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基于場效應(yīng)管的直流電機(jī)驅(qū)動控制電路設(shè)計

  •   1 引言   長期以來,直流電機(jī)以其良好的線性特性、優(yōu)異的控制性能等特點(diǎn)成為大多數(shù)變速運(yùn)動控制和閉環(huán)位置伺服控制系統(tǒng)的最佳選擇。特別隨著計算機(jī)在控制領(lǐng)域,高開關(guān)頻率、全控型第二代電力半導(dǎo)體器件(GTR、GTO、MOSFET、IGBT等)的發(fā)展,以及脈寬調(diào)制(PWM)直流調(diào)速技術(shù)的應(yīng)用,直流電機(jī)得到廣泛應(yīng)用。為適應(yīng)小型直流電機(jī)的使用需求,各半導(dǎo)體廠商推出了直流電機(jī)控制專用集成電路,構(gòu)成基于微處理器控制的直流電機(jī)伺服系統(tǒng)。但是,專用集成電路構(gòu)成的直流電機(jī)驅(qū)動器的輸出功率有限,不適合大功率直流電機(jī)驅(qū)動需求
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Vishay推出 P通道功率MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用 PowerPAK SC-75 封裝的 p 通道功率 MOSFET 系列,該系列包括額定電壓介于 8V~30V 的多個器件,這些是采用此封裝類型的業(yè)界首批具有上述額定電壓的器件。   日前推出的這些器件包括業(yè)界首款采用 PowerPAK SC-75 封裝的 -12V (SiB419DK) 及 -30V (SiB415DK) 單 p 通道功率 MOSFET。先前宣布推出的 SiB417DK 為首款 -8V 的此類器件,目前此類器件又
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PAM推出內(nèi)置MOSFET高壓30瓦LED驅(qū)動器PAM2842

  •   PAM(Power Analog Microelectronics)推出內(nèi)置MOSFET高壓30瓦的LED驅(qū)動器,采用臺積電的雙極型CMOS-DMOS(BCD)工藝制成。具有從5.5V 到40V很寬的輸入電壓范圍,它是一個非常靈活的LED驅(qū)動器,可以工作于升壓、降壓、升降壓(SEPIC)三種工作方式。它可以利用內(nèi)置的MOSFET來驅(qū)動10個3瓦的LED,或者30個1瓦的LED。由于它在很寬的電壓范圍內(nèi)的恒流特性和95%以上的效率,使它不論是在輸入電壓跌落或很高的環(huán)境溫度時,都能正常工作。因?yàn)槔昧伺_積
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凌力爾特推出寬輸入電壓范圍同步降壓型DC/DC 控制器

  •   凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出寬輸入范圍同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器控制器 LTC3851,該器件驅(qū)動所有 N 溝道功率 MOSFET 級并具有一致或比例跟蹤功能。4V 至 38V 的輸入范圍促成種類繁多的應(yīng)用,包括大多數(shù)中間總線電壓和電池化學(xué)組成。強(qiáng)大的片上 MOSFET 柵極驅(qū)動器允許使用大功率外部 MOSFET,以在 0.8V 至 5.5V 的輸出電壓范圍內(nèi)產(chǎn)生高達(dá) 20A 的輸出電流,從而使 LTC3851 非常適合于負(fù)載點(diǎn)需求。應(yīng)用包括汽車、工業(yè)、
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Maxim推出2.2MHz、雙路輸出DC-DC轉(zhuǎn)換器

  •   Maxim Integrated Products推出能夠提供2A和1A輸出電流的雙路輸出、高開關(guān)頻率DC-DC轉(zhuǎn)換器MAX5098A/MAX5099.轉(zhuǎn)換器直接采用汽車電池供電,集成了能承受高達(dá)80V瞬態(tài)電壓的拋負(fù)載保護(hù)電路,器件的工作電壓可低至4.5V,以適應(yīng)冷啟動情況。另外,器件具有可編程的200kHz至2.2MHz寬開關(guān)頻率范圍,從而可以工作于AM頻段以外的頻率。可靠的保護(hù)特性和較寬開關(guān)頻率范圍使MAX5098A/MAX5099成為高端設(shè)備、儀表盤顯示器和汽車廣播等汽車應(yīng)用的理想選擇。   
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中國電動自行車消費(fèi)需求減弱 沖擊半導(dǎo)體市場

  •   據(jù)iSuppli公司,預(yù)計2008年中國市場電動自行車出貨量將低于2007年,與2005年大增80%以及過去10年94%的復(fù)合年增長率形成鮮明對比。2008年中國電動自行車產(chǎn)量將達(dá)到2110萬輛,營業(yè)收入為29億美元。比2007年2130萬的出貨量下降不到1%。這意味著今年中國的多數(shù)電動自行車廠商可能遭遇虧損。 圖  2004-2012年中國電動自行車產(chǎn)量與預(yù)測 來源:iSuppli,2008年6月   中國電動自行車廠商目前面臨更加不確定的消費(fèi)者以及更加嚴(yán)格的政府法規(guī)。經(jīng)過10年
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凌力爾特公司推出0V至18V理想二極管控制器 LTC4352

  •   MOSFET 理想二極管控制器在低壓應(yīng)用中,為堅固的電源“或”提供快速接通和關(guān)斷   凌力爾特公司(Linear Technology Corporation)日前推出 0V 至 18V 理想二極管控制器 LTC4352,該器件使多個電源能夠進(jìn)行低損耗“或”連接而對電源電壓有最小干擾。LTC4352 調(diào)節(jié)外部 N 溝道 MOSFET 上的正向壓降,以確保在二極管“或”應(yīng)用中電源之間平滑傳送電流。在低壓系統(tǒng)中,控制器之間的慢切換導(dǎo)
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提升輕負(fù)載和高頻率下DC/DC的轉(zhuǎn)換效率

中國功率半導(dǎo)體器件市場正經(jīng)歷風(fēng)雨轉(zhuǎn)折

  •   受到市場需求減緩以及庫存調(diào)整等問題的影響,2007年,中國功率器件市場增長率較2006年出現(xiàn)較大幅度的下降,市場銷售額為762.3億元,比2006年增長了13.3%。                   在中國功率器件市場中,電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置,MOSFET位于第二位,大功率晶體管位于第三位,此三大產(chǎn)品銷售額占到整體市場的80%
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卓芯微電子推出P型MOSFET集成肖特基產(chǎn)品

  •   卓芯微電子(Innova-Semi)推出P型MOSFET集成肖特基產(chǎn)品RCRH010FA 和RCRH003FB。P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管采用高密度DMOS生產(chǎn)工藝,具有極低的導(dǎo)通電阻,并且在低至1.8V的柵極電壓下仍可正常開啟。配合使用的肖特基芯片采用Low VF工藝,同時具有極佳的反向漏電特性。   該兩款產(chǎn)品主要應(yīng)用在充電電路,DC/DC 轉(zhuǎn)換器和LED控制電路。整個器件在正向?qū)〞r具有很低的正向壓降,不僅滿足使用USB接口進(jìn)行充電的要求,同時具有極低的功率耗散,提升整個系統(tǒng)的能效。   這兩款產(chǎn)
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汽車電子功率MOSFET技術(shù)

  • 過去15到20年間,汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪?..
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  汽車電子系統(tǒng)  系統(tǒng)功率  

Maxim推出高壓、高速M(fèi)OSFET驅(qū)動器

  •   Maxim推出高壓、高速M(fèi)OSFET驅(qū)動器MAX15018/MAX15019,用于驅(qū)動高邊和低邊n溝道MOSFET。器件具有高端(HS)引腳,允許高達(dá)125V的輸入電壓,該指標(biāo)優(yōu)于競爭產(chǎn)品的105V電壓。MAX15018/MAX15019與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的HIP2100IB和HIP2101IB引腳兼容,理想用于必須承受100V或更高瞬態(tài)電壓的電信電源產(chǎn)品中,保證足夠的安全裕量。   MAX15018/MAX15019提供3A源出/吸入峰值電流,傳輸延遲僅為35ns (典型值),驅(qū)動器之間能夠保證2ns (
  • 關(guān)鍵字: Maxim  MOSFET  驅(qū)動器  TTL  

ST推出250A功率MOSFET 提高電機(jī)驅(qū)動能效

  •   意法半導(dǎo)體日前推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管,新產(chǎn)品擁有市場上最低的導(dǎo)通電阻,可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低,并提高系統(tǒng)性能。   新產(chǎn)品STV250N55F3是市場上首款整合ST PowerSO-10™ 封裝和引線帶楔焊鍵合技術(shù)的功率MOSFET,無裸晶片封裝的電阻率極低。新產(chǎn)品采用ST的高密度STripFET III™ 制程,典型導(dǎo)通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優(yōu)點(diǎn)包括:開關(guān)損耗低,抗雪崩性能強(qiáng)。除提高散熱效率外,九線源極連接配置還有助于
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性能差異化功率器件制造面臨多重挑戰(zhàn)

  •   不同應(yīng)用對功率半導(dǎo)體器件提出了新的需求,包括低功耗、高可靠性、高速度、小尺寸等,這些新的需求又對功率半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)工藝提出了種種新的挑戰(zhàn)。   天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司技術(shù)部部長饒祖剛表示,性能不同的功率半導(dǎo)體器件滿足了差異化應(yīng)用的需求,而這些不同功率半導(dǎo)體器件對制造工藝提出了多重挑戰(zhàn)。   功率器件要滿足差異化應(yīng)用需求   功率半導(dǎo)體器件工作在大功率條件下,除了要具備低功耗的特點(diǎn)外,不同的應(yīng)用還提出了一些新需求。例如,在電動車、混合動力汽車這樣的應(yīng)用中,功率半導(dǎo)體器件需要
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凌力爾特推出100V高端/低端N溝道高速M(fèi)OSFET驅(qū)動器

  •   凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅(qū)動器 LTC4446,用來驅(qū)動雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅(qū)動器與功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起,可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器,或者可以配置為快速動作的高壓 DC 開關(guān)。   這個強(qiáng)大的驅(qū)動器以 1.2Ω 下拉阻抗驅(qū)動高端 MOSFET 時可以提供高達(dá) 2.5A 的電流
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