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單相逆變器智能功率模塊應(yīng)用電路設(shè)計(jì)
- 1 引言 智能功率模塊(Intelligent Power Module,IPM)以開(kāi)關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護(hù)功能、抗干擾能力強(qiáng)、無(wú)須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點(diǎn)在電力電子領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應(yīng)用電路設(shè)計(jì)和在單相逆變器中的應(yīng)用。 2 IPM的結(jié)構(gòu) IPM由高速、低功率IGWT、優(yōu)選的門級(jí)驅(qū)動(dòng)器及保護(hù)電路構(gòu)成。其中,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
- 關(guān)鍵字: IPM MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 模塊
飛兆半導(dǎo)體的 AEC-Q101 低壓 30/40V MOSFET
- 為汽車電子設(shè)計(jì)提供性能、效率和節(jié)省空間方面的優(yōu)勢(shì) 飛兆半導(dǎo)體擴(kuò)充其低RDS(ON) MOSFET產(chǎn)品系列, 推出11種面向電機(jī)控制應(yīng)用的新型30/40V器件 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 擴(kuò)充其AEC-Q101認(rèn)證的30V和40V MOSFET產(chǎn)品系列,推出11種新型器件。這些低壓PowerTrench®MOSFET專為優(yōu)化汽車應(yīng)用的效率、性能和線路板空間而設(shè)計(jì),其應(yīng)用包括動(dòng)力轉(zhuǎn)向、集成啟動(dòng)器/交流發(fā)電機(jī),
- 關(guān)鍵字: 30/40V AEC-Q101 MOSFET 低壓 飛兆半導(dǎo)體 汽車電子 汽車電子
降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的MOSFET選擇
- 同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器都采用控制器和外接功率MOSFET的結(jié)構(gòu)。控制器生產(chǎn)商會(huì)在數(shù)據(jù)資料中給出參數(shù)齊全的應(yīng)用電路,但用戶的使用條件經(jīng)常與典型應(yīng)用電路不同,要根據(jù)實(shí)際情況改變功率MOSFET的參數(shù)。 對(duì)功率MOSFET的要求 同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的輸入及輸出部分電路如圖1所示,它是由帶驅(qū)動(dòng)MOSFET的控制器及外接開(kāi)關(guān)管(Q1)及同步整流管(Q2)等組成。目前,Q1和Q2都采用N溝道功率MOSFET,因?yàn)樗鼈兡軡M足DC/DC轉(zhuǎn)換器在輸入電壓、開(kāi)關(guān)頻率、輸出電流及減少損耗上的要求。 圖
- 關(guān)鍵字: MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù)
飛兆半導(dǎo)體推出11種MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品
- 飛兆半導(dǎo)體的 MicroFET™系列產(chǎn)品可在廣泛的低電壓應(yīng)用中 節(jié)省空間并延長(zhǎng)電池壽命 擴(kuò)展的MicroFET產(chǎn)品系列提供了在其電壓范圍內(nèi) 最完備的2x2mm MLP封裝MOSFET器件 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出11種新型MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品,提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強(qiáng)型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0
- 關(guān)鍵字: Fairchild MicroFET™ MOSFET 單片機(jī) 飛兆 嵌入式系統(tǒng)
Zetex 高電壓MOSFET導(dǎo)通電阻最大僅150mΩ
- Zetex Semiconductors日前推出一款迎合預(yù)偏置供應(yīng)電路要求的新型高電壓MOSFET。 ZXMN0545G4是一款450V強(qiáng)化型N信道器件,可用于簡(jiǎn)單的線性調(diào)節(jié)器,在起動(dòng)階段為脈沖寬度調(diào)變(PWM)集成電路供應(yīng)所需電壓,然后在轉(zhuǎn)換器完全激活后關(guān)掉。相比于其它倚賴電阻器的解決方案,這種以MOSFET為基礎(chǔ)的解決方案有助改善系統(tǒng)效率和減省起動(dòng)時(shí)間。 Zetex亞洲副總裁林博文指出,新MOSFET采用獨(dú)特四腳型SOT223封裝,能發(fā)揮最大的抗高壓爬電效能。器件采用嶄新導(dǎo)線
- 關(guān)鍵字: MOSFET Zetex 高電壓 電阻 電位器
IR推出100V集成MOSFET解決方案
- 為PoE應(yīng)用節(jié)省80%的占位空間 國(guó)際整流器公司近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個(gè)HEXFET MOSFET集成在一個(gè)功率MLP封裝內(nèi),可滿足以太網(wǎng)供電(Power-over-Ethernet,簡(jiǎn)稱PoE)應(yīng)用的需求。這款新器件符合針對(duì)網(wǎng)絡(luò)和通信基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的IEEE802.3af標(biāo)準(zhǔn),例如以太網(wǎng)交換器、路由器和集線器等,可提供每端口15W的功率,并能取代4個(gè)獨(dú)立SOT-223封裝的MOSFET。其減少的占位面積相當(dāng)于節(jié)省了80%的空間,或相當(dāng)于典型48端口電路板中3
- 關(guān)鍵字: IR MOSFET 解決方案
MOSFET的開(kāi)關(guān)速度將決定未來(lái)POL電源的性能
- 一個(gè)采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達(dá)2MHz/相位下工作,并提供120A電流,且滿足負(fù)載點(diǎn)電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。 與十年之前以單元密度和導(dǎo)通電阻作為器件設(shè)計(jì)的主要考慮因素相比,功率MOSFET技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著一場(chǎng)重大的變革。如今,并在可以預(yù)見(jiàn)的未來(lái),開(kāi)關(guān)速度正在逐步成為負(fù)載點(diǎn)(POL)電源應(yīng)用的決定性因素。對(duì)于工作電壓為1V或以下且對(duì)時(shí)鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言,開(kāi)關(guān)速度是滿足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率MOSFET
- 關(guān)鍵字: MOSFET 模擬IC 電源
LCD Driver IC 測(cè)試方法及其對(duì)測(cè)試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)
- LCD Driver IC 測(cè)試方法及其對(duì)測(cè)試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)(2) 假設(shè)被測(cè)的是256色、384 LCD輸出且具有Dot 翻轉(zhuǎn)功能的IC,那么由公式可得需要測(cè)試的電壓值個(gè)數(shù)為: 256(顏色深度)x384(pin數(shù))x2(Dot 翻轉(zhuǎn)) =196,608 一般的DC測(cè)試部件的測(cè)試時(shí)間為幾到幾十個(gè)uS,由此可知測(cè)試時(shí)間將會(huì)比較長(zhǎng)。如果IC的色彩深度高一些的話(65535色),測(cè)試時(shí)間根本無(wú)法讓人接受,因此在進(jìn)行此類測(cè)試時(shí)需要使用數(shù)字采樣器(Dig
- 關(guān)鍵字: LCD Driver IC 液晶顯示 LCD
LCD Driver IC 測(cè)試方法及其對(duì)測(cè)試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)
- LCD Driver IC 測(cè)試方法及其對(duì)測(cè)試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)LCD顯示器件在中國(guó)已有二十多年的發(fā)展歷程,已經(jīng)從最初的以數(shù)字顯示為主轉(zhuǎn)變?yōu)橐渣c(diǎn)陣字符、圖形顯示為主。LCD顯示設(shè)備以其低電壓驅(qū)動(dòng)、微小功耗、能夠與CMOS電路和LSI直接匹配、具有極薄的扁平結(jié)構(gòu)、可以在極亮的環(huán)境光下使用、工藝簡(jiǎn)單等等特點(diǎn)成為了極有發(fā)展前景的顯示器件。 LCD顯示器件種類繁多、發(fā)展迅速,從種類到原理、從結(jié)構(gòu)到效應(yīng)、從使用方式到應(yīng)用范圍差異很大,從測(cè)試原理上來(lái)說(shuō)也就會(huì)有一些不同,目前比較常用的是STN和TFT的LCD顯示器件。由
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