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中天弘宇：攻克核心設(shè)計(jì)缺陷重建NOR閃存新生

閃存是當(dāng)今數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的重要介質(zhì)之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過(guò)隨著半導(dǎo)體工藝不斷發(fā)展，相比于NAND技術(shù)的快速演進(jìn)，NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因?yàn)榇嬖诓糠衷O(shè)計(jì)缺陷而讓NOR閃存無(wú)法繼續(xù)跟進(jìn)先進(jìn)工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵。不過(guò)，因?yàn)橹袊?guó)企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究，NOR閃存的應(yīng)用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過(guò)了近十年的研發(fā)積累，完成了對(duì)原有NOR閃存架構(gòu)的大膽創(chuàng)新，也可以說(shuō)是一個(gè)完全的顛覆。我們沿用了整個(gè)NOR的架構(gòu)，但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
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半導(dǎo)體設(shè)備廠商競(jìng)爭(zhēng)格局生變？

　　半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商的排名在2016-2017年間沒(méi)有發(fā)生太大的變化，但是這種格局正在發(fā)生變化。不僅Lam Research、ASML和東京電子的位次發(fā)生調(diào)轉(zhuǎn)，排名第一的應(yīng)用材料公司的寶座位置也岌岌可危。　　自1990年以來(lái)，應(yīng)用材料公司一直是半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者。在此之前的1989年，坐在鐵王座位置上的還是日本的東京電子，該公司2016年排名第四，今年前三季度的新排名則是第二。除了位次的變化，也許更重要的是，領(lǐng)頭羊和第二名的差距正在迅速收窄。　　2016年，應(yīng)用材料公司的市場(chǎng)份額比Lam
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突破瓶頸，英特爾重塑數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)架構(gòu)

2018年12月11日，以“智數(shù)據(jù)·創(chuàng)未來(lái)”為主題的2018中國(guó)存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)峰會(huì)在北京拉開帷幕。作為中國(guó)數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)行業(yè)頂級(jí)的交流平臺(tái)，本次峰會(huì)匯集了全球近百位來(lái)自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界的專家，就數(shù)據(jù)洪流時(shí)代下，企業(yè)如何實(shí)施數(shù)據(jù)戰(zhàn)略、深挖數(shù)據(jù)價(jià)值，變數(shù)據(jù)資源為實(shí)現(xiàn)更廣泛商業(yè)價(jià)值的數(shù)據(jù)資產(chǎn)等話題展開深入探討。
關(guān)鍵字：數(shù)據(jù) 存儲(chǔ) 傲騰 QLC 3D NAND

AI芯天下丨DRAM價(jià)格將持續(xù)下跌

　　全球DRAM市場(chǎng)上，三星一家獨(dú)大，接著是SK Hynix及美光，這三家的DRAM份額占到了全球95%左右，而華亞科被美光全資收購(gòu)之后，Nanya南亞科技也就變成全球第四大內(nèi)存芯片廠商了，雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見(jiàn)大巫?！　?　　DRAM連漲之后持續(xù)下跌　　在DRAM內(nèi)存漲價(jià)超過(guò)9個(gè)季度之后，內(nèi)存芯片價(jià)格終于在10月份大跌了一次，DRAMxChange稱10月份DRAM現(xiàn)貨價(jià)格跌了10%，預(yù)計(jì)2019年還會(huì)繼續(xù)跌20%。　　受此影響，全球第四大內(nèi)存芯片廠商南亞科
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存儲(chǔ)領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)加劇，3D NAND蝕刻逐步明朗化

　　3D NAND的出現(xiàn)也是因?yàn)?D NAND無(wú)法滿足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類型之分，為了提高其容量、降低成本，NAND的制造工藝也在不斷進(jìn)步，厚度開始不斷降低，但NAND閃存和處理器還是有很大不同的。雖然先進(jìn)的工藝帶來(lái)了更大的容量，但是其可靠性和性能卻在下降，因?yàn)楣に囋较冗M(jìn)，NAND的氧化層越薄，其可靠性也就越差，廠商就需要采取額外手段彌補(bǔ)這一問(wèn)題，這必然會(huì)提高成本，以至于在達(dá)到某個(gè)最高點(diǎn)之后完全抵消掉制造工藝帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)?！　　　?D NAND將思路從提高制造工藝轉(zhuǎn)
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晉華事件透視：存儲(chǔ)器壟斷暴利之痛如何終結(jié)？

壟斷加劇供求失衡，導(dǎo)致價(jià)格上漲，壟斷導(dǎo)致的暴利，是目前全球存儲(chǔ)器行業(yè)面臨的最大問(wèn)題。
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存儲(chǔ)器原廠Q3業(yè)績(jī)搶眼，但漲價(jià)優(yōu)勢(shì)不再，Q4風(fēng)光難續(xù)

　　前言：2018年Q3出貨旺季，在存儲(chǔ)器Bit出貨量增加帶動(dòng)下，存儲(chǔ)器原廠業(yè)績(jī)搶眼。然而，存儲(chǔ)器漲價(jià)優(yōu)勢(shì)不再，Q4財(cái)報(bào)恐難抵下滑之勢(shì)?！　〈鎯?chǔ)器原廠Q3財(cái)報(bào)搶眼，但NAND價(jià)格大跌超60%，引原廠產(chǎn)能“緊急制動(dòng)”　　2018年以來(lái)，F(xiàn)lash原廠持續(xù)擴(kuò)大64層3D TLC NAND供貨，且以256Gb和512Gb供貨為主，再加上美光和英特爾64層1Tb QLC NAND在市場(chǎng)應(yīng)用，導(dǎo)致市場(chǎng)供過(guò)于求。即使在Q3出貨旺季，NAND Flash價(jià)格也依然表現(xiàn)跌勢(shì)。據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket
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產(chǎn)業(yè)高點(diǎn)已過(guò)，2019年閃存價(jià)格恐跌40%

　　CINNOResearch對(duì)閃存供應(yīng)商及其上下游供應(yīng)鏈調(diào)查顯示，在64層的3D-NAND良率更為成熟，需求端受到中美貿(mào)易戰(zhàn)壓縮的情況下，NANDFlash行業(yè)供過(guò)于求的情況持續(xù)加劇，各家廠商以更為積極的降價(jià)來(lái)刺激出貨成長(zhǎng)，也因此第三季度閃存平均銷售單價(jià)普遍較第二季度下滑15-20%，而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關(guān)系，第三季成長(zhǎng)幅度來(lái)到20-25%，整體第三季閃存產(chǎn)值達(dá)到172億美元，季成長(zhǎng)約為5%，值得注意的是，也是近三年來(lái)在第三季度旺季期間表現(xiàn)最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
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兆易創(chuàng)新宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key在閃存產(chǎn)品領(lǐng)域通力合作

　　日前，業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商兆易創(chuàng)新(GigaDevice)宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key Electronics合作。兆易創(chuàng)新的SPI NOR Flash及NAND Flash等閃存產(chǎn)品可通過(guò)Digi-Key實(shí)現(xiàn)全球即時(shí)發(fā)貨，并在交貨周期及產(chǎn)品價(jià)格上更貼近客戶需求?！　≌滓讋?chuàng)新的SPI NOR Flash產(chǎn)品容量目前涵蓋512Kb至512Mb，并即將推出1Gb及2Gb的更高容量產(chǎn)品，以及業(yè)界最小尺寸的1.5x1.5mm USON封裝(容量高達(dá)8Mb)。 NAND Flash產(chǎn)品包含SPI和
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3D NAND技術(shù)發(fā)展迅速，SSD取代HDD硬盤明年可待

　　NAND Flash歷經(jīng)兩年的漲價(jià)后，在2018年價(jià)格開始大幅下滑，據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)，截止到10月底，2018年NAND Flash綜合價(jià)格指數(shù)已累積下滑高達(dá)63%，其中主流SSD價(jià)格跌幅也高達(dá)約50%?！　lash原廠3D NAND之戰(zhàn)加劇，使得SSD價(jià)格更加親民，據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket最新價(jià)格，消費(fèi)類零售品牌SSD 240GB容量?jī)r(jià)格已下滑至31美金，480GB容量?jī)r(jià)格下探至58美金。低端白牌SSD產(chǎn)品的市場(chǎng)報(bào)價(jià)更是分別低至25美金(24
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賽普拉斯與海力士攜手組建NAND閃存合資公司

　　全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Cypress Semiconductor Corp.)(納斯達(dá)克代碼：CY)日前宣布，與海力士半導(dǎo)體公司(SK hynix system ic, Inc.)成立合資公司。協(xié)議約定在前五年中，合資公司將生產(chǎn)及銷售賽普拉斯現(xiàn)有的SLC NAND閃存系列產(chǎn)品，并將繼續(xù)投資于下一代NAND產(chǎn)品。合資公司總部設(shè)立在香港，海力士與賽普拉斯將分別持有60%與40%的股份?！　≠惼绽箍偛眉媸紫瘓?zhí)行官Hassane El-Khoury表示：“合資公司將會(huì)長(zhǎng)期為客戶提
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存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)需求隨摩爾定律放緩，價(jià)格持續(xù)上漲

存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)在經(jīng)過(guò)長(zhǎng)達(dá)一年半時(shí)間的猛漲后，部分內(nèi)存芯片的價(jià)格突然下跌，加之韓國(guó)三星電子近期發(fā)布的令人失望的2017年盈利報(bào)告，導(dǎo)致那些押注芯片繁榮的投資者感到極度不安。
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國(guó)內(nèi)廠商在存儲(chǔ)行業(yè)緊鑼密鼓，有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”

中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)起步較晚，我國(guó)作為全球最重要的存儲(chǔ)器市場(chǎng)，在國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策扶持以及大量資本投入的背景下，通過(guò)自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導(dǎo)體巨頭，有望實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的“彎道超車”，在全球競(jìng)爭(zhēng)中占有一席之地。
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2018年NAND Flash價(jià)格跌幅超過(guò)50%，背后原因?yàn)楹危?/a>

　　隨著智能型手機(jī)、平板、PC等消費(fèi)類電子擴(kuò)大普及，以及大數(shù)據(jù)、安防監(jiān)控、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G網(wǎng)絡(luò)、無(wú)人駕駛等熱潮的興起，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求與日俱增。據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2018年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1500億美元?！　≡?月19日的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(CFMS2018)上，央視記者采訪了存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)的知名企業(yè)，比如：西部數(shù)據(jù)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、慧榮、江波龍、群聯(lián)、大華、元禾華創(chuàng)等，同時(shí)業(yè)內(nèi)大咖也分享了對(duì)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的看法?！　⊙胍曍?cái)經(jīng)頻道精彩回顧：原廠3D閃存芯片產(chǎn)出增加存儲(chǔ)容量

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西部數(shù)據(jù)擴(kuò)展視頻存儲(chǔ)和分析產(chǎn)品系列滿足終端智能視頻的動(dòng)態(tài)需求

　　北京，西部數(shù)據(jù)公司今日發(fā)布三個(gè)安防監(jiān)控存儲(chǔ)解決方案更新，擴(kuò)展了其用于現(xiàn)代監(jiān)控市場(chǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備系列。這一系列更新包括：業(yè)內(nèi)率先發(fā)布的用于監(jiān)控的工業(yè)級(jí)3D NAND UFS嵌入式閃存盤(EFD)、拓展至256GB2大容量的WD Purple microSD移動(dòng)卡系列，以及使OEM及系統(tǒng)集成商能夠主動(dòng)管理其存儲(chǔ)子系統(tǒng)、維持運(yùn)行優(yōu)化狀態(tài)的新款設(shè)備分析軟件Western Digital Device Analytics(WDDA)?！　?lt;左1：西部數(shù)據(jù)公司中國(guó)區(qū)產(chǎn)品市場(chǎng)總監(jiān)-張丹女士、左2：西部數(shù)據(jù)公司
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