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基于ST第五代高精度定位芯片的車載定位P-BOX方案
- 目前,汽車導(dǎo)航定位主要采用衛(wèi)慣組合導(dǎo)航系統(tǒng),即全球衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)(GNSS)和慣性導(dǎo)航系統(tǒng)(INS)。全球衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)用于實現(xiàn)絕對定位,而慣性導(dǎo)航系統(tǒng)用于實現(xiàn)相對定位,兩者相結(jié)合才可以實現(xiàn)穩(wěn)定、可靠的高精度定位。ST最新的高精度定位解決方案P-BOX是ST汽車級芯片組全面解決方案,可以支持多頻段GNSS信號接收、Rawdata原始觀測值輸出、IMU慣性導(dǎo)航等。?場景應(yīng)用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)勢1. 功能安全兼容:第一個功能安全的ASIL-B P-box應(yīng)用設(shè)計與ST整體解決方案(STA910
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德承搶先發(fā)表12代Alder Lake-P平臺高效能平板電腦,引領(lǐng)效能新標準
- 強固型嵌入式電腦品牌 – cincoze德承推出Display Computing – CRYSTAL產(chǎn)品線高性能平板電腦系列(P2202+CV/CS/CO Series),其亮點在于搭載了Intel Alder Lake-P (U-Series)處理器,提供目前市面少有的優(yōu)異運算效能外,透過德承獨家的CDS技術(shù),可以根據(jù)不同的需求,應(yīng)用于廣泛的工業(yè)場景,戶外高溫陽光直射環(huán)境或是需要于設(shè)備機臺整合等,勢將成為人機界面應(yīng)用的理想選擇。外型輕薄,效能強勁P2202系列包含了標準機型P2202以及具有PCIe擴
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ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”, 助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積!
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1,開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動用驅(qū)動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。近年來,為了實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會,對消費電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求,GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而,與Si MOSFET相
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深挖 GaN 潛力,中國企業(yè)別掉隊
- 氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度達到 3.4eV,是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料。除了更寬的禁帶寬度,氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率,以及更優(yōu)的抗輻照能力,這些特性對于電力電子、射頻和光電子應(yīng)用有獨特優(yōu)勢。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備,下游是 GaN 芯片元器件的設(shè)計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關(guān)重要,襯底也占據(jù)了大部分成本,因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主,4 英寸已實現(xiàn)商用,6 英寸
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如何組合使用低通濾波器和ADC驅(qū)動器獲取20V p-p信號
- 問題:為何要組合使用低通濾波器(LPF)和模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)驅(qū)動器??答案:為了減小模擬信號鏈的尺寸,降低其成本,并提供ADC抗混疊保護(ADC采樣頻率周圍頻段中的ADC輸入信號不受數(shù)字濾波器保護,必須由模擬低通濾波器(LPF)進行衰減)。20 V p-p LPF驅(qū)動器一般用于工業(yè)、科技和醫(yī)療(ISM)設(shè)備中,該設(shè)備必須使用具有更低滿量程輸入的高速ADC對傳統(tǒng)的20 V p-p信號范圍進行數(shù)字化處理。?簡介通過驅(qū)動ADC實現(xiàn)優(yōu)化的混合信號性能,這是一大設(shè)計挑戰(zhàn)。圖1所示為標準的驅(qū)動器
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基于PI LinkSwitch-TN2 LNK3294G/P 的Standby Power方案
- Power Integrations,近日推出LinkSwitc-TN2 系列 IC,此系列適用于非隔離離線式電源供應(yīng)器,且應(yīng)屬高度整合(內(nèi)建Mosfet與控制器),可大幅提高效能與節(jié)省空間,相較于傳統(tǒng)線性或電容式降壓器更具優(yōu)勢。所有裝置中內(nèi)建的半導(dǎo)體,除了以往傳統(tǒng)的耐壓為725V外,更是推出了高達耐壓900V的MOSFET,使得設(shè)計與應(yīng)用方面更為彈性,其控制器也包含了振蕩器、于輕負載時實現(xiàn)最高效率的開/關(guān)控制、自偏壓的高電壓切換電流源、頻率抖動(Jitter)、current limit(可調(diào)整)、磁滯
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持續(xù)健康增長,DR&P未來五年仍將保持13.7%的年復(fù)合增長率
- 北京 2022年11月3日——IDC于近日發(fā)布《中國數(shù)據(jù)復(fù)制與保護系統(tǒng)市場季度跟蹤報告,2022上半年》。報告顯示,2022上半年,數(shù)據(jù)復(fù)制與保護市場較去年同期實現(xiàn)了9.8%的增長,市場規(guī)模達到2.7億美元。IDC預(yù)測,未來五年,中國數(shù)據(jù)復(fù)制與保護市場將以13.7%的年復(fù)合增長率(CAGR)增長,在2026年達到12. 6億美元。網(wǎng)絡(luò)安全等級保護2.0的推出和異構(gòu)環(huán)境帶來的數(shù)據(jù)保護問題,使得企業(yè)客戶更加重視數(shù)據(jù)復(fù)制和保護。在數(shù)字化浪潮下,數(shù)據(jù)在推動信息滲透、跨界融合領(lǐng)域展現(xiàn)著極為重要的地位,成為企業(yè)數(shù)字產(chǎn)
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UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進的高性能1200V第四代SiC FET
- 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列,該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu),這種架構(gòu)常見于電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示:“我們通過
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2017年TDDI出貨量估成長191% a-Si規(guī)格成新藍海
- DIGITIMESResearch觀察觸控與顯示驅(qū)動整合(TouchandDisplayDriverIntegration;TDDI)芯片市場發(fā)展,由于增加HybridIn-Cell型態(tài)產(chǎn)品,以及面板業(yè)者導(dǎo)入TDDI動機提升等因素帶動,2017年全球TDDI出貨量將較2016年成長191%,其中,臺系業(yè)者市占率將達近4成,從過去由新思(Synaptics)一家獨大局面中突圍。 TDDI芯片又稱IDC(IntegratedDisplayandController),2017年上半受大中華區(qū)智能型手
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一種新型的寬帶方向圖可重構(gòu)天線
- 本文介紹了一款新穎的PRA(Pattern Reconfigurable Antenna)。天線輻射單元主要由三部分組成:包括矩形驅(qū)動貼片,兩個對稱的開了CRS(Cross Ring Slot)的半圓形寄生單元以及地平面。兩組p-i-n二極管分別放置在十字形環(huán)縫隙上,通過這兩組p-i-n二極管電開關(guān)將它們連接起來,從而可以實現(xiàn)輻射方向圖可調(diào)。仿真結(jié)果表明,天線在4.29GHz~4.87GHz頻率范圍內(nèi)S11<-10dB,阻抗帶寬大于500MHz,具備良好的寬帶特性。并且具有三種輻射方向圖,可以通過p-i-
- 關(guān)鍵字: CRS 方向圖可調(diào) 寬帶 p-i-n二極管 201701
P-NET現(xiàn)場總線技術(shù)的結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)特點、運行模式及應(yīng)用
- 1引言P-NET現(xiàn)場總線技術(shù)由丹麥Proces-DataA/S公司研究并開發(fā),是一種全世界通用的開放型標準化總線。它可以將生產(chǎn)過程的各個部分,
- 關(guān)鍵字: P-NET現(xiàn)場總線技術(shù)系統(tǒng)特點運行模
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