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Immersion機(jī)臺(tái)缺貨 臺(tái)DRAM廠改采購(gòu)舊機(jī)種應(yīng)急
- 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走入50奈米制程后,浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)(Immersion Scanner)出現(xiàn)大缺貨,尤其是最新款的NXT:1950i機(jī)種上,交期幾乎拉到快12個(gè)月,使得2010年才下訂單的臺(tái)系DRAM廠苦等多時(shí);存儲(chǔ)器業(yè)者透露,爾必達(dá)(Elpida)陣營(yíng)開(kāi)始轉(zhuǎn)向采購(gòu)舊機(jī)種XT:1950i應(yīng)急。然美光(Micron)陣營(yíng)則認(rèn)為,舊機(jī)種頂多用到40奈米制程就是極限,不像新機(jī)種NXT:1950i可以一路做到30奈米。 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在進(jìn)入50奈米以下制程,都必須開(kāi)始用Immersion Scanner,此機(jī)
- 關(guān)鍵字: Elpida DRAM 50奈米
ASML整合微影方案獲意法采用
- 受惠于晶圓代工與DRAM廠推出先進(jìn)制程,對(duì)浸潤(rùn)式顯影機(jī)臺(tái)需求大增,讓半導(dǎo)體設(shè)備大廠艾斯摩爾(ASML)2010年接單暢旺,隨著半導(dǎo)體制程推進(jìn)5x奈米以下先進(jìn)制程,制程復(fù)雜度大增,亦需加緊提高量良率,讓ASML甫于2009年推出的整合微影技術(shù)(Holistic Lithography)系列產(chǎn)品,已獲得意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)采用于28奈米制程。 ASML指出,隨著半導(dǎo)體制程推進(jìn)到50x奈米以下制程,業(yè)者投入的經(jīng)費(fèi)越來(lái)越高昂,生產(chǎn)時(shí)程亦拉得更長(zhǎng),良率更難提升,制程容許度(p
- 關(guān)鍵字: ASML DRAM 晶圓代工
第三季度DRAM價(jià)格或下滑
- 據(jù)韓國(guó)ET NEWS報(bào)導(dǎo),過(guò)去1年2個(gè)月期間呈現(xiàn)上升趨勢(shì)的DRAM價(jià)格,可能將再度下滑。預(yù)期第3季DRAM價(jià)格將小幅下滑后止跌,但第4季將會(huì)有大幅的下滑趨勢(shì)。雖韓國(guó)企業(yè)的凈利也將減少,但對(duì)臺(tái)灣企業(yè)打擊可能更大。 據(jù)相關(guān)業(yè)者及證券師指出,自2009年4月持續(xù)上升的DRAM價(jià)格進(jìn)入第3季后可能會(huì)有 5%的價(jià)格下滑。業(yè)界相關(guān)人員表示,第3季DRAM價(jià)格依據(jù)PC業(yè)者的調(diào)降要求,可能會(huì)有5%的下滑,但DRAM供貨貨量有限制,因此下滑幅度應(yīng)不大。 摩根大通(JP Morgan Chase &
- 關(guān)鍵字: 海力士 DRAM 40納米
爾必達(dá)赴臺(tái)設(shè)NAND Flash研發(fā)中心
- 據(jù)了解,日商爾必達(dá)已決定來(lái)臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心,且選定投入高階技術(shù)NAND Flash領(lǐng)域。爾必達(dá)來(lái)臺(tái)投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺(tái)幣,未來(lái)將與力晶等日系半導(dǎo)體業(yè)者進(jìn)一步合作。 據(jù)悉,爾必達(dá)與臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)合作雖然破局,但爾必達(dá)與臺(tái)灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在,政府單位與爾必達(dá)互動(dòng)密切,爾必達(dá)已于日前向經(jīng)濟(jì)部遞出在臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心的初步計(jì)劃書(shū),經(jīng)濟(jì)部正進(jìn)行審查中。 官員透露,爾必達(dá)來(lái)臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心的計(jì)劃相當(dāng)成熟,已進(jìn)入實(shí)質(zhì)合作內(nèi)容洽談中,研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器
- 關(guān)鍵字: TIMC NAND DRAM
亞洲需求成全球半導(dǎo)體市場(chǎng)強(qiáng)力支撐
- 全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求成長(zhǎng)已優(yōu)于2008年秋季金融危機(jī)爆發(fā)前的水平,2010年5月半導(dǎo)體銷售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來(lái)看,含大陸在內(nèi)的亞太市場(chǎng)占全球銷售比重已過(guò)半并持續(xù)成長(zhǎng)中,已成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求的強(qiáng)力支撐。然因市場(chǎng)對(duì)歐洲經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)仍持疑慮,2010年秋季后市場(chǎng)需求動(dòng)態(tài)值得關(guān)注。 美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)指出,金融危機(jī)爆發(fā)前全球半導(dǎo)體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元,而2010年5月全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)2
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 DRAM
SEMI:全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)今年將增長(zhǎng)104%
- 國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)的發(fā)布半導(dǎo)體設(shè)備年中預(yù)測(cè)指出,今年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將由谷底翻揚(yáng),預(yù)計(jì)增長(zhǎng)達(dá)104%,明年市場(chǎng)仍審慎樂(lè)觀,將持續(xù)有9%的增長(zhǎng)幅度。 半導(dǎo)體設(shè)備與西于14日起于美西舊金山展開(kāi),主辦單位半同步公布半導(dǎo)體設(shè)備資本支出年中預(yù)測(cè)報(bào)告。 SEMI的預(yù)估,2010年半導(dǎo)體設(shè)備營(yíng)收將達(dá)325億美元,折合新臺(tái)幣可望突破兆元,為半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者捎來(lái)佳音,同時(shí)超越2008年金融海嘯前的295億美元水準(zhǔn)。報(bào)告指出, 2009年因?yàn)槿蚓皻獠患?,讓整體設(shè)備市場(chǎng)慘跌46%,但今年設(shè)備市
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體設(shè)備 晶圓 DRAM
報(bào)告稱全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)今年將增長(zhǎng)104%
- 國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)的發(fā)布半導(dǎo)體設(shè)備年中預(yù)測(cè)指出,今年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將由谷底翻揚(yáng),預(yù)計(jì)增長(zhǎng)達(dá)104%,明年市場(chǎng)仍審慎樂(lè)觀,將持續(xù)有9%的增長(zhǎng)幅度。 半導(dǎo)體設(shè)備與西將于今(14)日起于美西舊金山展開(kāi),主辦單位半同步公布半導(dǎo)體設(shè)備資本支出年中預(yù)測(cè)報(bào)告。 SEMI的預(yù)估,2010年半導(dǎo)體設(shè)備營(yíng)收將達(dá)325億美元,折合新臺(tái)幣可望突破兆元,為半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者捎來(lái)佳音,同時(shí)超越2008年金融海嘯前的295億美元水準(zhǔn)。報(bào)告指出, 2009年因?yàn)槿蚓皻獠患?,讓整體設(shè)備市場(chǎng)慘跌46%,但今
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體設(shè)備 晶圓 DRAM
DRAM廠制程轉(zhuǎn)換不順 新產(chǎn)能變數(shù)多
- 近期DRAM市場(chǎng)供需雜音多,由于終端需求前景不明,7月合約價(jià)不見(jiàn)起色,仍持續(xù)往下修正,加上隨著40和50納米制程微縮導(dǎo)致產(chǎn)能增加,進(jìn)而壓抑價(jià)格走勢(shì),然值得注意的是,目前各家DRAM廠在40和50納米世代轉(zhuǎn)換不順消息頻傳,新產(chǎn)能是否能如期出籠仍存變量,因此,第3季DRAM價(jià)格還有多少修正空間,目前仍處于混沌狀態(tài)。 DRAM業(yè)者表示,自從PC大廠祭出降低DRAM搭載率策略后,原本供給吃緊的DRAM市場(chǎng)頓時(shí)松動(dòng),原本搭配4GB模塊被砍到僅搭配2GB,等于少掉50%的DRAM產(chǎn)能消耗量,加上歐洲債信問(wèn)題
- 關(guān)鍵字: Elpida DRAM 45納米
亞洲需求成全球半導(dǎo)體市場(chǎng)強(qiáng)力支撐
- 全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求成長(zhǎng)已優(yōu)于2008年秋季金融危機(jī)爆發(fā)前的水平,2010年5月半導(dǎo)體銷售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來(lái)看,含大陸在內(nèi)的亞太市場(chǎng)占全球銷售比重已過(guò)半并持續(xù)成長(zhǎng)中,已成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求的強(qiáng)力支撐。然因市場(chǎng)對(duì)歐洲經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)仍持疑慮,2010年秋季后市場(chǎng)需求動(dòng)態(tài)值得關(guān)注。 美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)指出,金融危機(jī)爆發(fā)前全球半導(dǎo)體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元,而2010年5月全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)2
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
SEMICON West來(lái)臨之際那些分析師說(shuō)些什么?
- 編者點(diǎn)評(píng):每年的SEMICON West時(shí),時(shí)間己經(jīng)過(guò)半,所以業(yè)界都會(huì)關(guān)心下半年與未來(lái)會(huì)是怎么樣。2010年半導(dǎo)體業(yè)可能十分亮麗,似乎已成定局。然而對(duì)于設(shè)備業(yè)看似今年的增長(zhǎng)幅度達(dá)90%,但是許多設(shè)備公司仍是興奮不起來(lái),因?yàn)?010年業(yè)績(jī)的增長(zhǎng)仍顯不足于彌補(bǔ)之前的損失。而未來(lái)的前景有點(diǎn)模糊,增長(zhǎng)點(diǎn)來(lái)自哪里?似乎誰(shuí)也說(shuō)不清楚。 SEMICON West美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備展覽會(huì)即將開(kāi)幕,與去年全球IC下降不同,如今半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)有點(diǎn)紅火。 按市場(chǎng)調(diào)研公司 VLSI預(yù)計(jì),2010年半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)增長(zhǎng)96%
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體設(shè)備 NAND DRAM
三星46nm良率提升 DRAM價(jià)格有望持續(xù)下降
- 臺(tái)灣媒體報(bào)道,受到三星46nm制程工藝DRAM芯片良率提高的利好消息影響,DRAM內(nèi)存芯片的期貨價(jià)格有望在7、8月份持續(xù)下跌。業(yè)界消息稱,三星目前向PC廠商供應(yīng)的2GB DDR3價(jià)格已經(jīng)從先前的45美元下降到了40美元。 消息稱,隨著三星46nm DRAM良率的大幅提高,三星DRAM芯片成本優(yōu)勢(shì)也得以體現(xiàn)。據(jù)稱三星目前已經(jīng)向好幾家PC廠商提供了優(yōu)惠內(nèi)存芯片價(jià)格套裝,從而使得外界認(rèn)為DRAM 內(nèi)存價(jià)格有望在7、8月份持續(xù)下滑。 根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司DRAMeXchange的報(bào)告,六月份下半個(gè)月的
- 關(guān)鍵字: 三星 46nm DRAM
Q1 DRAM銷售強(qiáng)勁 臺(tái)灣力晶市場(chǎng)排名竄升
- 據(jù)iSuppli公司分析,第一季度DRAM銷售強(qiáng)勁,臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體表現(xiàn)突出,市場(chǎng)排名升至第五。 第一季度力晶DRAM營(yíng)業(yè)收入為4.32億美元,比2009年第四季度的2.39億美元大增80.8%,比2009年第一季度暴增1068%。這在第一季度iSuppli公司的DRAM供應(yīng)商排行榜中,是最強(qiáng)勁的表現(xiàn),而且遠(yuǎn)優(yōu)于總體產(chǎn)業(yè)。第一季度全球DRAM營(yíng)業(yè)收入比去年第四季度增長(zhǎng)8.8%,比去年同期增長(zhǎng)178.1%。 在最近的三個(gè)季度中,力晶的營(yíng)收每季度都增長(zhǎng)近60%,推動(dòng)其排名上升。它在2009年第四
- 關(guān)鍵字: 力晶 DRAM
2010年下半DRAM價(jià)格持續(xù)下滑
- 市場(chǎng)預(yù)估,過(guò)去1年來(lái)DRAM價(jià)格將首度在2010年6月出現(xiàn)下滑,價(jià)格下滑的原因是DRAM產(chǎn)量持續(xù)增加,和PC廠商力抗價(jià)格上揚(yáng)策略已成功。 DRAM價(jià)格下降也有助于壓低PC價(jià)格,對(duì)計(jì)劃采購(gòu)新PC的消費(fèi)者而言是個(gè)重要的消息。2010年早先,DRAM短缺導(dǎo)致芯片業(yè)者增加產(chǎn)量,以紓緩供給不足的問(wèn)題。 不過(guò)研究機(jī)構(gòu)Gartner認(rèn)為,DRAM平均價(jià)格(ASP)將在2010年下半持續(xù)緩慢下滑,但同時(shí),DRAM廠商也會(huì)削減生產(chǎn)成本,以維持健康的毛利率。 Gartner指出,2010年早先,DRAM
- 關(guān)鍵字: 三星電子 DRAM LCD
Gartner預(yù)測(cè)DRAM內(nèi)存降價(jià)趨勢(shì)將持續(xù)到年底
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,由于芯片廠商提高產(chǎn)量和PC廠商堅(jiān)持反對(duì)價(jià)格進(jìn)一步上漲的強(qiáng)硬立場(chǎng),DRAM內(nèi)存價(jià)格在今年6月出現(xiàn)了一年以來(lái)的首次下降。 內(nèi)存芯片價(jià)格下降對(duì)于每個(gè)購(gòu)買新PC的用戶來(lái)說(shuō)都很重要,因?yàn)榘嘿F的DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格是PC價(jià)格在幾年來(lái)首次出現(xiàn)上漲的原因之一。但是,內(nèi)存芯片價(jià)格的下降是這個(gè)市場(chǎng)出現(xiàn)轉(zhuǎn)變的一個(gè)信號(hào)。今年年初出現(xiàn)的內(nèi)存芯片短缺導(dǎo)致芯片廠商提高產(chǎn)量,從而緩解了短缺情況。 現(xiàn)在,Gartner預(yù)測(cè)內(nèi)存芯片的平均銷售價(jià)格在2010年剩余的時(shí)間里將溫和下降,并且指出DRAM內(nèi)存廠商能夠
- 關(guān)鍵字: DRAM 內(nèi)存
茂德、鈺創(chuàng)攜手進(jìn)軍SDRAM
- 臺(tái)系DRAM廠陸續(xù)啟動(dòng)多角化產(chǎn)品線策略,近期茂德悄悄與鈺創(chuàng)進(jìn)行結(jié)盟,將在中科12寸晶圓廠為鈺創(chuàng)代工高容量256Mb DDR2產(chǎn)品,采用72納米制程,目前已進(jìn)入試產(chǎn),這是茂德跨入消費(fèi)性電子市場(chǎng)重要里程碑,對(duì)鈺創(chuàng)而言,亦在SDRAM產(chǎn)能吃緊情況下獲得及時(shí)雨。 2008~2009 年DRAM產(chǎn)業(yè)低潮雖然僅淘汰歐系奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda),但各家DRAM業(yè)者都意識(shí)到太過(guò)執(zhí)著于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品,終究是一條不歸路,因此自 2010年開(kāi)始,陸續(xù)傳出DRAM廠開(kāi)始布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品領(lǐng)域,包括SDRAM、
- 關(guān)鍵字: Qimonda DRAM SDRAM
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