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mosfet-90n10 文章 進(jìn)入mosfet-90n10技術(shù)社區(qū)
IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏
- 新型電力半導(dǎo)體器件的代表,IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國(guó)還屬空白。無(wú)論技術(shù)、設(shè)備還是人才,我國(guó)都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到,電力半導(dǎo)體器件和集成電路在國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中地位同樣重要,因此,政府應(yīng)該對(duì)IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。 眾所周知,電力電子技術(shù)可以提高用電效率,改善用電質(zhì)量,是節(jié)省能源的王牌技術(shù)。當(dāng)今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導(dǎo)體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開(kāi)關(guān)元器件,它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導(dǎo)體器件的代表性器件,
- 關(guān)鍵字: 器件 IGBT 封裝 測(cè)試 MOSFET
安森美推出符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)的自保護(hù)低端MOSFET驅(qū)動(dòng)IC
- 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)推出高度集成保護(hù)的NCV840x系列低端自保護(hù)MOSFET。這系列器件通過(guò)了AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,非常適用于嚴(yán)格的汽車(chē)及工業(yè)工作環(huán)境中的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。 NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV8403及NCV8404的設(shè)計(jì)是為了提供強(qiáng)固及可靠的工作,這些器件全都有豐富的自保護(hù)特性,包括限溫及限流、靜電放電(ESD)保護(hù),以及用于過(guò)壓保護(hù)(OVP)的集成漏極至柵極鉗位。 安森美半導(dǎo)體汽車(chē)
- 關(guān)鍵字: 安森美 MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC
利用低端柵極驅(qū)動(dòng)器IC進(jìn)行系統(tǒng)開(kāi)發(fā)
- 利用低端柵極驅(qū)動(dòng)器IC可以簡(jiǎn)化開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì),但這些IC必須正確運(yùn)用才能充分發(fā)揮其潛力,以最大限度地減小電源尺寸和提高效率。如何根據(jù)額定電流和功能來(lái)選擇適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)器周?chē)枰男┭a(bǔ)償元件,以及如何確定熱性能等是設(shè)計(jì)時(shí)要注意的方面。
- 關(guān)鍵字: Fairchild 轉(zhuǎn)換器 MOSFET 開(kāi)關(guān)電源 柵極驅(qū)動(dòng)器 200912
D類MOSFT在發(fā)射機(jī)射頻功放中的應(yīng)用
- O 引言
隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,MOS管在電子與通信工程領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。特別是在大功率全固態(tài)廣播發(fā)射機(jī)的射頻功率放大器中,利用MOS管的開(kāi)關(guān)特性,可使整個(gè)射頻功率放大器工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài),從而提高整機(jī)效 - 關(guān)鍵字: 應(yīng)用 功放 射頻 發(fā)射機(jī) MOSFT MOSFET 開(kāi)關(guān)特性 射頻功放 調(diào)幅發(fā)射機(jī)
能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮
- 市場(chǎng)需求逐步恢復(fù) ● 能效需求催生功率器件應(yīng)用熱潮 ● 擴(kuò)內(nèi)需政策為企業(yè)提供增長(zhǎng)空間 陳坤和 從2008年底到2009年初,所有電子產(chǎn)品的需求均有減少,功率半導(dǎo)體也不例外。我們認(rèn)識(shí)到,困難時(shí)期可能成為重新把公司塑造成一個(gè)更精簡(jiǎn)、更專注、更贏利企業(yè)的催化劑。由于各國(guó)政府的經(jīng)濟(jì)刺激措施紛紛把提升能效列為重點(diǎn)內(nèi)容,許多企業(yè)開(kāi)始關(guān)注功率產(chǎn)品。在中國(guó),由于政府刺激消費(fèi)電子市場(chǎng),中國(guó)市場(chǎng)需求增長(zhǎng),推動(dòng)功率管理和其他半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求開(kāi)始復(fù)蘇。從長(zhǎng)期來(lái)看,功率半導(dǎo)體將與許多其他領(lǐng)域的半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字: 功率器件 MOSFET
針對(duì)應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動(dòng)器
- 現(xiàn)有的MOSFET技術(shù)和硅工藝種類繁多,這使得選擇合適的MOSFET驅(qū)動(dòng)器成了一個(gè)富有挑戰(zhàn)性的過(guò)程。
- 關(guān)鍵字: MOSFET 選擇正確 驅(qū)動(dòng)器
Diodes推出為VoIP應(yīng)用優(yōu)化的全新MOSFET
- Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET,為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)一種更堅(jiān)固的解決方案,極大地降低了電路的復(fù)雜性和成本。 ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì),能滿足各種VoIP應(yīng)用中基于用戶線接口電路(SLIC)DC/DC轉(zhuǎn)換器對(duì)變壓器中初級(jí)開(kāi)關(guān)位置的嚴(yán)格要求。這些應(yīng)用涵蓋寬帶語(yǔ)音系統(tǒng)、PBX系統(tǒng)、有線和DSL網(wǎng)關(guān)。 兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V,能夠承受SLIC環(huán)境下的高脈沖雪崩能量和通信模式,不需要額外的保護(hù)電
- 關(guān)鍵字: Diodes MOSFET
功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒 中國(guó)企業(yè)加快步伐
- 過(guò)去,人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦,而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢,因?yàn)榧呻娐返淖饔檬墙邮芎吞幚硇畔?,而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率,去驅(qū)動(dòng)相關(guān)電機(jī)進(jìn)行所需的工作。如今,新型功率半導(dǎo)體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應(yīng)用逐漸普及,其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來(lái)越引人注目。功率半導(dǎo)體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”,而是為整個(gè)系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
- 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體 MOSFET IGBT
Vishay Siliconix推出新款20V P溝道功率MOSFET
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70®封裝,具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術(shù)的最新器件,使用了自矯正的工藝技術(shù),在每平方英寸的硅片上裝進(jìn)了1億個(gè)晶體管。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)、亞微米的間距工藝,將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET
- 關(guān)鍵字: Vishay MOSFET SiA433EDJ
理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性
- 通常,許多資料和教材都認(rèn)為,MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時(shí),具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加,因此流過(guò)的電流減小,溫度降低,從而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)的均流達(dá)到平衡。同樣對(duì)于一個(gè)功率MOSFET器件,在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成,晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此并聯(lián)工作沒(méi)有問(wèn)題。但是,當(dāng)深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對(duì)其傳輸特性的影響,以及各個(gè)晶胞單元等效電路模型,就會(huì)發(fā)現(xiàn),上述的理論只有在MOSFET進(jìn)入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通的狀態(tài)下才能成立,而在
- 關(guān)鍵字: MOSFET RDS ON 溫度系數(shù)
Vishay推出業(yè)界最小的芯片級(jí)MOSFET
- 日前,Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB,最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm,是迄今為止業(yè)界最小的芯片級(jí)功率MOSFET。 在種類繁多的便攜式設(shè)備中,20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池開(kāi)關(guān)和充電開(kāi)關(guān)應(yīng)用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間,以及/或是實(shí)現(xiàn)更多的功能。與市場(chǎng)上尺寸與之最接近的芯片級(jí)功率MOSFET相比,1mm x 1mm x 0.548mm的M
- 關(guān)鍵字: Vishay MOSFET Si8461DB Si8465DB
安森美推出24款新的30伏、N溝道溝槽MOSFET
- 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝, 為計(jì)算機(jī)和游戲機(jī)應(yīng)用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供更高的開(kāi)關(guān)性能。 新系列的MOSFET利用安森美半導(dǎo)體獲市場(chǎng)驗(yàn)證的溝槽技術(shù),提供優(yōu)異的導(dǎo)通阻抗[RDS(on)]及更高的開(kāi)關(guān)性能,用于個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)、服務(wù)器、游戲機(jī)、處理器穩(wěn)壓電源
- 關(guān)鍵字: 安森美 MOSFET 溝槽 同步降壓轉(zhuǎn)換器
理解功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗
- 本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗,并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程,從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。
- 關(guān)鍵字: MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗
mosfet-90n10介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)mosfet-90n10的理解,并與今后在此搜索mosfet-90n10的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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