首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> mram

Everspin科技推出業(yè)界首款16Mb MRAM

  • 　　磁性隨機存儲器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產(chǎn)品的領(lǐng)導廠商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM， 進一步強化了該公司在MRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導地位?，F(xiàn)在，所有需要無電數(shù)據(jù)保持以及SRAM性能的應(yīng)用都可使用具有非揮發(fā)性、高性能、以及高可靠性優(yōu)勢的MRAM技術(shù)。 　　Everspin科技公司首席運營官Saied Tehrani表示：“Everspin將持續(xù)快速擴展MRAM產(chǎn)品組合，以協(xié)助更多客戶實現(xiàn)產(chǎn)品差異化的目標。根據(jù)產(chǎn)品發(fā)展藍圖，我們將不斷提高MR
  • 關(guān)鍵字： Everspin  MRAM  

韓國政府攜手三星與海力士　研發(fā)MRAM芯片

  • 　　根據(jù)韓聯(lián)社(Yonhap)報導，韓國政府宣布，已與半導體廠三星電子(Samsung Electronics)以及海力士(Hynix)共同合作，進行磁性隨機存儲器(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory;MRAM)的研發(fā)專案，以維持韓國在半導體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先地位。 　　韓國知識經(jīng)濟部半導體與面板部門首長 Park Tae-sung表示，一旦STT-MRAM研發(fā)完成，韓國于2015年將可掌握大約45%的30奈米制程存儲器芯片市場，并預(yù)估該市場于2
  • 關(guān)鍵字： Samsung  芯片制造  MRAM  

存儲芯片市場前景令人堪憂

  • 　　去年，一場嚴重的“價格寒流”席卷了整個存儲芯片領(lǐng)域，存儲芯片市場亦受到了前所未有的沖擊。業(yè)界巨頭三星電子2007年第四季度財務(wù)報告顯示，由于計算機存儲芯片的平均銷售價格迅速下滑，該公司的利潤下降了6.6%。DRAM生產(chǎn)商爾必達(Elpida)也宣布其銷售額下滑了34%，并且第三財季凈虧損達1.132億美元。臺灣地區(qū)廠商茂德科技也因存儲芯片價格下跌和供過于求而宣布虧損。 　　存儲芯片市場陰霾的表現(xiàn)，迫使許多廠商削減生產(chǎn)或推遲了Fab的投產(chǎn)計劃。美光(Micron)近期就宣布，將
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  存儲芯片  MRAM  PRAM  

磁阻式隨機存儲器將挑戰(zhàn)閃存

  • 　　磁阻式隨機存儲器（MRAM）將優(yōu)于快閃記憶體（Flash閃存）？飛思卡爾半導體正試圖證明這一點。 　　根據(jù)消息，飛思卡爾半導體（前摩托羅拉公司芯片部門）周一宣布，它已經(jīng)獲得了幾個風險投資公司的加入。據(jù)悉他們將聯(lián)合成立一家命名為Everspin科技的獨立技術(shù)公司，側(cè)重于研發(fā)制造MRAM（磁阻式隨機存儲器），其目的是為了“擴大MRAM及其相關(guān)產(chǎn)品的市場份額”。 　　MRAM與快閃記憶體不同，它使用了磁性材料與常規(guī)硅電路相結(jié)合記錄方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高
  • 關(guān)鍵字： MRAM  快閃記憶體  Flash  DRAM  Everspin  

相變內(nèi)存成為研發(fā)熱點 趕超F(xiàn)eRAM與MRAM

  • 　　相變內(nèi)存(Phase Change Memory，PCM)是近年來內(nèi)存業(yè)界熱門研發(fā)主題之一，針對此一新式內(nèi)存技術(shù)發(fā)展趨勢與廠商專利現(xiàn)況，工研院IEK-ITIS計劃發(fā)表最新研究報告指出，臺灣地區(qū)已有不少廠商投入該技術(shù)的研發(fā)，相較于FeRAM與MRAM，在PCM領(lǐng)域發(fā)展機會較大。   　　工研院IEK-ITIS計劃分析師陳俊儒表示，相變化材料在1970年代開始有重量級的公司投入研究資源，但受限于當時半導體工藝技術(shù)，相變化材料在2000年以前的商業(yè)應(yīng)用還是以光盤片為主
  • 關(guān)鍵字： 消費電子  內(nèi)存  研發(fā)  MRAM  存儲器  消費電子  

MRAM：內(nèi)存的新潮流(下)

  • Freescale所提供的MRAM替代性方案在Freescale的器件中，自由的和固定的磁體層并不是單純的鐵磁板。相反，它們是合成的反鐵磁體(synthetic antiferromagnet，SAF)三明治結(jié)構(gòu)，由兩個反向?qū)实蔫F磁材料層以及兩層材料之間所夾的一層非磁性材料耦合隔層而組成。圖2示出了一個SAF位單元。SAF三明治結(jié)構(gòu)產(chǎn)生磁致電阻效應(yīng)的能力并不會因為它的混合式結(jié)構(gòu)而受到影響。對準和反對準只取決于MTJ結(jié)構(gòu)兩側(cè)相對的兩層材料。將兩層板材組成SAF，就可以讓每層板變成“磁矩平衡”—凈外磁場為零
  • 關(guān)鍵字： 0702_A  MR2A16A  MRAM  消費電子  雜志_技術(shù)長廊  存儲器  消費電子  

MRAM：內(nèi)存的新潮流(上)

  • 摘要： Freescale運用自旋電子技術(shù)制作了新的非易失性RAM，本文對此進行了詳細介紹。關(guān)鍵詞： MRAM；自旋電子；位線；字線 在半導體業(yè)界，微處理器是一種更有魅力，利潤更高，而且更難以設(shè)計的產(chǎn)品，而內(nèi)存芯片在推動半導體技術(shù)向前發(fā)展的過程中則會起到關(guān)鍵性的作用。Intel早期的成功，來源于其1970年推出的、當時業(yè)界第一款DRAM芯片，1kb的1103。兩年后，1103成為業(yè)界銷售情況最好的內(nèi)存芯片，在很多新的系統(tǒng)設(shè)計中取代了磁芯存儲器。DRAM在過去的歲月中成為半導體技術(shù)發(fā)展
  • 關(guān)鍵字： 0701_A  MRAM  消費電子  雜志_技術(shù)長廊  存儲器  消費電子  
共52條 4/4 |‹ « 1 2 3 4
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473