NVE對(duì)Everspin提自旋電子MRAM專利侵權(quán)訴訟

　　專門授權(quán)自旋電子(spintronics)磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)技術(shù)的自旋電子組件開發(fā)商N(yùn)VR公司表示，該公司已于美國(guó)聯(lián)邦法院對(duì) MRAM 供貨商Everspin Technologies提出侵權(quán)訴訟，以捍衛(wèi)其自旋電子 MRAM 專利技術(shù)。

　　NVE公司指出，在美國(guó)明尼蘇達(dá)州地方法院提起的這項(xiàng)訴訟案指控Everspin侵犯了NVE公司的三項(xiàng) MRAM 專利。根據(jù)NVE公司表示，該侵權(quán)訴訟將尋求法院的禁制令，以迫使Everspin公司停止繼續(xù)使用該技術(shù)，并針對(duì)其侵權(quán)行為造成的NVE財(cái)務(wù)損失進(jìn)行求償。

　　「多年來(lái)我們已經(jīng)為此投入大量研發(fā)資源，現(xiàn)在我們將好好捍衛(wèi)我們的權(quán)利以保護(hù)這些投資。」NVE公司總裁兼CEO Daniel Baker在一份聲明中表示。

　　但Everspin公司并未立即對(duì)此訴訟發(fā)表任何評(píng)論。

　　NVE公司一直致力于商用化自旋電子組件--這項(xiàng)奈米技術(shù)主要是利用電子自旋(而非電荷)特性，以擷取、儲(chǔ)存并傳送信息。該公司利用該技術(shù)制造出許多高性能的自旋電子組件，包括傳感器與耦合器，以用于擷取與傳送信息;同時(shí)，該公司也授權(quán)自旋電子 MRAM 技術(shù)。

　　自1990年代即已展開研發(fā)的 MRAM 是一項(xiàng)非揮發(fā)性的內(nèi)存技術(shù)，通常被視為一種市場(chǎng)利基型技術(shù)，不過(guò)， MRAM 技術(shù)的支持者深信，該技術(shù)終將獲得市場(chǎng)的廣泛接受。