mosfet-90n10 文章進(jìn)入mosfet-90n10技術(shù)社區(qū)

IR推出150V和200V MOSFET

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 、不斷電系統(tǒng) (UPS)、反相器和DC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器等工業(yè)應(yīng)用提供極低的閘電荷 (Qg)。　　與其它競(jìng)爭(zhēng)器件相比，IR 150V MOSFET提供的總閘電荷降低了高達(dá)59%。至于新款200V MOSFET的閘電荷，則比競(jìng)爭(zhēng)器件的降低了多達(dá)33%。　　IR亞洲區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“隨著DC-DC功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用技術(shù)的日
關(guān)鍵字： IR MOSFET SMPS UPS 反相器 DC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器

Diodes 推出適合LCD背光應(yīng)用的新型MOSFET 器件

　　Diodes 公司進(jìn)一步擴(kuò)展其多元化的MOSFET 產(chǎn)品系列，推出15款針對(duì) LCD 電視和顯示器背光應(yīng)用的新型器件。新器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的TO252和SO8 封裝，具有高功率處理和快速開(kāi)關(guān)功能，可滿(mǎn)足高效CCFL驅(qū)動(dòng)器架構(gòu)的要求。　　Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場(chǎng)總監(jiān)梁后權(quán)表示：“30V 額定雙N溝道DMN3024LSD 采用SO8 封裝，適用于推挽式逆變器，可比分立式元件節(jié)省更多的空間。對(duì)于需要一對(duì)互補(bǔ)器件的全橋和半橋拓?fù)?，DMC3028LSD 可提供集成的高性能N 和 P 溝道 MO
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET LCD背光 CCFL驅(qū)動(dòng)器

IR 推出IRF6718 DirectFET MOSFET

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on))，并且使動(dòng)態(tài)ORing、熱插拔及電子保險(xiǎn)絲等DC開(kāi)關(guān)應(yīng)用達(dá)到最佳效果。　　IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術(shù)，提供極低的通態(tài)電阻(在10V Vgs時(shí)典型為0.5mΩ)，同時(shí)比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%。新器件大幅減少了有關(guān)旁路元件的傳導(dǎo)
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飛兆半導(dǎo)體推出一款單一P溝道MOSFET器件

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話(huà)、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時(shí)提供64mOhm之RDS(ON) 值，較同類(lèi)解決方案低15%，且占位面積僅為1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同時(shí)減少了電路板空間需求。該器件采用WL-CSP封裝，比占位面積相似的傳統(tǒng)塑料封裝MOSFET具有更佳功耗和傳導(dǎo)損耗特性。FDZ197P
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ST公布今年第二季度及上半年財(cái)報(bào)

　　意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼：STM)公布截至2009年6月27日的第二季度及上半年的財(cái)務(wù)報(bào)告。　　意法半導(dǎo)體2009年第2季度收入總計(jì)19.93億美元，包含被ST-Ericsson合并的前愛(ài)立信移動(dòng)平臺(tái)的全部業(yè)務(wù)，和1800萬(wàn)美元的技術(shù)授權(quán)費(fèi)。凈收入環(huán)比增幅20%，反映了意法半導(dǎo)體所在的所有市場(chǎng)以及全部地區(qū)的需求回暖，特別是中國(guó)和亞太地區(qū)的需求增長(zhǎng)強(qiáng)勁。因?yàn)樯虡I(yè)大環(huán)境的原因，在所有市場(chǎng)以及各地區(qū)第2季度的凈收入低于去年同期水平，但電信市場(chǎng)和亞太地區(qū)的表現(xiàn)則例外。　　總裁兼首席執(zhí)行官 Car
關(guān)鍵字： ST MOSFET MEMS GPS 無(wú)線(xiàn)寬帶

半導(dǎo)體C-V測(cè)量基礎(chǔ)

　　通用測(cè)試　　電容-電壓(C-V)測(cè)試廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測(cè)量還可以對(duì)其他類(lèi)型的半導(dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析，包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件、有機(jī)TFT顯示器、光電二極管、碳納米管(CNT)和多種其他半導(dǎo)體器件。　　這類(lèi)測(cè)量的基本特征非常適用于各種應(yīng)用和培訓(xùn)。大學(xué)的研究實(shí)驗(yàn)室和半導(dǎo)體廠商利用這類(lèi)測(cè)量評(píng)測(cè)新材料、新工藝、新器件和新電路。C-V測(cè)量對(duì)于產(chǎn)品和良率增強(qiáng)工程師也是極其重要的，
關(guān)鍵字：吉時(shí)利 C-V測(cè)試半導(dǎo)體 MOSFET MOSCAP

Linear 推出同步降壓型 DC/DC 控制器

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出低靜態(tài)電流、兩相雙路輸出同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3858/-1。該器件在一個(gè)輸出有效時(shí)僅消耗 170uA 電流，而兩個(gè)輸出都有效時(shí)消耗 300uA。兩個(gè)輸出都關(guān)斷時(shí)，LTC3858/-1 僅消耗 8uA，非常適用于汽車(chē)和筆記本電腦應(yīng)用。LTC3858/-1 的 4V 至 38V 寬輸入電源范圍能夠針對(duì)負(fù)載突降和冷車(chē)發(fā)動(dòng)情況所常見(jiàn)的汽車(chē)寬輸入電壓瞬變提供保護(hù)作用，并涵蓋多種電池化學(xué)組成。輸出電流高達(dá) 20A
關(guān)鍵字： Linear MOSFET 控制器

NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品

　　恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號(hào)為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導(dǎo)通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無(wú)損耗封裝：LFPAK)中擁有最低導(dǎo)通電阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦現(xiàn)有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術(shù)于一體，可在各種嚴(yán)苛應(yīng)用條件下
關(guān)鍵字： NXP MOSFET PSMN1R2-25YL Power-SO8

Fairchild推出雙MOSFET解決方案FDMC8200

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)業(yè)界領(lǐng)先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 DC-DC 設(shè)計(jì)提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側(cè)) 和同步 (低側(cè)) 30V N溝道MOSFET，二者均使用的專(zhuān)用先進(jìn)高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術(shù)，提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)，這些性能最大限度地
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET PowerTrench FDMC8200

Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件

　　Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封裝，包含一對(duì)互補(bǔ)100V增強(qiáng)式MOSFET，性能可媲美體積更大的獨(dú)立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路，應(yīng)用范圍包括直流風(fēng)扇和逆變器電路、D類(lèi)放大器輸出級(jí)以及其他多種48V應(yīng)用。　　Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場(chǎng)總監(jiān)梁后權(quán)指出：“這個(gè)N通道和P通道組合的MOSFET能夠代替采用SOT223及DPak (TO252) 封裝的同等器件，有助減省電路板空間及元件數(shù)目，同時(shí)簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。比方說(shuō)，SO8充分發(fā)揮了
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET ZXMC10A816

Diodes推出新型MOSFET 半橋器件

　　Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝，為空間受限的應(yīng)用減少了元件數(shù)量和PCB尺寸，極大地簡(jiǎn)化了直流風(fēng)扇和 CCFL 逆變器電路設(shè)計(jì)。　　Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場(chǎng)總監(jiān)梁后權(quán)指出：“ZXMHC 元件為SO8封裝，包含兩對(duì)互補(bǔ)N型和P型MOSFET，可取代四個(gè)分立式SOT23封裝的MOSFET或兩個(gè)SO8 互補(bǔ)MOSFET 封裝。對(duì)于現(xiàn)有不同類(lèi)型的電機(jī)或其它感性負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置來(lái)說(shuō)，這意味著可節(jié)省至少一半的PCB占板面積，同時(shí)大幅降低整體存貨成本?！? 　　ZXM
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Maxim推出低電壓、降壓調(diào)節(jié)器

　　Maxim推出內(nèi)置升壓開(kāi)關(guān)的低電壓、降壓調(diào)節(jié)器MAX17083。該器件專(zhuān)為空間緊張的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，在微小的16mm² TQFN封裝中集成了雙路n溝道MOSFET功率開(kāi)關(guān)。內(nèi)部25mΩ、低邊功率MOSFET能夠提供高達(dá)5A的持續(xù)負(fù)載電流，在保證高效率的同時(shí)減少了元件數(shù)量。MAX17083無(wú)需外部肖特基二極管以及外部升壓二極管，進(jìn)一步節(jié)省了空間和成本。這款小型降壓調(diào)節(jié)器理想用于超便攜移動(dòng)PC (UMPC)、上網(wǎng)本、便攜式游戲機(jī)及其它緊湊的低功耗應(yīng)用。　　MAX17083采用電流模式
關(guān)鍵字： Maxim 降壓調(diào)節(jié)器 MAX17083 MOSFET

英飛凌推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列

　　今日在深圳舉辦的中國(guó)國(guó)際電源展覽會(huì)上，英飛凌科技宣布推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個(gè)產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和品質(zhì)因素(FOM, Qg * RDS(on))特性，可在任何負(fù)載條件下，降低開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)、電機(jī)控制和快速開(kāi)關(guān)D類(lèi)功放等電源產(chǎn)品的功率損耗并改善其整體能效。　　OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列，是交流/直流開(kāi)關(guān)模式電源(譬如面向全球市場(chǎng)的臺(tái)式機(jī)和計(jì)算機(jī)服務(wù)器裝備的電源)的同步整流的
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET OptiMOS SMPS

解決SMPS難題

本文描述了不對(duì)稱(chēng)半橋轉(zhuǎn)換器的基本工作原理，并介紹了一種相比普通分立式MOSFET及PWM控制器解決方案具有顯著優(yōu)勢(shì)的集成式功率開(kāi)關(guān)。此外還闡釋了這種專(zhuān)門(mén)為軟開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器而設(shè)計(jì)的功率開(kāi)關(guān)如何降低設(shè)計(jì)總成本和元件數(shù)目、減小尺寸和重量，同時(shí)提高效率、產(chǎn)能和系統(tǒng)可靠性。
關(guān)鍵字：飛兆 SMPS PWM MOSFET PCB版圖設(shè)計(jì) 200906

IR推出AUIRS2003S 200V IC

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出AUIRS2003S 200V IC，適用于低、中、高壓汽車(chē)應(yīng)用，包括汽車(chē)預(yù)電充開(kāi)關(guān)、步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。　　AUIRS2003S符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，是一款堅(jiān)固耐用、靈活的高速功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器，并備有高、低側(cè)參考輸出通道，適用于惡劣的汽車(chē)環(huán)境及引擎罩下的應(yīng)用。這款輸出驅(qū)動(dòng)器具有高脈沖電流緩沖級(jí)，可將驅(qū)動(dòng)器跨導(dǎo)降至最低，而浮動(dòng)通道可在最高200V的高側(cè)配置中驅(qū)動(dòng)一個(gè) N 溝道功率MOSFET。
關(guān)鍵字： IR MOSFET 驅(qū)動(dòng)器IC