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用結(jié)點溫度評估器件可靠性的案例分析

　　工程師在設(shè)計一款產(chǎn)品時用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高，經(jīng)重新計算分析后，換成了一顆5A的MOS管，問題解決。為什么用電流裕量更小的器件，卻能提高可靠性呢?　　工程師在設(shè)計的過程中非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設(shè)計，案例分析我們放到最后說，為了幫助理解，我們先引入一個概念：　　其中Tc為芯片的外殼溫度，PD為芯片在該環(huán)境中的耗散功率，Tj表示芯片的結(jié)點溫度，目前大多數(shù)芯片的結(jié)點溫度為150℃，Rjc表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻，Rcs表示外殼至散熱片的熱阻，Rsa表示散熱片到
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開關(guān)電源變壓器溫升過高問題改善方法

在開關(guān)電源變壓器的工作過程中，工程師不僅需要綜合考慮其設(shè)計構(gòu)造的合理性問題，還需要嚴格把控其溫升范圍，以免出現(xiàn)溫升過高導致工作效率下降的問題
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MOS管驅(qū)動電路詳解

使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也
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必藏！小功率 MOS管選型手冊

絕對要收藏的小功率 MOS管選型手冊。KD2300 N-Channel SOT23-3 封裝、電壓20V、內(nèi)阻28mOmega;、電流6A、可兼容、代用、代換、替換市面上各類型的23
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MOS管入門——只談應(yīng)用，不談原理

　　1、三個極怎么判定　　G極(gate)—柵極，不用說比較好認　　S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是　　D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨引線的那邊　　
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用MOS管防止電源反接的原理？

一般可以使用在電源的正極串入一個二極管解決，不過，由于二極管有壓降，會給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場合，本來電池電壓就3.7V，你就用
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如何確保MOS管工作在安全區(qū)？

電源工程師最怕什么?炸機!用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢?這一切都和SOA相關(guān)。我們知道開關(guān)電源中MOSFE
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MOS管功率損耗竟然還可以這么測

　　MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC?MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復(fù)摸索，那么該如何量化評估呢?　　1.1功率損耗的原理圖和實測圖　　一般來說，開關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖?1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導通過程”和“關(guān)閉過程”，小部分能量體現(xiàn)在“導通狀態(tài)”，而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0，可以忽略不計?！　?? 　　圖?1開關(guān)管工作的功
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經(jīng)典電源保護電子電路設(shè)計精華盤點 —電路圖天天讀（199）

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這幾個在LED驅(qū)動電路中會常犯的錯誤一定要避免！雙層電容LED電路解析

這幾個在LED驅(qū)動電路中會常犯的錯誤一定要避免！雙層電容LED電路解析-耐壓600V的MOSFET比較便宜，很多認為LED燈具的輸入電壓一般是220V，所以耐壓600V足夠了，但是很多時候電路電壓會到340V，在有的時候，600V的MOSFET很容易被擊穿，從而影響了LED燈具的壽命，實際上選用600VMOSFET可能節(jié)省了一些成本但是付出的卻是整個電路板的代價，所以，不要選用600V耐壓的MOSFET，最好選用耐壓超過700V的MOSFET。
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LED溫度保護電路和最基本的照明LED設(shè)計方案解析

LED溫度保護電路和最基本的照明LED設(shè)計方案解析-隨著LED照明應(yīng)用的發(fā)展，國內(nèi)外廠家推出了很多用于驅(qū)動LED的器件。其中美國國家半導體公司推出的LM3404及系列產(chǎn)品就是一款非常適用于中小功率LED光源的恒流驅(qū)動芯片。
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低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計方案

低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計方案-本文研究了襯底驅(qū)動MOS管技術(shù)和運用這一技術(shù)進行低電壓低功耗模擬電路設(shè)計的方法，并且運用這種技術(shù)設(shè)計低電壓低功耗襯底驅(qū)動跨導運算放大器和電流差分跨導放大器。
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MOS管為什么會被靜電擊穿？

MOS管為什么會被靜電擊穿？-MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電（少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓（想想U=Q/C）將管子損壞），又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。
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防止電源反接的原理

防止電源反接的原理-　一般可以使用在電源的正極串入一個二極管解決，不過，由于二極管有壓降，會給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場合，本來電池電壓就3.7V，你就用二極管降了0.6V，使得電池使用時間大減。
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mos管介紹

　　mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。　　雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細 ]