首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁 >> 主題列表 >> mobile dram

三星電子：半導(dǎo)體廠房跳電損失估計(jì)不到90億韓元

  • 　　三星電子(SamsungElectronics)表示，截至臺(tái)北時(shí)間25日下午3時(shí)為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計(jì)不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。MeritzSecurities分析師LeeSun- tae指出，三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實(shí)不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。 　　YonhapNews于南韓時(shí)間24日下午7時(shí)48分報(bào)導(dǎo)，三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在當(dāng)?shù)貢r(shí)間
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  DRAM  NAND  

三星電子：半導(dǎo)體廠房跳電損失估計(jì)不到90億韓圜

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)表示，截至臺(tái)北時(shí)間25日下午3時(shí)為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計(jì)不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。 Meritz Securities分析師Lee Sun-tae指出，三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實(shí)不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。 　　Yonhap News于南韓時(shí)間24日下午7時(shí)48分報(bào)導(dǎo)，三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  DRAM  NAND  

LED市場(chǎng)持續(xù)火熱 臺(tái)資加速布局大陸設(shè)廠

  • 　　隨著中國大陸LED市場(chǎng)迅速增長，臺(tái)資企業(yè)正在加快搶灘登陸的步伐，以期盡早在大陸LED產(chǎn)業(yè)卡位布局。比如日前廣東中山科技局的一位工作人員就告訴記者，現(xiàn)在可以明顯感受到，外資尤其是臺(tái)廠對(duì)中國大陸LED行業(yè)投資腳步的加快和投資力度的加大，早在2002年臺(tái)灣最大的封裝廠億光就在中山小欖設(shè)廠，而近來臺(tái)企投資腳步則更加頻繁。 　　如果細(xì)分近期有意向至大陸設(shè)廠的臺(tái)企，大體可分成三類：一是臺(tái)灣大型LED企業(yè)，為擴(kuò)大產(chǎn)能需要，在大陸投資設(shè)廠。比如日前市場(chǎng)傳出臺(tái)灣LED外延大廠晶電計(jì)劃與封裝廠光寶攜手布局大陸LED市場(chǎng)
  • 關(guān)鍵字： LED  DRAM  

三星跳電　存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)韓國器興廠24日下午停電約1小時(shí)，雖然三星官方指出影響不大，但業(yè)界對(duì)于已極度缺貨的DRAM市場(chǎng)相當(dāng)緊張，甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲(chǔ)器零組件都供貨吃緊，三星跳電事件恐讓存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈出現(xiàn)供貨排擠效應(yīng)。 　　三星器興廠發(fā)生停電意外，在啟動(dòng)不斷電系統(tǒng) (UPS)后，1小時(shí)內(nèi)便恢復(fù)運(yùn)作，估計(jì)此事件對(duì)公司營運(yùn)影響不大。 　　存儲(chǔ)器業(yè)者指出，這次三星受影響廠區(qū)
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  DRAM  SDRAM  存儲(chǔ)器  

供給有限、需求強(qiáng)勁　DRAM產(chǎn)業(yè)可連賺三年

  • 　　根據(jù)DRAMeXchange的預(yù)測(cè)，從今年到2012年，DRAM產(chǎn)業(yè)供給方面在產(chǎn)能擴(kuò)充、資本支出、浸潤式機(jī)臺(tái)供給有限，以及40nm以下制程轉(zhuǎn)進(jìn)難度高影響下，位成長有限。而DRAM需求在全球景氣復(fù)蘇，帶動(dòng)消費(fèi)者及企業(yè)換機(jī)潮，以及智能型手機(jī)帶動(dòng)行動(dòng)內(nèi)存需求大幅成長下則將動(dòng)力強(qiáng)勁，預(yù)期未來三年DRAM產(chǎn)業(yè)有機(jī)會(huì)連續(xù)獲利。 　　DRAMeXchange指出，DRAM產(chǎn)業(yè)過去十幾年來，幾乎每三年為一景氣循環(huán)周期，以DRAM廠的營業(yè)獲利率分析，2001至2003年DRAM產(chǎn)業(yè)連續(xù)三年虧損，2004至2006年轉(zhuǎn)
  • 關(guān)鍵字： 智能手機(jī)  DRAM  40nm  

三星美光反對(duì)擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能

  • 　　近期內(nèi)存價(jià)格的持續(xù)上漲讓DRAM芯片廠商嘗到了甜頭，不過在包括三星、美光、力晶等在內(nèi)的DRAM廠商看來，好光景來之不易，不應(yīng)該一味擴(kuò)大產(chǎn)能惡性競(jìng)爭而重新導(dǎo)致DRAM內(nèi)存暴跌。 　　韓國三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁權(quán)五鉉日前表示，DRAM制造商不應(yīng)該盲目擴(kuò)大產(chǎn)能，而應(yīng)當(dāng)把大規(guī)模投資放在提升技術(shù)水平上。美國美光官方近日也表示，今年無意擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能，而是將全力投入制造工藝升級(jí)，進(jìn)一步增強(qiáng)其在DRAM市場(chǎng)的競(jìng)爭力。臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體董事長黃崇仁同樣認(rèn)為，廠商們?cè)趯?duì)待產(chǎn)能的問題上應(yīng)當(dāng)更加謹(jǐn)慎，避免重蹈當(dāng)年的覆轍。 　
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

英飛凌對(duì)爾必達(dá)提專利侵權(quán)訴訟 美ITC展開調(diào)查

  • 　　據(jù)外電報(bào)道，美國國際貿(mào)易委員會(huì)(USITC)將對(duì)DRAM半導(dǎo)體、產(chǎn)品、記憶模塊展開調(diào)查，因德商英飛凌于今年2月19 日提出專利侵權(quán)指控。 　　英飛凌方面稱，爾必達(dá)制造并向美國進(jìn)口銷售的某些DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品侵犯了英飛凌在半導(dǎo)體制程和元件制造方面4項(xiàng)重要發(fā)明專利，涉嫌不公平貿(mào)易。通過訴訟以尋求USITC下達(dá)禁令，禁止?fàn)柋剡_(dá)或以爾必達(dá)的名義，向美國進(jìn)口侵犯英飛凌專利的DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品。 　　被調(diào)查的企業(yè)名單 　　USITC表示，將依據(jù)1930年美國關(guān)稅法第337條，對(duì)下列廠商展開調(diào)查，包括日商爾必
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  DRAM  

芯片缺很大 電子生產(chǎn)鏈上肥下瘦

  • 　　由于ODM/OEM廠對(duì)第2季及第3季的旺季需求期待甚高，芯片缺貨問題持續(xù)延燒，除了繪圖芯片及整流二極管持續(xù)供貨短缺外，電源管理IC、NOR閃存、LCD驅(qū)動(dòng)IC、功率放大器(PA)等產(chǎn)品線均出現(xiàn)供給缺口。隨著芯片供貨商3月起陸續(xù)漲價(jià)5%至10%,但電子終端產(chǎn)品價(jià)格并未跟進(jìn)調(diào)漲，顯示今年電子生產(chǎn)鏈上肥下瘦已成定局。 　　根據(jù)通路業(yè)者指出，今年中國農(nóng)歷年期間因終端市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，大幅去化芯片庫存，去年底就缺貨的繪圖芯片、整流二極管、金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等，現(xiàn)在仍有10%左右的供給缺口，另包括電源
  • 關(guān)鍵字： 電源管理  NOR閃存  DRAM  

三星、力晶猛喊節(jié)制擴(kuò)產(chǎn)　DRAM廠：高手過招戲碼

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)社長權(quán)五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)16日來臺(tái)參加全球半導(dǎo)體聯(lián)盟(GSA)論壇，吸引DRAM業(yè)者紛前來聆聽龍頭廠對(duì)景氣風(fēng)向球。權(quán)五鉉表示，2010年下半DRAM價(jià)格可以維持穩(wěn)定，未來DRAM業(yè)者不應(yīng)一昧地追求價(jià)格和成本，而是要節(jié)制瘋狂擴(kuò)充產(chǎn)能;力晶董事長黃崇仁在現(xiàn)場(chǎng)亦舉手建言，呼吁大家不要再亂投資擴(kuò)產(chǎn)，要追求合理價(jià)格更勝于超額利潤;此番臺(tái)、韓存儲(chǔ)器廠高層過招，成為整個(gè)論壇最大高潮。 　　權(quán)五鉉16日在GSA論壇發(fā)表有關(guān)半導(dǎo)體市場(chǎng)及
  • 關(guān)鍵字： Samsung  DRAM  DDR3  

DRAM好 3年LED電視滲透率升

  • 　　美銀美林證券臺(tái)灣投資論壇邁入第2天，會(huì)場(chǎng)聚焦DRAM、手機(jī)和LED產(chǎn)業(yè)，業(yè)者紛紛釋出樂觀看法，包括DRAM未來2、3年產(chǎn)業(yè)展望都樂觀，LED背光液晶電視年底滲透率上看35%. 　　美銀美林證券臺(tái)灣投資論壇邁入第2天，今天會(huì)議部份正式展開，并邀請(qǐng)到意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)與恒憶公司(Numonyx)顧問暨前任資深主管Rolf Seibl演講，暢談中國大陸山寨手機(jī)市場(chǎng)。他指出，中國手機(jī)市場(chǎng)有8成是山寨手機(jī)，所以聯(lián)發(fā)科市場(chǎng)廣大。 　　今天受邀出席論壇演講的華亞科總經(jīng)理高啟全指出
  • 關(guān)鍵字： Numonyx  DRAM  LED  手機(jī)  

IC Insight大幅提高2010年全球半導(dǎo)體增長預(yù)測(cè)達(dá)27%

  • 　　市場(chǎng)調(diào)研公司IC Insight調(diào)整2010年全球半導(dǎo)體銷售額的預(yù)測(cè), 估計(jì)增長27%,達(dá)2530億美元。 　　并同時(shí)預(yù)測(cè)2011年半導(dǎo)體銷售額再增長15%,達(dá)2900億美元。 　　按IC Insight的最新說法表明比之前較好的2007年的2340億美元還好, 達(dá)到近期單年的最高增長值。 　　按SIA的數(shù)據(jù)IC Insight曾在今年1月時(shí)預(yù)測(cè)2009年全球半導(dǎo)體下降9%,及2010年增長15%的預(yù)測(cè), 此次又作了新的調(diào)整。 　　推動(dòng)今年半導(dǎo)體增長的主要?jiǎng)恿碜匀駾RAM產(chǎn)業(yè), 由于其
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  DRAM  存儲(chǔ)器  

力晶將今年資本支出目標(biāo)定為新臺(tái)幣110億元

  • 　　力晶半導(dǎo)體股份有限公司(Powerchip Semiconductor Co., 5346.OT)發(fā)言人譚仲民(Eric Tang)周三表示，公司將今年的資本支出目標(biāo)定為新臺(tái)幣110億元。 　　譚仲民稱，其中大部分資本支出將用于把公司的晶片生產(chǎn)技術(shù)從65納米技術(shù)升級(jí)到40納米技術(shù)。 今年1月初，力晶半導(dǎo)體曾表示，將于2010年下半年開始對(duì)40納米制程進(jìn)行測(cè)試。 譚仲民稱，由于現(xiàn)金充裕，公司目前沒有融資計(jì)劃。他稱，力晶半導(dǎo)體2009年的資本支出規(guī)模“很小”。但他拒絕透露具體數(shù)據(jù)
  • 關(guān)鍵字： 力晶  DRAM  

MSMQ技術(shù)在Windows Mobile系統(tǒng)通信中應(yīng)用

  • 本文著重研究基于MSMQ技術(shù)的Windows Mobile平臺(tái)上的通信方法與實(shí)現(xiàn)流程，并對(duì)其核心代碼進(jìn)行詳解。通過生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用實(shí)例表明，基于MSMQ技術(shù)的移動(dòng)終端的遠(yuǎn)程通信具有良好的穩(wěn)定性和安全性。
  • 關(guān)鍵字： MSMQ  通信  消息  消息隊(duì)列  PDA  Windows Mobile  201003  

09年臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值小衰退7.2%　優(yōu)于全球

  • 　　工研院IEKITIS計(jì)劃日前公布2009年第四季及2009年全年度臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概況;2009年第四季臺(tái)灣整體IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值(含設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試)達(dá)新臺(tái)幣3,779億元，較上季(09Q3)成長2.5%,較去年同期(08Q4)成長42.0%. 　　2009全年臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)12,497億元，較2008年衰退7.2%,優(yōu)于全球半導(dǎo)體之成長率。2009年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)全年總銷售值達(dá)2,263億美元，較2008年衰退9.0%;總銷售量達(dá)5,293億顆，較2008年衰退5.5%;2009年ASP為0.
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  晶圓代工  DRAM  

爾必達(dá)計(jì)劃收購美國Spansion閃存資產(chǎn)

  • 　　3月4日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，爾必達(dá)公司今日表示，計(jì)劃收購美國晶片制造商Spansion的NAND閃存資產(chǎn)。Spansion是由日本富士通和AMD組建的合資企業(yè)，該公司去年3月申請(qǐng)破產(chǎn)。 　　爾必達(dá)記憶體將斥資30-50億日元(合3400-5700萬美元)收購Spansion的NAND相關(guān)資產(chǎn)，其中包括在意大利的一個(gè)研發(fā)工廠。 　　爾必達(dá)希望提供半導(dǎo)體模組，結(jié)合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋果iPhone等智能手機(jī)方面的運(yùn)用增長趨勢(shì)明顯，爾必達(dá)正在追趕DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)三星電子和海力士半導(dǎo)體
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  NAND閃存  DRAM  
共1913條 89/128 |‹ « 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 » ›|

mobile dram介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條mobile dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)mobile dram的理解，并與今后在此搜索mobile dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473