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10分鐘狂充80%電量！東風碳化硅功率模塊明年量產(chǎn)裝車

  • 近日消息，從東風汽車官方獲悉，東風碳化硅功率模塊項目課題已經(jīng)順利完成，將于2023年搭載東風自主新能源乘用車，實現(xiàn)量產(chǎn)。IGBT行業(yè)的門檻非常高，除了芯片的設(shè)計和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求，作為IGBT模塊的升級產(chǎn)品、第三代半導(dǎo)體，碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動新能源汽車電氣架構(gòu)從400V到800V的迭代，從而實現(xiàn)10分鐘充電80%，并進一步提升車輛續(xù)航里程，降低整車成本。同時，總投資2.8億元的功率模塊二期項
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吉利也要自制IGBT功率模塊，一期年產(chǎn)60萬套

  • 吉利招標平臺發(fā)布了一則《晶能微電子一期工廠改造項目監(jiān)理工程招標公告》。該公告指向，吉利加入IGBT封裝的自制隊伍。從開發(fā)走向制造晶能微電子一期工廠改造項目租賃樂坤產(chǎn)業(yè)園 A-3 的314單元約 5000 平萬米，建設(shè)年產(chǎn)60萬套IGBT 功率模塊的一期工廠，主要包括 3000 平方米的萬級潔凈室及實驗室，1000平方米的動力站，1000 平方米的倉庫及辦公區(qū)。本項目位于杭州市余杭區(qū)錢江經(jīng)濟開發(fā)區(qū)，杭州錢江經(jīng)濟開發(fā)區(qū)于2006年3月6日經(jīng)浙江省人民政府批準設(shè)立，是余杭區(qū)五大“產(chǎn)業(yè)平臺”之一，是連接杭州城東智
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半導(dǎo)體周期調(diào)整IGBT走強，頭部公司訂單飽滿紛紛擴產(chǎn)

  • 半導(dǎo)體周期雖然出現(xiàn)階段性調(diào)整，但受益于新能源汽車、新能源發(fā)電等需求推動，以IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）為代表的功率器件強勢增長，相關(guān)IGBT公司訂單量飽滿，產(chǎn)能供不應(yīng)求。車規(guī)級IGBT持續(xù)放量作為IGBT龍頭，斯達半導(dǎo)今年前三季度實現(xiàn)凈利潤達到5.9億元，同比增長1.21倍，增速超過營業(yè)收入，銷售毛利率達到41.07%，環(huán)比提升。在12月5日斯達半導(dǎo)三季度業(yè)績說明會上，公司高管介紹，近幾個季度營收增長主要驅(qū)動力來自公司產(chǎn)品在新能源汽車、光伏、儲能、風電等行業(yè)持續(xù)快速放量，市場份額不斷提高；隨著規(guī)模化效應(yīng)
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揭秘 IGBT 模塊封裝與流程

  • IGBT模塊是新一代的功率半導(dǎo)體電子元件模塊，誕生于20世紀80年代，并在90年代進行新一輪的改革升級，通過新技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在的IGBT模塊已經(jīng)成為集通態(tài)壓降低、開關(guān)速度快、高電壓低損耗、大電流熱穩(wěn)定性好等等眾多特點于一身，而這些技術(shù)特點正式IGBT模塊取代舊式雙極管成為電路制造中的重要電子器件的主要原因。近些年，電動汽車的蓬勃發(fā)展帶動了功率模塊封裝技術(shù)的更新迭代。目前電動汽車主逆變器功率半導(dǎo)體技術(shù)，代表著中等功率模塊技術(shù)的先進水平，高可靠性、高功率密度并且要求成本競爭力是其首先需要滿足的要求。功率器件模
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車規(guī)級IGBT，爆火

  • 11月25日，時代電氣發(fā)布公告稱，公司擬對控股子公司株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“中車時代半導(dǎo)體”）增資人民幣24.6億元，增資的資金用于中車時代半導(dǎo)體向公司購買汽車組件配套建設(shè)項目（包含IGBT項目）部分資產(chǎn)。天眼查顯示，近日，宜興中車時代半導(dǎo)體有限公司成立，注冊資本36億元。該公司由時代電氣、株洲芯連接零號企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙）共同持股，經(jīng)營范圍包含：半導(dǎo)體分立器件制造；半導(dǎo)體分立器件銷售；工程和技術(shù)研究和試驗發(fā)展；貨物進出口等。就在今年9月，時代電氣就已投資111億元加速擴產(chǎn)IGBT項
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純電動汽車用PMSM系統(tǒng)堵轉(zhuǎn)設(shè)計與應(yīng)用

  • 摘 要：介紹了一種純電動汽車用永磁同步電機系統(tǒng)的堵轉(zhuǎn)控制包含對原理、法規(guī)要求過程分析、測試方法及 策略控制應(yīng)用，通過對永磁同步電機的基本工作原理變換到堵轉(zhuǎn)的工作原理及帶來的問題的原因，通過建立堵 轉(zhuǎn)策略及仿真計算開展實施驅(qū)動電機和IGBT的溫度保護策略，并確立目標開展對驅(qū)動電機和IGBT選型設(shè)計， 通過仿真設(shè)計校核并通過臺架和整車實車測試驗證設(shè)計目標，驗證了系統(tǒng)性能，安全性高，在通過設(shè)計對整車 目標進行校核的同時，防止過度開發(fā)，降低了系統(tǒng)開發(fā)成本。關(guān)鍵詞：PMSM；PWM；堵轉(zhuǎn)；IGBT；載頻0
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新一代1700V IGBT7技術(shù)及其在電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用優(yōu)勢

  • EconoDUAL?3是一款經(jīng)典的IGBT模塊封裝，其上一代的1700V系列產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于級聯(lián)型中高壓變頻器、靜止無功發(fā)生器（SVG）和風電變流器，覆蓋了中功率和一部分大功率的應(yīng)用場合。隨著芯片技術(shù)的發(fā)展和市場對高功率密度IGBT模塊的需求增加，英飛凌已經(jīng)基于最新的1700V IGBT7技術(shù)開發(fā)了新一代的EconoDUAL?3模塊，并率先推出了900A和750A兩款新產(chǎn)品。本文首先分析了上一代最大電流等級600A的產(chǎn)品FF600R17ME4[1]在MVD和SVG中的典型應(yīng)用，然后介紹了1700V IG
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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析（上）

  • IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊，對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。英飛凌的IGBT數(shù)據(jù)手冊通常包含以下內(nèi)容：1. 封面，包括器件編號，IGBT技術(shù)的簡短描述，如果是帶共封裝續(xù)流二極管的器件，數(shù)據(jù)手冊也會包括二極管的功能，關(guān)鍵參數(shù)，應(yīng)用以及基本的封裝信息。2. 最大額定電氣參數(shù)和IGBT熱阻/二極管熱阻3. 室溫下的電氣特性，包括靜態(tài)和動態(tài)參數(shù)4. 25°C和150°C或175°C時的開關(guān)特性5. 電氣特性
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IGBT柵極驅(qū)動設(shè)計，關(guān)鍵元件該怎么選？

  • 柵極驅(qū)動中最關(guān)鍵的時刻是IGBT的開啟和關(guān)閉。我們的目標是快速執(zhí)行此功能，在IGBT開啟時噪音和振鈴最小。不過，上升/下降時間過快可能會導(dǎo)致不必要的振鈴和不良EMI，而上升/下降時間過慢會增加IGBT的開關(guān)損耗。柵極驅(qū)動中最關(guān)鍵的時刻是IGBT的開啟和關(guān)閉。我們的目標是快速執(zhí)行此功能，在IGBT開啟時噪音和振鈴最小。不過，上升/下降時間過快可能會導(dǎo)致不必要的振鈴和不良EMI，而上升/下降時間過慢會增加IGBT的開關(guān)損耗。圖1：DGD0216 的柵極驅(qū)動組件上圖展示的是來自Diodes的DGD0216柵極驅(qū)
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？

  • 提到軟開關(guān)技術(shù)，大家耳熟能詳?shù)挠辛汶妷洪_通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關(guān)斷ZCS（Zero current switching），同時，尤其是在現(xiàn)在的電源產(chǎn)品中，絕大多數(shù)的采用軟開關(guān)拓撲的電源產(chǎn)品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學(xué)提到ZVS時想到的主要功率器件搭檔，而不是IGBT。今天我就來嘮一嘮IGBT在軟開關(guān)拓撲中的應(yīng)用，IGBT是否能用于ZVS以及IGBT是否更適用于ZCS。長期以來，IGBT給人的印象就如農(nóng)
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如何抑制IGBT集電極過壓尖峰

  • 在過去的文章中，我們曾經(jīng)討論過IGBT在關(guān)斷的時候，集電極會產(chǎn)生電壓過沖的問題（回顧：IGBT集電極電壓超過額定電壓會發(fā)生什么？）。IGBT關(guān)斷時，集電極電流Ic迅速減小到0，急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感，產(chǎn)生感應(yīng)電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上，使IGBT承受高于平常的電壓應(yīng)力。哪怕這電壓尖峰時間很短，也可能對IGBT造成永久性損壞。di/dt與IGBT芯片特性有關(guān)，也與關(guān)斷時器件電流有關(guān)。當器件在短路或者過流狀態(tài)下關(guān)斷時，集電極電壓過沖會格外大，有可能超過額定值，從而損壞IGBT。所以如何抑制
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功率半導(dǎo)體冷知識之二：IGBT短路時的損耗

  • IGBT主要用于電機驅(qū)動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現(xiàn)。IGBT是允許短路的，完全有這樣的底氣，EconoDUAL?3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的數(shù)據(jù)手冊是這樣描述短路能力的，在驅(qū)動電壓不超過15V時，短路電流典型值是2400A，只要在10us內(nèi)成功關(guān)斷短路電流，器件不會損壞。IGBT的短路承受能力為短路保護贏得時間，驅(qū)動保護電路可以從容安全地關(guān)斷短路電流。短路能力不是免費的器
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具有故障存儲功能的數(shù)字化IGBT驅(qū)動器的設(shè)計

  • 摘要：針對軌道交通領(lǐng)域IGBT的使用要求，設(shè)計了一款基于可編程邏輯器件并具有故障存儲功能的數(shù)字化 驅(qū)動器。文章介紹了驅(qū)動器總體方案，設(shè)計了多電壓軌電源系統(tǒng)；分析了異常驅(qū)動信號對IGBT正常工作的危 害，并通過軟件算法實現(xiàn)了短脈沖抑制與超頻保護；電源欠壓會導(dǎo)致IGBT開關(guān)異常，使用欠壓檢測芯片進行 檢測并在發(fā)生欠壓故障時進行脈沖封鎖；針對短路故障，使用退飽和電路檢測并結(jié)合軟件時序進行保護；詳細 分析了IGBT開關(guān)過程各階段的不同特性，設(shè)計了可優(yōu)化開關(guān)性能的多等級開關(guān)電路；通過存儲芯片與可編程 邏輯
  • 關(guān)鍵字： 202206  存儲  數(shù)字化  IGBT  驅(qū)動器  

驅(qū)動電機控制器IGBT驅(qū)動電源設(shè)計與驗證

  • 摘要：本文介紹了一種新能源電動汽車上用驅(qū)動電機控制器IGBT驅(qū)動電源方案的設(shè)計分析及其驗證，通過 對基本Buck-boost拓撲研究變換到Flyback電路，通過對LTC1871電流驅(qū)動芯片的應(yīng)用設(shè)計、分析，設(shè)計反激變 壓器參數(shù)目標需求匹配驅(qū)動電路，通過PWM供電、NMOS驅(qū)動、電流檢測、反饋輸出電壓跟蹤閉環(huán)調(diào)節(jié)，實 現(xiàn)滿足一款I(lǐng)nfineon的驅(qū)動芯片1ED020I12芯片的驅(qū)動電路系統(tǒng)，本方案通過原理設(shè)計、電路仿真及電路臺架測 試，驗證了系統(tǒng)性能、安全性高，同時可以通過較少的外圍電路實現(xiàn)可靠的
  • 關(guān)鍵字： 202206  升降壓變換器  反激  反激變壓器  IGBT  脈寬調(diào)制  

英搏爾率先采用英飛凌750 V車規(guī)級分立式IGBT EDT2組件

  • 海英搏爾電氣股份有限公司，率先引入英飛凌科技股份有限公司最新推出750 V車規(guī)級IGBT ，包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2兩款型號。 這款分立式IGBT EDT2組件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動汽車主逆變器和直流鏈路放電開關(guān)的性能，并節(jié)約系統(tǒng)成本。除此之外，它們還能夠為設(shè)計師提供更大的自由度，有助于實現(xiàn)系統(tǒng)整合。英搏爾MCU技術(shù)總監(jiān)劉宏鑫表示：「英搏爾堅定不移地遵循使用分立式組件設(shè)計電機控制單元（MCU）的技術(shù)路線，不斷開發(fā)出高性價比的產(chǎn)品，從而始終保持
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igbt fs7介紹

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