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MOS—FET末級無負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

  • MOS—FET末級無負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
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MOS—FET甲乙類功率放大器

MOS管驅(qū)動電路綜述連載（三）

  • 相對通用的電路電路圖如下：圖1用于NMOS的驅(qū)動電路圖2用于PMOS的驅(qū)動電路這里只針對NMOS...
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MOS管驅(qū)動電路綜述連載（二）

  • 現(xiàn)在的MOS驅(qū)動，有幾個特別的應(yīng)用1、低壓應(yīng)用當(dāng)使用5V電源，這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于...
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MOS管驅(qū)動電路綜述連載（一）

  • 在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很...
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TI 小貼士：圖例理FET知識

  • 您可以通過周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來生成FFT圖。一般而言，ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
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手把手教你讀懂FET選取合適器件

  • 現(xiàn)在；一臺臺電源，幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個電源工程師都用過這東西，或用來逆變；或用來整流；或就當(dāng)個開關(guān)...
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MOSFET分析：選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

  • 前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。...
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MOSEFT分析：理解功率MOSFET的開關(guān)損耗

  • 本文詳細(xì)分析計算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知...
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CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管

  • 　　CISSOID，在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關(guān))的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運(yùn)作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護(hù)放大器. 　　
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開關(guān)電源設(shè)計之MOS管反峰及RCD吸收回路

  • 對于一位開關(guān)電源工程師來說，在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇，那是常有的事。而我們今天討論的這個話題就是一對相互對立的條件。（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最?。? 在討論前我們先做
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如何對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖

  • 　　圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因
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MOS-FET開關(guān)電路

  • MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡單，如釁5.4-100所示短路開關(guān)對應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個電路
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J-FET開關(guān)電路工作原理

  • 1、簡單開關(guān)控制電路圖5.4-97為簡單J-FET開關(guān)電路。當(dāng)控制電壓VC高于輸入電壓V1時，VGS=0，J-FET導(dǎo)通，傳輸信號至VO；當(dāng)VC比V1足夠負(fù)，VD導(dǎo)通而J-FET截止，VO=0。2、改進(jìn)的J-FET開關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
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采用C-MOS與非門的發(fā)光二極管脈沖驅(qū)動電路

  • 電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光，正向偏流只能在數(shù)10MA以下，允以獲得大的發(fā)光輸出，若采用縮小導(dǎo)通時的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發(fā)光電路很容易分辯外來光。電
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