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Hynix成功研發(fā)世界最高性能移動DRAM

  • 　　韓聯(lián)社4月27日電稱，Hynix(海力士)半導體成功研發(fā)采用54納米技術(shù)的世界最高性能的1Gb移動低電雙倍速率(LPDDR2)動態(tài)隨機存儲器(DRAM)產(chǎn)品。Hynix表示，該產(chǎn)品是世界上第一款可以在平均1.2伏的低電壓下實現(xiàn)1066Mbps超高速數(shù)據(jù)傳輸速度的移動DRAM，在工藝技術(shù)、電壓、速度方面具備世界最高性能。 　　據(jù)介紹，該產(chǎn)品可在平均1.2伏、最低1.14伏的低電壓下工作，接近于現(xiàn)有的1.8伏移動DRAM的50%，并且僅為PC DDR2產(chǎn)品的30%。這意味著，1秒內(nèi)下載5、6部普通長度的
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DDR2時代終結(jié)？三星啟動DDR3交替計劃

  • 　　三星近日宣布，將全力推動DDR3的普及。由于2GB容量DDR3與DDR2模組差價模已拉近至1美元，近期三星鎖定部分一線大客戶，利用DDR3與DDR2的差價策略，鼓勵PC用戶積極采購DDR3平臺。 　　三星力推DDR3與DDR2無價差策略 　　DRAM廠表示，三星規(guī)劃DDR3交替腳步相當積極，多次出面力挺DDR3時代將來臨，使得其他DRAM廠包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、爾必達(Elpida)等，對于加快腳步導入DDR3，亦顯得興致高昂。不過，近期三星對于DDR3價格殺傷力極大，恐
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傳TMC研發(fā)中心花落聯(lián)電 可望擴大聯(lián)電營運版圖

  • 　　臺灣內(nèi)存公司(TMC)投資計劃書已正式送交臺灣“經(jīng)濟部工業(yè)局”!根據(jù)業(yè)者由日本爾必達及通產(chǎn)省所獲知的消息指稱，TMC的制造中心將鎖定瑞晶，研發(fā)中心將結(jié)合聯(lián)電研發(fā)資源。 　　對此，聯(lián)電高階主管表示毫不知情;“經(jīng)濟部”工業(yè)局對此說法予以否認。 　　業(yè)界盛傳，TMC研發(fā)中心若能進一步與聯(lián)電結(jié)果，搭配放寬晶圓廠赴大陸投資規(guī)定，讓聯(lián)電與大陸和艦合并案成形，聯(lián)電集團營運版圖將大幅擴大。而瑞晶將成為TMC最大生產(chǎn)基地。 　　對此傳言，力晶董事長黃崇仁表示，力晶持
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減產(chǎn)帶動市況好轉(zhuǎn) DRAM供過于求隱憂未除

  • 　　制造廠大規(guī)模減產(chǎn)，帶動DRAM市況逐步好轉(zhuǎn)，再加上日、韓政府有意紓困DRAM產(chǎn)業(yè)，這使臺灣TMC推動產(chǎn)業(yè)技術(shù)扎根計劃增加難度。不過，全球DRAM產(chǎn)業(yè)仍無法擺脫供過于求隱憂。 　　DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展與TMC未來走向再度受到外界注目。 　　動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)廠近來紛紛減產(chǎn)自救，并已略具成效。另外，日本及韓國政府也有意對DRAM廠紓困，讓臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)扎根難度大增，政府聯(lián)美、日抗韓的夢想是否因而幻滅也備受關(guān)注。 　　全球DRAM廠于2006年大規(guī)模擴產(chǎn)，造成市場嚴重供過于求，讓DRAM產(chǎn)
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坂本幸雄：DRAM市場將成臺日抗韓局勢

  • 　　全球第三的日本DRAM大廠爾必達執(zhí)行長坂本幸雄表示，DRAM市場將成臺日聯(lián)手抗韓的局勢，爾必達將申請約新臺幣173億元的日本政府紓困金。 　　坂本幸雄接受日本“讀賣新聞”專訪時表示，DRAM對產(chǎn)業(yè)的影響極大，希望盡早申請政府紓困金以增強資本。他透露，下個月7日將申請規(guī)模約500億日圓(約新臺幣173億)的政府紓困金。 　　日本國會22日已通過產(chǎn)業(yè)再生法修正案，基于這項修法，接受政府紓困金的企業(yè)必須接受在3年內(nèi)改善業(yè)績等的條件。 　　坂本幸雄受訪時說：“綜觀全球
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俄羅斯政府可能向奇夢達注資

  • 　　徘徊于倒閉邊緣的DRAM制造商奇夢達可能已經(jīng)找到了潛在投資者。德國薩克森州州長本周發(fā)表聲明稱俄羅斯聯(lián)邦政府正在考慮向奇夢達注資。薩克森州州長Stanislaw Tillich的一位發(fā)言人稱，俄羅斯總理普京在本周早些時候與Tillich會晤后，指示俄羅斯工業(yè)與貿(mào)易部部長 Viktor Khristenko考慮向奇夢達投資的有關(guān)事宜。   　　而在四月初，此前媒體報道的三家有意投資奇夢達的俄羅斯公司：Angstrem, Sitronics以及AFK-Sistema都否認了他們的投資計劃。它們
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現(xiàn)貨市場供給吃緊 有助于DDR2 1Gb顆粒價格上漲

  • 　　現(xiàn)貨市場供給吃緊，將有助于DDR2 1Gb顆粒價格未來上漲趨勢 　　DRAM顆粒現(xiàn)貨價格自4月13日的0.95美元上漲至4月16日的1.13美元，漲幅達19%，據(jù)市場人士表示由于eTT的主要供應(yīng)者如力晶和爾必達在短期間將停止顆粒出貨至現(xiàn)貨市場中，現(xiàn)貨市場買家進場補貨,拉高庫存，帶動DDR2 1Gb eTT價格一度上漲至1.20美元。 　　上周現(xiàn)貨市場傳出爾必達將停止出貨給臺灣模塊廠客戶，力晶也決定到六月底前將出貨的數(shù)量控制在最低水位，影響所及，也讓投機性買盤在現(xiàn)貨市場中發(fā)酵并讓DDR2 1Gb e
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瑞晶65納米制程將獲利　DRAM廠不靠政府仍可存活

  • 　　臺、日合資的瑞晶將旗下7.5萬片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進65納米製程后，由于極具成本競爭力，1Gb DDR2價格只要跨過1.5美元門檻，瑞晶營運就會開始有現(xiàn)金流入，對照22日現(xiàn)貨價已漲至1.2美元，瑞晶極可能在5月成為臺灣第1家開始獲利的DRAM廠。臺DRAM廠認為，這證明不用靠政府，還是可以活過來! 　　爾必達(Elpida)與力晶合資DRAM廠瑞晶，旗下中科12吋晶圓廠單月滿載產(chǎn)能8萬片，日前已將原本70納米製程全數(shù)轉(zhuǎn)進65納米製程，由于轉(zhuǎn)換過程部分機器設(shè)備有瓶頸，產(chǎn)出微幅減少5,000片，單月實際產(chǎn)能7.
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內(nèi)存晴雨表：聲稱內(nèi)存市場復(fù)蘇的報告過于夸張

  • 　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應(yīng)商為了維護自己的形象，紛紛強調(diào)潛在的市場復(fù)蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預(yù)計總體內(nèi)存芯片價格將在2009年剩余時間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復(fù)需求與獲利能力。 　　繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產(chǎn)品市場將在今年剩余時間內(nèi)增長。第二季度DRAM與NAND閃存營業(yè)收入合計將增長3.6%，第三和第四季度分別增長21.9%和17.5%。 　　圖4所示為iSuppli公
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爾必達DRAM擬漲價并尋求注資 股價勁升15%

  • 　　北京時間4月22日晚間消息，據(jù)國外媒體報道，日本爾必達記憶體股價周三大漲近15%，因其計劃大幅上調(diào)芯片價格，同時有報導指該公司可能尋求5億美元公共注資以充實資本。 　　該公司下月起將上調(diào)晶片價格約50%，因為先前的減產(chǎn)已經(jīng)緩解芯片產(chǎn)業(yè)供應(yīng)過剩的局面。爾必達是全球第三大動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)廠商。 　　芯片廠商在過去繁榮時期的過度投資，導致產(chǎn)業(yè)步入長達兩年的下滑，奇夢達被迫申請破產(chǎn)，而累累虧損的爾必達亦被迫與臺灣記憶體公司結(jié)盟，后者是臺灣政府設(shè)立的企業(yè)，旨在救援本地芯片廠商。 　　全球經(jīng)濟
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ASML的上半年訂單落空 預(yù)期下半年有望回復(fù)

  • 　　按全球第一大光刻設(shè)備供應(yīng)商ASML公司的預(yù)估，其Q1的銷售額將從08年Q4的4.94億歐元下降到1.84億歐元，而去年同期為9.19億歐元，下降達80%。 　　ASML預(yù)計Q2的銷售額在2.1-2.3億歐元間，因為受工藝制程的進一步縮小推動，產(chǎn)業(yè)可能會在今年下半年開始復(fù)蘇，訂單回歸到4.0-5.0億歐元。新的工藝制程會要求購買新的或者升級現(xiàn)有的設(shè)備。 　　如08年僅只有各領(lǐng)域的領(lǐng)先者在購買設(shè)備，主要集中在如閃存flash的45nm、DRAM的55nm及代工的45nm客戶。預(yù)計2009年會加速工藝制
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DRAM廠50nm制程的轉(zhuǎn)進與資本投資

  • 　　DRAM價格持續(xù)低于現(xiàn)金成本;2009年資本支出大減56% 　　隨著全球DRAM產(chǎn)業(yè)面臨了超過二年的不景氣，加上去年下半年金融風暴襲卷造成消費需求急凍之下，2008年DRAM顆粒價格下跌逾85%，2009第一季DDR2 667Mhz 1Gb價格回到了0.88美元均價，但仍在材料成本與現(xiàn)金成本之間，在DRAM廠本身面臨到極大的現(xiàn)金流出壓力下，不僅要大幅減產(chǎn)因應(yīng)，對新制程轉(zhuǎn)進，也在大減資本支出下延后時程。根據(jù)集邦科技調(diào)查統(tǒng)計，全球2009年的DRAM資本支出已經(jīng)下修至54億美元，比起2008年時122億
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日本臺灣內(nèi)存廠家聯(lián)手向韓國宣戰(zhàn)

  • 　　繼三星電子和海力士之后列世界第三位的存儲芯片企業(yè)——日本爾必達公司總經(jīng)理坂本幸雄作為日本半導體業(yè)界的先鋒隊隊長站了出來。本月初他與臺灣政府結(jié)成“反韓國半導體同盟”，主導“打倒韓國”的計劃。 　　坂本幸雄在接受日本媒體采訪時表示：“我們要改變世界存儲芯片市場的格局，形成日本和臺灣同盟占有40%市場，三星電子30%、其余企業(yè)30%的市場格局。”也就是說，他根本沒把世界排名第二的海力士放在眼里。 　　坂本幸雄
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  存儲  

臺灣記憶體公司面臨更嚴格審查

  • 臺灣政府面臨對臺灣記憶體公司(Taiwan Memory)越來越嚴格的審查。為了改革臺灣陷入困境的動態(tài)隨機存取存儲器(D-Ram)芯片業(yè)，臺灣政府成立了臺灣記憶體公司。 臺灣立法院經(jīng)濟委員會昨天通過了一項提案，要求政府定期提供有關(guān)臺灣記憶體公司的報告。 提出提案的反對黨立委潘孟安表示，臺灣記憶體公司的結(jié)構(gòu)已經(jīng)與立法者和行業(yè)的預(yù)期大不相同。“臺灣記憶體成立時，我們以為它能加快產(chǎn)業(yè)整合，幫助臺灣與韓國競爭，但希望的火花變成了曇花一現(xiàn)。” 臺灣記憶體公司是為了應(yīng)對D-Ram產(chǎn)業(yè)迄今
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日本政府和臺灣當局支持爾必達與TMC合作

  • 　　日前日本政府與臺灣當局達成共識，將針對日本半導體大廠爾必達公司及臺灣當局出資設(shè)立的臺灣內(nèi)存(TMC)公司的合作提供支持。 　　報導指出，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省的審議官木村雅昭近日造訪臺灣當局，一致同意期待爾必達與TMC的合作。 　　日本本期國會將審議有關(guān)產(chǎn)業(yè)活力再生特別措施法(簡稱「產(chǎn)業(yè)再生法」)的修正案，爾必達正考慮在修法之后，運用官方的紓困金以增強資本。 　　日本政府也在檢討該修正案通過后，如何提供具體的支持。 　　報導指出，TMC是臺灣官民合資所成立的新公司。爾必達于4月1日決定將與TMC合作。
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