TrendForce：市況逐步回穩(wěn)，第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收季成長(zhǎng)3.4%

　　受惠于中國(guó)智能手機(jī)品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求，第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊。

　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新報(bào)告顯示，第二季eMMC、消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤與企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤的合約價(jià)跌幅開(kāi)始收斂，渠道端wafer價(jià)格更從4月起逐月上揚(yáng)，第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收逆勢(shì)季成長(zhǎng)3.4%，結(jié)束前兩季度連續(xù)衰退的頹勢(shì)。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，第三季各?xiàng)終端產(chǎn)品進(jìn)入需求旺季，除智能手機(jī)外，消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤也在下半年需求快速攀升，使第三季NAND Flash供貨吃緊的情況更顯著。DRAMeXchange預(yù)估在價(jià)格逐漸上揚(yáng)的趨勢(shì)下，第三季NAND Flash廠商的營(yíng)收成長(zhǎng)及營(yíng)業(yè)利益率將再一步提升，第四季也可望走揚(yáng)。

　　三星電子

　　第二季三星電子NAND Flash營(yíng)收季成長(zhǎng)約10%，營(yíng)業(yè)利益率也連兩季成長(zhǎng)。主要受惠于高容量企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤的市占率快速提升，及高容量eMMC/UFS、eMCP訂單追加力道明顯，位元出貨量季增約15%，而平均銷售單價(jià)季跌幅僅約5%。楊文得表示，從產(chǎn)品策略來(lái)看，三星3D-NAND Flash的固態(tài)硬盤市占率快速增加，現(xiàn)階段高容量eMMC/UFS與eMCP的市占率也大幅領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)者。此外，三星持續(xù)擴(kuò)增3D-NAND Flash的產(chǎn)能，因此今年的位元成長(zhǎng)率將優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。

　　東芝電子

　　東芝電子整體第二半導(dǎo)體廠已開(kāi)始量產(chǎn)3D-NAND Flash，預(yù)計(jì)在第四季可達(dá)每月4萬(wàn)片的水平，而目前主力制程維持15納米，占比將在第三季達(dá)80%以上，此外，TLC的產(chǎn)品也因主力策略客戶從第二季末開(kāi)始加單，比重也可在第三季接近50%。

　　未來(lái)東芝為了分散客戶過(guò)于集中的風(fēng)險(xiǎn)，將投入更多資源在開(kāi)發(fā)企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤，及提高消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤占有率兩個(gè)主軸，預(yù)估從第四季開(kāi)始，東芝的SSD應(yīng)用項(xiàng)目Flash消耗量占比有望接近30%。

　　西數(shù)

　　從西數(shù)2016會(huì)計(jì)年度第四季相關(guān)NAND Flash的表現(xiàn)來(lái)看，15納米制程的產(chǎn)品依舊為營(yíng)收獲利主要來(lái)源。西數(shù)3D-NAND Flash 64層堆棧產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)度加速，在單顆芯片容量可增加至512Gb的情況下，未來(lái)開(kāi)發(fā)重點(diǎn)將放在TLC架構(gòu)上以獲取更好的成本優(yōu)勢(shì)。

　　西數(shù)在本季增加約5%產(chǎn)能投片，今年度位元成長(zhǎng)率約為30%。3D-NAND Flash產(chǎn)出比重預(yù)估在明年底可達(dá)40%。楊文得表示，西數(shù)目前為擁有完整HDD與SSD等儲(chǔ)存產(chǎn)品線的領(lǐng)導(dǎo)公司。

　　SK海力士

　　第二季SK海力士NAND Flash營(yíng)收較第一季勁揚(yáng)37%，至8.82億美元。受惠于中國(guó)智能手機(jī)需求暢旺，及第一季基期較低的緣故，第二季SK海力士位元出貨量大幅季增52%。DRAMeXchange預(yù)估，在高容量eMMC/UFS、eMCP出貨，及SSD市占率開(kāi) 始提升的情況下，SK海力士第三季位元出貨量可望季成長(zhǎng)15%。

　　在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)度上，SK海力士最新制程的14納米在第三季出貨比重開(kāi)始增加，3D-NAND Flash則預(yù)計(jì)在今年底將有每月2～3萬(wàn)片的產(chǎn)能。

　　美光

　　美光2016會(huì)計(jì)年度第三季(3～5月)非揮發(fā)性內(nèi)存(Non-Volatile)位元出貨季衰退10%，平均銷售單價(jià)與位元成本則分別下滑6%與3%，總計(jì)NAND Flash營(yíng)收下滑接近15%，至9.08億美元。

　　美光本季度Fab10X新廠已小批量生產(chǎn)3D-NAND Flash，預(yù)計(jì)下個(gè)季度開(kāi)始量產(chǎn)。TLC 3D-NAND Flash的SATA SSD已送樣給各大PC-OEMs廠商測(cè)試，下一世代的3D-NAND Flash也即將推出，將可較前一代節(jié)省成本約30%，帶來(lái)更出色的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力。在3D-NAND Flash比重快速攀升的帶動(dòng)下，DRAMeXchange預(yù)估美光2017年的NAND Flash位元成長(zhǎng)率將高于產(chǎn)業(yè)平均。

　　英特爾

　　第二季英特爾NAND Flash營(yíng)收僅季跌0.5%，至5.54億美元。雖然在其他業(yè)者的強(qiáng)力挑戰(zhàn)下，平均銷售單價(jià)下跌超過(guò)10%，但因第二季位元出貨量增長(zhǎng)回升超過(guò)10%，營(yíng)收跌幅有限。

　　英特爾16與20納米制程的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤產(chǎn)品依舊為現(xiàn)階段主流產(chǎn)品組合，而萬(wàn)眾期盼的3D-NAND Flash(MLC)架構(gòu)的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤第三季底可順利量產(chǎn)，大大改善成本競(jìng)爭(zhēng)力。此外，大連晶圓廠機(jī)臺(tái)設(shè)備已移入并開(kāi)始試產(chǎn)，第四季量產(chǎn)出貨的時(shí)程不變。