nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

日媒：中國半導(dǎo)體制造設(shè)備市場大幅增長

　　據(jù)韓聯(lián)社9月19日報道，韓國市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IHS和半導(dǎo)體業(yè)界19日消息，三星電子在今年第二季度整合元件制造商排名中位列第二，銷售額占有率為11.3%，與英特爾的差距縮小到3.4個百分點(diǎn)。　　今年第二季度三星電子銷售額達(dá)94.52億美元，排名第一的美國英特爾半導(dǎo)體銷售額達(dá)122.72億美元，市場份額為14.7%。　　三星與英特爾的市場份額差距在2012年達(dá)5.3個百分點(diǎn)，2013年為4.2個百分點(diǎn)，2014年3.4個百分點(diǎn)，2015年為3.2個百分點(diǎn)。雖然，今年第一季度差距拉大到4個百分點(diǎn)以上，但
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第二季NAND Flash品牌營收排行

　　第二季NAND Flash品牌商營收較上季成長3.4%，結(jié)束前兩季連續(xù)衰退的頹勢。　　受惠于中國智慧型手機(jī)品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求，第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊;TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，2016年第二季eMMC、用戶級固態(tài)硬碟與企業(yè)級固態(tài)硬碟的合約價跌幅開始收斂，通路端wafer價格更從四月起逐月走揚(yáng)，第二季NAND Flash品牌商營收逆勢季成長3.4%，結(jié)束前兩季連續(xù)衰退的頹勢。　　DRAM
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美光3D NAND創(chuàng)新低成本制程分析

　　美光公司日前開始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體，包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示，這款產(chǎn)品的連續(xù)讀取/寫入速度分別高達(dá)每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅(qū)動器(HDD)改善了90倍，據(jù)稱也更加耐用。　　Crucial SSD的售價為200美元，這使其成為筆記型電腦應(yīng)用最具吸引力的選項(xiàng)，而且我們發(fā)現(xiàn)有越來越多的電腦設(shè)備開始利用SSD取代傳統(tǒng)HDD。HDD也許將逐漸被市場所淘汰，不過必須承認(rèn)的
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TrendForce：市況逐步回穩(wěn)，第二季NAND Flash品牌商營收季成長3.4%

　　受惠于中國智能手機(jī)品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求，第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊。　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新報告顯示，第二季eMMC、消費(fèi)級固態(tài)硬盤與企業(yè)級固態(tài)硬盤的合約價跌幅開始收斂，渠道端wafer價格更從4月起逐月上揚(yáng)，第二季NAND Flash品牌商營收逆勢季成長3.4%，結(jié)束前兩季度連續(xù)衰退的頹勢。　　　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆谌?/li>
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武漢新芯“3D NAND”項(xiàng)目獲業(yè)內(nèi)權(quán)威專家一致認(rèn)可

武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管委會在武漢組織召開了武漢新芯“三維數(shù)據(jù)型閃存(3D NAND Flash)技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目可行性專家評審會，業(yè)內(nèi)專家對
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SK海力士業(yè)務(wù)重整 DRAM、NAND等目標(biāo)并進(jìn)

南韓半導(dǎo)體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業(yè)務(wù)組織，將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測器(CIS)等三大事業(yè)群分開各自營運(yùn)，事業(yè)群自行加強(qiáng)競爭力，而SK海力士
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三星、東芝競擴(kuò)產(chǎn)，NAND Flash恐跌三成

全球NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求，預(yù)估NAND Flash今年底報價將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli最
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8月NAND合約價較上月跌近2成

根據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，NAND Flash合約價在8月上旬下跌6~8%后，8月下旬續(xù)跌5~10%，亦即8月合約價較7月重跌11~18%
關(guān)鍵字：存儲器 NAND Flash芯片

三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

韓國三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤驅(qū)動器已經(jīng)開始進(jìn)行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比，具有包
關(guān)鍵字： 3D垂直閃存 V-NAND 固態(tài)硬盤

三星3D V-NAND固態(tài)盤加速企業(yè)閃存進(jìn)化

三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤存儲--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術(shù)帶來性能上的提升，節(jié)省電力消耗，并提高了急需
關(guān)鍵字：三星 V-NAND 3D 固態(tài)盤

SSD容量突破關(guān)鍵：3D存儲芯片大揭秘

現(xiàn)在每一個閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展，我們之前也報道過Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax舉辦了一場技術(shù)講解會3D Nand Technical Workshop，I
關(guān)鍵字： 3D NAND SSD 存儲技術(shù)

IC Insights：NAND與DRAM朝3D發(fā)展

隨著DRAM和NAND技術(shù)持續(xù)邁向更先進(jìn)幾何制程與多層次存儲器的道路，IC Insights密切觀察有關(guān)DRAM和NAND供應(yīng)商的最新動態(tài)，期望能提供更清楚的DRAM/NAND發(fā)展
關(guān)鍵字： NAND DRAM

NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解

我們使用的智能手機(jī)除了有一個可用的空間(如蘋果8G、16G等)，還有一個RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個這樣的芯片做存儲呢，這就是我
關(guān)鍵字： NOR flash Nand flash FlaSh

DSP硬件設(shè)計需要知道的注意事項(xiàng)

數(shù)字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時鐘性能超過100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備，通過CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP
關(guān)鍵字：硬件設(shè)計 FlaSh DSP

從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例

使用LPC2106的Timer 1 進(jìn)行的簡單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ，用戶可以從Flash或者SRAM中運(yùn)行這些代碼。示例展示了ARM構(gòu)架中中斷是如何操作
關(guān)鍵字： Flash SRAM 觸發(fā)中斷

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]