Q1全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售值1,231億美元，較上季(20Q4)成長(zhǎng)3.6%，較2020年同期(20Q1)成長(zhǎng)17.8%；銷售量達(dá)2,748億顆，較上季成長(zhǎng)4.9%，較去年同期成長(zhǎng)22.7%；ASP為0.448美元，較上季衰退1.2%，較去年同期(20Q1)衰退4.0%。區(qū)域市場(chǎng)方面，中國(guó)大陸市場(chǎng)銷售值成長(zhǎng)幅度最高，較上季(20Q4)成長(zhǎng)8.9%，達(dá)到434億美元，較去年同期(20Q1)成長(zhǎng)25.6%；歐洲市場(chǎng)次之，較上季(20Q4)成長(zhǎng)8.8%，達(dá)到110億美元，較去年同期成長(zhǎng)8.7%；
關(guān)鍵字： IC

砥礪前行，推進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“芯”潮

南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院擁有未來(lái)通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導(dǎo)體器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，圍繞中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，培養(yǎng)工程專業(yè)人才，搭建跨國(guó)跨區(qū)域的校企合作與人才教育平臺(tái)，建立以工程創(chuàng)新能力為核心指標(biāo)的多元化機(jī)制，致力于對(duì)大灣區(qū)乃至全國(guó)的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強(qiáng)有力的支撐作用。其科研成果、產(chǎn)業(yè)推廣和人才培養(yǎng)成績(jī)斐然，在國(guó)產(chǎn)芯片發(fā)展浪潮中引人矚目。
關(guān)鍵字：集成電路微電子氮化鎵器件寬禁帶 IC GaN 202103

基于LCC拓?fù)涞?相輸入300W AC-DC LED電源

近年來(lái)，諧振變換器的熱度越來(lái)越高，被廣泛用于計(jì)算機(jī)服務(wù)器、電信設(shè)備、燈具和消費(fèi)電子等各種應(yīng)用場(chǎng)景。諧振變換器可以很容易地實(shí)現(xiàn)高能效，其固有的較寬的軟開(kāi)關(guān)范圍很容易實(shí)現(xiàn)高頻開(kāi)關(guān)，這是一個(gè)關(guān)鍵的吸引人的特性。本文著重介紹一個(gè)以半橋LCC諧振變換數(shù)字控制和同步整流為特性的300W電源。圖1所示的STEVAL-LLL009V1是一個(gè)數(shù)控300W電源。原邊組件包括PFC級(jí)和DC-DC功率級(jí)(半橋LCC諧振變換器)，副邊組件包括同步整流電路和STM32F334微控制器，其中STM32F334微控制器對(duì)DC-DC功率級(jí)
關(guān)鍵字： MOSFET IC

西門子和日月光推出新一代高密度先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)的支持技術(shù)

西門子數(shù)字化工業(yè)軟件宣布與日月光（ASE）合作推出新的設(shè)計(jì)驗(yàn)證解決方案，旨在幫助雙方共同客戶更便捷地建立和評(píng)估多樣復(fù)雜的集成電路（IC）封裝技術(shù)與高密度連接的設(shè)計(jì)，且能在執(zhí)行物理設(shè)計(jì)之前和設(shè)計(jì)期間使用更具兼容性與穩(wěn)定性的物理設(shè)計(jì)驗(yàn)證環(huán)境。新的高密度先進(jìn)封裝（HDAP）支持解決方案源于日月光參與的西門子半導(dǎo)體封裝聯(lián)盟（Siemens OSAT Alliance），該聯(lián)盟旨在推動(dòng)下一代IC設(shè)計(jì)更快地采用新的高密度先進(jìn)封裝技術(shù)，包括2.5D、3D IC 和扇出型晶圓級(jí)封裝（FOWLP）。日月光是半導(dǎo)體封裝和測(cè)
關(guān)鍵字： IC ASE

新思科技IC Compiler II技術(shù)助力Graphcore一次性成功實(shí)現(xiàn)數(shù)百億門級(jí)AI處理器的硅晶設(shè)計(jì)

要點(diǎn)：作為新思科技Fusion Platform的一部分，IC Compiler II憑借其行業(yè)領(lǐng)先的容量和吞吐量，加速實(shí)現(xiàn)了包含超過(guò)590億個(gè)晶體管的超大規(guī)模Colossus IPU新思科技RTL-to-GDS流程中針對(duì)AI硬件設(shè)計(jì)的創(chuàng)新優(yōu)化技術(shù)提供了同類最佳的性能、功率和區(qū)域（PPA）指標(biāo)集成式黃金簽核技術(shù)帶來(lái)可預(yù)測(cè)且收斂的融合設(shè)計(jì)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)零裕度流程新思科技（Synopsys, Inc., 納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）近日宣布，其行業(yè)領(lǐng)先的IC Compiler? II布局布線解決方案成
關(guān)鍵字：新思科技 IC Compiler II Graphcore