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基于Intel PXA270的WinCE操作系統(tǒng)移植

  • 基于Intel PXA270的WinCE操作系統(tǒng)移植,隨著科學(xué)技術(shù)進(jìn)步和3G時(shí)代的到來,高性能PDA產(chǎn)品作為一種電子消費(fèi)品越來越受青睞。作為這些高性能的PDA產(chǎn)品核心的嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)是開發(fā)嵌入式應(yīng)用的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。向來以界面友好,易操作性,易開發(fā)性為賣點(diǎn)的Windows
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新款LGA1366處理器Core i7 930明年2月28日上市

  •   據(jù)Intel公司一份產(chǎn)品路線圖顯示,除了我們先前報(bào)道的六核Core i7 980X,以及酷睿2四核Q9500兩款處理器之外,還將于明年2月28日推出一款新的四核Nehalem處理器Core i7 930,這款處理器仍為LGA1366設(shè)計(jì),主頻2.8GHz,三級緩存容量為8MB,內(nèi)置三通道DDR3內(nèi)存控制器。   新款Core i7 930的售價(jià)將為284美元,TDP功耗為130W。
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用數(shù)據(jù)說話:Intel AMD 臺(tái)積電三大芯片廠商制程技術(shù)發(fā)展對比

  •   Intel很快便要推出其新款處理器,代號Westmere的32nm制程處理器。這款處理器在內(nèi)部架構(gòu)方面與現(xiàn)有的Nehalem近似。不過在制程方面 Intel則邁出了一大步,進(jìn)化到了32nm制程。在Intel的32nm制程技術(shù)中,他們將使用其第二代HKMG(High-k金屬門)技術(shù)。而相比之 下,其它的廠商的第一代HKMG技術(shù)都還沒有付諸實(shí)用。那么,Intel在新一輪的32nm制程競賽中的領(lǐng)先程度有多大呢?以下我們便為讀者進(jìn)行分析。   首先,我們把Intel和其最大的對手AMD,以及另一家代工企業(yè)臺(tái)
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Intel化合物半導(dǎo)體研究取得里程碑式突破

  •   Intel近日宣布在化合物半導(dǎo)體晶體管的研究中取得了里程碑式的重大突破,通過集成高K柵極獲得了更快的晶體管切換速度,消耗能量卻更少。Intel一直在研究將現(xiàn)在普遍適用的晶體管硅通道替換成某種化合物半導(dǎo)體材料,比如砷化鎵銦(InGaAs)。目前,此類晶體管使用的是沒有柵極介質(zhì)的肖特基柵極(Schottky gate),柵極漏電現(xiàn)象非常嚴(yán)重。   Intel現(xiàn)在為這種所謂的量子阱場效應(yīng)晶體管(QWFET)加入了一個(gè)高K柵極介質(zhì),并且已經(jīng)在硅晶圓基片上制造了一個(gè)原型設(shè)備,證明新技術(shù)可以和現(xiàn)有硅制造工藝相結(jié)
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Apple對Intel圖形芯片說NO

  •   來自國外科技網(wǎng)站macrumors.com的消息稱,Intel將于明年1月初發(fā)布新一代主流移動(dòng)平臺(tái),其中代號Arrandale的CPU首次將圖形核心集成在處理器內(nèi),相當(dāng)于把原有的CPU和集成顯卡芯片組北橋合二為一。其中CPU核心為32nm工藝制造,而圖形核心則為45nm工藝制造。預(yù)計(jì)全球各大廠商將從年初開始陸續(xù)推出使用Arrandale處理器的筆記本新品,但根據(jù)BSN網(wǎng)站的報(bào)道,偏偏有一家廠商并不買Intel的帳。   不出所料,這家特立獨(dú)行的廠商就是蘋果。據(jù)“接近此事核心的內(nèi)部人士&r
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行動(dòng)世代由誰做主?

  • ARM今年的年度技術(shù)研討會(huì)剛結(jié)束,可以見到相當(dāng)擁躍的參加人潮。以一家資本額不算太大的IP公司,ARM的市場地位正不斷高漲,近來已有與CPU一哥Intel分庭抗禮的氣勢。除了該公司本身在技術(shù)上的特色外
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Intel明年一二季度新處理器產(chǎn)品路線圖泄漏

  •   根據(jù)最近一份泄漏的Intel產(chǎn)品發(fā)展路線圖顯示,Inte明年初l計(jì)劃推出數(shù)款Core i3/i5/i7處理器新品。其中兩款低功耗“S"版本的Core i5 750與Core i7 860處理器,頻率分別為2.4GHz和2.53GHz(可利用TurboBoost技術(shù)提頻至3.2/3.46GHz)。這兩款新款S系列處理器TDP 功耗僅82W,比原有的95W降低不少,兩款產(chǎn)品將配備8MB三級緩存,并將于明年第一季度上市。   另外,在Core i3產(chǎn)品檔次,Intel還將推出新款
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PC走向新商業(yè)模式

  • 安謀國際(ARM)日前在臺(tái)舉辦年度的科技論壇,參與的人數(shù)與規(guī)??梢哉f是一年比一年還要盛況空前。由于ARM在智能型手機(jī)、Netbook與Smartbook的市場上漸漸與英特爾(Intel)短兵相接,兩造所代表的商業(yè)模式與技術(shù)平臺(tái)又大不相同,使得PC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展呈現(xiàn)了新局面
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Intel安騰處理器業(yè)務(wù)10年后終于盈利

  •   1999年,Intel給自己的64位頂級服務(wù)器處理器取了一個(gè)新名字:Itanium安騰,希望它能夠擊敗IBM、Sun等競爭對手的產(chǎn)品,占據(jù)企業(yè)級高端服務(wù)器市場,甚至未來有一天可能推出基于這一全新架構(gòu)的PC處理器。安騰架構(gòu)的CISC指令集最初由惠普提出,后來由Intel和惠普共同開發(fā)。然而自發(fā)布后的近十年時(shí)間里,除了Intel和惠普外很少有其他公司推 出安騰服務(wù)器產(chǎn)品。由于其指令集和x86并不兼容,所有軟件都需要重寫,應(yīng)用一直非常有限。另外,各代安騰處理器也一直被延期和Bug所困擾。種種問題都 導(dǎo)致In
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英特爾本月內(nèi)完成上海封測廠遷成都作業(yè)

  •   英特爾(Intel)中國執(zhí)行董事戈峻在日前的四川跨國公司產(chǎn)業(yè)合作座談會(huì)暨簽約儀式上表示,將再次對英特爾成都廠進(jìn)行增資,金額為 7,500萬美元。此外,備受關(guān)注的上海浦東封測廠西遷成都一案亦進(jìn)入關(guān)鍵時(shí)刻,估計(jì)1個(gè)月內(nèi)即可完成整合作業(yè),英特爾建構(gòu)的三角戰(zhàn)略架構(gòu)亦將成形。   英特爾自2003年進(jìn)軍成都,已連續(xù)3次增資,對成都的總投資額由原先的3.75億美元提高至6億美元。   另外,此次英特爾將位于上海浦東外高橋保稅區(qū)的封測廠西遷與成都廠整合后,將成為該公司在亞洲地區(qū)最大的封測廠,推測未來幾年成都廠亦
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Intel P55芯片組將啟用B3步進(jìn)工藝

  •   按Intel的計(jì)劃,LGA1156插槽處理器配套的旗艦芯片組P55將開始啟用最新的B3步進(jìn)版本(目前市售的P55芯片組為B2步進(jìn)版本)。新的B3步進(jìn)P55芯片組將在以下幾個(gè)方面有所變化:   * 芯片組產(chǎn)品的S-spec代碼以及產(chǎn)品MM代碼方面將有所變更;   * 主板BIOS需要進(jìn)行更新,并需要對處理器微代碼部分進(jìn)行更新,以便支持未來推出的處理器   * 建議B3版的用戶將芯片組存儲(chǔ)功能驅(qū)動(dòng)由原來的MSM8.9版本升級到RST9.5版本。   B3步進(jìn)P55芯片組將與現(xiàn)有的B2步進(jìn)產(chǎn)品保
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Intel芯片組2011年前不會(huì)加入U(xiǎn)SB3.0功能

  •   據(jù)從Nvidia處得到的確切消息,Intel公司已確定不會(huì)在2011年之前將USB3.0功能加入其芯片組中。這樣,那些需要在主板上加入U(xiǎn)SB3.0功能的廠商必須使用第三方芯片,USB3.0短期內(nèi)恐無法普及。   Nvidia的發(fā)言人Brian Burke為此表達(dá)了對Intel的失望之情,并趁機(jī)鼓吹稱Nvidia自家的芯片組一直在采用新技術(shù)方面做得比Intel好,同時(shí)他還不忘添油加醋鼓吹了一下自家的Ion平臺(tái)。   Nvidia與Intel之間在芯片組授權(quán)方面存在嚴(yán)重的分歧和爭端,不過也有人認(rèn)為這種
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Intel宣布一項(xiàng)技術(shù)突破 內(nèi)存加工工藝可縮小到5納米

  •   英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項(xiàng)新技術(shù).這兩家公司稱,這種新技術(shù)將使非易失性存儲(chǔ)器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本.   英特爾研究員和內(nèi)存技術(shù)開發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術(shù)甚至能夠讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲(chǔ)屬性縮小到一個(gè)內(nèi)存類.   This image shows phase-change memory bu
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固態(tài)硬盤永遠(yuǎn)無法徹底取代機(jī)械硬盤?

  •   固態(tài)硬盤產(chǎn)業(yè)雖然風(fēng)生水起,但受限于各種因素,短期內(nèi)還無法取代機(jī)械硬盤,而最新研究給出的結(jié)論是固態(tài)硬盤將永無出頭之日?!禝EEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),看它們到2020年的時(shí)候能否在單位容量成本上超越機(jī)械硬盤,結(jié)果選出了兩個(gè)最有希望的候選 者:相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)(PCRAM)、自旋極化隨機(jī)存取存儲(chǔ)(STTRAM)。   PCRAM我們偶爾
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