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游戲新機(jī)上市填補(bǔ)云端需求空缺 三季度NAND Flash價(jià)格波動(dòng)有限
- 根據(jù)TrendForce內(nèi)存儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)調(diào)查,盡管消費(fèi)性產(chǎn)品及智能型手機(jī)受到疫情沖擊導(dǎo)致需求下降,但云端服務(wù)、遠(yuǎn)距教學(xué)的需求也同步催生,加上部份客戶因擔(dān)憂供應(yīng)鏈中斷而提前備貨,促使NAND Flash市場(chǎng)在2020年第一季與第二季呈現(xiàn)缺貨。整體而言,目前需求以SSD占最大宗,與手機(jī)、消費(fèi)性較相關(guān)的eMMC、UFS及wafer市場(chǎng)較為冷卻。根據(jù)TrendForce分析師葉茂盛指出,當(dāng)前為NAND Flash第三季議價(jià)的關(guān)鍵時(shí)刻,初步觀察因新款游戲機(jī)的年底上市計(jì)劃不變,首次轉(zhuǎn)進(jìn)SSD的
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三星電子擬投資8萬(wàn)億韓元在平澤建NAND閃存生產(chǎn)線
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,三星電子日前表示,計(jì)劃投資8萬(wàn)億韓元(約合人民幣466億元)在韓國(guó)平澤工業(yè)園區(qū)建NAND閃存生產(chǎn)線。三星電子生產(chǎn)線建設(shè)上月已經(jīng)開(kāi)始,預(yù)計(jì)2021年下半年開(kāi)始生產(chǎn)三星最先進(jìn)的V-NAND產(chǎn)品。三星電子表示,此次投資旨在應(yīng)對(duì)隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等第四次工業(yè)革命,以及5G普及而來(lái)的NAND需求。上月,三星電子還透露,已在平澤投資建設(shè)生產(chǎn)線,新產(chǎn)線專注于基于極紫外光刻(EUV)技術(shù)的5nm、及以下制程。新產(chǎn)線已開(kāi)始建設(shè),預(yù)計(jì)明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)5nm芯片。三星電子表示,加上平澤生產(chǎn)線,韓國(guó)將擁有7條
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集邦咨詢:數(shù)據(jù)中心需求大增,NAND Flash營(yíng)收成長(zhǎng)8.3%
- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查,2020年第一季NAND Flash(閃存)位元出貨量較前一季大致持平,加上平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲,帶動(dòng)整體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季成長(zhǎng)8.3%,達(dá)136億美元。延續(xù)去年第四季開(kāi)始的數(shù)據(jù)中心強(qiáng)勁采購(gòu)力道,第一季Enterprise SSD仍是供不應(yīng)求。此外,自年初起,各供應(yīng)商當(dāng)時(shí)的庫(kù)存水位多已恢復(fù)至正常,也帶動(dòng)主要產(chǎn)品合約價(jià)呈現(xiàn)上漲。隨后在農(nóng)歷春節(jié)期間爆發(fā)新冠肺炎疫情,根據(jù)集邦咨詢當(dāng)時(shí)的調(diào)查,服務(wù)器供應(yīng)鏈的恢復(fù)狀況優(yōu)于筆記本電腦及智能手機(jī),也因此對(duì)于數(shù)據(jù)中心需求
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集邦咨詢:數(shù)據(jù)中心需求大增,第一季NAND Flash營(yíng)收成長(zhǎng)8.3%
- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查,2020年第一季NAND Flash(閃存)位元出貨量較前一季大致持平,加上平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲,帶動(dòng)整體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季成長(zhǎng)8.3%,達(dá)136億美元。
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND
- 電子醫(yī)療設(shè)備、電競(jìng)游戲機(jī)、NB筆記本電腦、電視機(jī)頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因?yàn)樾鹿诜窝?(COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護(hù)或宅經(jīng)濟(jì)需求上升,不僅刺激了閃存儲(chǔ)存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長(zhǎng)動(dòng)能,更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長(zhǎng)亮點(diǎn)之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長(zhǎng)江存儲(chǔ) (YMTC),在2016年加入NAND Flash設(shè)計(jì)生產(chǎn)后,也為市場(chǎng)添增了一股活力。
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND
- 電子醫(yī)療設(shè)備、電競(jìng)游戲機(jī)、NB筆記本電腦、電視機(jī)頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因?yàn)樾鹿诜窝?(COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護(hù)或宅經(jīng)濟(jì)需求上升,不僅刺激了閃存儲(chǔ)存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長(zhǎng)動(dòng)能,更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長(zhǎng)亮點(diǎn)之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長(zhǎng)江存儲(chǔ) (YMTC),在2016年加入NAND Flash設(shè)計(jì)生產(chǎn)后,也為市場(chǎng)添增了一股活力。
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長(zhǎng)江存儲(chǔ):128層3D NAND技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在今年推出
- 據(jù)證券時(shí)報(bào)消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示,128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工,從中長(zhǎng)期來(lái)看,這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。今年早些時(shí)候,長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷(xiāo)售資深副總裁龔翔表示,接下來(lái),長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過(guò)如今業(yè)界常見(jiàn)的96層,直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作?!L(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存晶圓了解到,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月,總
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集邦咨詢:受新冠肺炎疫情擴(kuò)大沖擊,NAND Flash均價(jià)可能提前于下半年反轉(zhuǎn)向下
- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查,雖然新冠肺炎疫情延燒,使得2020年第一季的終端產(chǎn)品出貨動(dòng)能格外疲弱,但在NAND Flash領(lǐng)域,因?yàn)?020年全年供給位元產(chǎn)出年成長(zhǎng)收斂至三成,加上各大供應(yīng)商資本支出保守,第一季NAND Flash均價(jià)在淡季仍上漲約5%。
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華邦電進(jìn)軍車(chē)用、工業(yè)領(lǐng)域
- 存儲(chǔ)器大廠華邦電近日宣布,開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款新型高速Octal NAND Flash產(chǎn)品,可望使高容量序列(Serial)介面NAND Flash成為當(dāng)前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案,解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問(wèn)題。華邦電表示,Octal NAND Flash可望于1Gb以上儲(chǔ)存容量級(jí)別,提供車(chē)用與工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域穩(wěn)健可靠的儲(chǔ)存存儲(chǔ)器。
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存儲(chǔ)器行業(yè)的冰與火之歌:凜冬是否已經(jīng)結(jié)束 ?
- 據(jù)IDC預(yù)測(cè),2025年全球數(shù)據(jù)將有175 ZettaBytes的總量,如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器將具有極大的市場(chǎng)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為易失存儲(chǔ)器和非易失存儲(chǔ)器兩種,具體類型如下:“凜冬將至”:這兩年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)2017年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)可以用火熱來(lái)形容,三大存儲(chǔ)器公司(三星、海力士、美光)的財(cái)報(bào)都非常喜人,SK海力士、美光的營(yíng)收規(guī)模均成長(zhǎng)近8成,而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導(dǎo)體營(yíng)收頭把交椅。整體來(lái)說(shuō),2017年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模比2016年成長(zhǎng)22.2%,達(dá)4197.2億美元,存儲(chǔ)器的
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引領(lǐng)存儲(chǔ)新架構(gòu) 構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔 英特爾通過(guò)傲騰和QLC NAND技術(shù)變革存儲(chǔ)未來(lái)
- 近日,以“數(shù)智·未來(lái)”為主題的2019中國(guó)數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)峰會(huì)在北京成功舉辦。匯聚全球數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域知名的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)軍人物與代表性企業(yè)用戶,本次峰會(huì)旨在幫助企業(yè)和社會(huì)提升數(shù)據(jù)智能水平,推動(dòng)全球存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國(guó)區(qū)非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會(huì)并發(fā)表演講,不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過(guò)傲騰?技術(shù)和QLC NAND?技術(shù)填補(bǔ)當(dāng)前存儲(chǔ)層級(jí)中的巨大鴻溝,還通過(guò)諸多用戶案例進(jìn)一步展示英特爾如何通過(guò)內(nèi)存與存儲(chǔ)的產(chǎn)品、技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)存儲(chǔ)新架構(gòu),構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔。英特爾公司中國(guó)區(qū)非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部
- 關(guān)鍵字: QLC NAND 內(nèi)存
中國(guó)首款!長(zhǎng)江存儲(chǔ)啟動(dòng)64層3D NAND閃存量產(chǎn)
- 網(wǎng)易科技訊 9月2日消息 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)在IC China 2019前夕宣布,公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
- 關(guān)鍵字: 3D NAND
NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場(chǎng)暗潮洶涌 各家布局蓄勢(shì)待發(fā)
- 受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)契機(jī)出現(xiàn),NAND Flash價(jià)格調(diào)漲從7月開(kāi)始顯現(xiàn),而國(guó)際大廠之間的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)更是暗潮洶涌。
- 關(guān)鍵字: 三星電子 東芝存儲(chǔ)器 NAND Flash 3D XPoint Z-NAND
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您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條nand !
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)nand 的理解,并與今后在此搜索nand 的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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