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內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新，大廠(chǎng)新招數(shù)呼之欲出

  • 制造HBM難，制造3D DRAM更難。
  • 關(guān)鍵字： HBM  3D DRAM  

服務(wù)器支撐下半年需求，預(yù)估DRAM價(jià)格第三季漲幅達(dá)8-13%

  • 根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查顯示，由于通用型服務(wù)器(general server)需求復(fù)蘇，加上DRAM供應(yīng)商HBM生產(chǎn)比重進(jìn)一步拉高，使供應(yīng)商將延續(xù)漲價(jià)態(tài)度，第三季DRAM均價(jià)將持續(xù)上揚(yáng)。DRAM價(jià)格漲幅達(dá)8~13%，其中Conventional DRAM漲幅為5-10%，較第二季漲幅略有收縮。TrendForce集邦咨詢(xún)指出，第二季買(mǎi)方補(bǔ)庫(kù)存意愿漸趨保守，供應(yīng)商及買(mǎi)方端的庫(kù)存水平未有顯著變化。觀(guān)察第三季，智能手機(jī)及CSPs仍具補(bǔ)庫(kù)存的空間，且將進(jìn)入生產(chǎn)旺季，因此預(yù)計(jì)智能手機(jī)
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達(dá)56.1%

  • 6月25日消息，據(jù)媒體報(bào)道，SK海力士在近期于美國(guó)夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展，并首次詳細(xì)公布了其開(kāi)發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開(kāi)發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個(gè)測(cè)試晶圓上，能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元，其中超過(guò)一半（即561個(gè)）為良
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云端CSPs將擴(kuò)大邊緣AI發(fā)展，帶動(dòng)2025年NB DRAM 平均搭載容量增幅至少達(dá)7%

  • 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢(xún)觀(guān)察，2024年大型云端CSPs，如Microsoft、Google、Meta、AWS等廠(chǎng)商，將仍為采購(gòu)高階主打訓(xùn)練用AI server的主力客群，以作為L(zhǎng)LM及AI建?；A(chǔ)。待2024年CSPs逐步完成建置一定數(shù)量AI訓(xùn)練用server基礎(chǔ)設(shè)施后，2025年將更積極從云端往邊緣AI拓展，包含發(fā)展較為小型LLM模型，以及建置邊緣AI server，促其企業(yè)客戶(hù)在制造、金融、醫(yī)療、商務(wù)等各領(lǐng)域應(yīng)用落地。此外，因AI PC或NB在計(jì)算機(jī)設(shè)備基本架構(gòu)組成與
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HBM供應(yīng)吃緊催生DRAM漲價(jià) 美光股價(jià)飆漲

  • 內(nèi)存大廠(chǎng)美光預(yù)計(jì)6月26日公布季報(bào)，自美光的高帶寬內(nèi)存（HBM）開(kāi)始供貨給輝達(dá)后，已化身為AI明星股，年初至今，美光股價(jià)大漲近七成，市值大增636.26億美元，至1,545.22億美元。 市場(chǎng)分析師預(yù)期，美光經(jīng)營(yíng)層將大談需求改善、行業(yè)供應(yīng)緊張、價(jià)格進(jìn)一步上揚(yáng)，以及他們供應(yīng)給輝達(dá)和其他AI芯片廠(chǎng)商的HBM，下一世代的發(fā)展，提出對(duì)后市正向的看法。由于AI應(yīng)用的需求，人們對(duì)DRAM、HBM的興趣與日俱增，且內(nèi)存市場(chǎng)通常存在「FOMO」（Fear of missing out）現(xiàn)象，意思是「害怕錯(cuò)失機(jī)會(huì)」，在美光
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美光后里廠(chǎng)火災(zāi) 公司聲明營(yíng)運(yùn)未受任何影響

  • 中國(guó)臺(tái)灣美光內(nèi)存后里廠(chǎng)20日下午5點(diǎn)34分發(fā)生火警，火勢(shì)快速撲滅，無(wú)人傷亡，美光昨深夜發(fā)出聲明指出，臺(tái)中廠(chǎng)火警廠(chǎng)區(qū)營(yíng)運(yùn)未受任何影響。 臺(tái)中市消防局昨日傍晚5時(shí)34分獲報(bào)，中國(guó)臺(tái)灣美光位在后里區(qū)三豐路的廠(chǎng)房發(fā)生火災(zāi)，消防局抵達(dá)時(shí)廠(chǎng)區(qū)人員已將火勢(shì)撲滅，無(wú)人受傷，原因有待厘清。根據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)導(dǎo)，美光針對(duì)臺(tái)中廠(chǎng)火警一事發(fā)出聲明，經(jīng)查證所有員工與承包商安全無(wú)虞，且廠(chǎng)區(qū)營(yíng)運(yùn)未受任何影響。美光是國(guó)際三大DRAM廠(chǎng)商，市占約19.2％，與前兩大三星及SK海力士合計(jì)市占達(dá)96％。美光高達(dá)65％的DRAM產(chǎn)品在中國(guó)臺(tái)灣生產(chǎn)，
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通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求，消息稱(chēng)三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工率維持 80~90%

  • IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內(nèi)人士的話(huà)稱(chēng)，韓國(guó)兩大存儲(chǔ)巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱(chēng)，這一情況同主要企業(yè)已實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)正?；?NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對(duì)比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實(shí)現(xiàn) NAND 產(chǎn)線(xiàn)滿(mǎn)負(fù)荷運(yùn)行。報(bào)道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規(guī) DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場(chǎng)仍呈現(xiàn)供大于求的局面，是下游傳統(tǒng)服務(wù)器、智能手機(jī)和 PC 產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇緩慢導(dǎo)致的
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合約價(jià)勁漲護(hù)身 DRAM不怕淡季 Q1營(yíng)收季增

  • 2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)，受到主流產(chǎn)品合約價(jià)走揚(yáng)、且漲幅較2023年第四季擴(kuò)大，帶動(dòng)營(yíng)收較前一季度成長(zhǎng)5.1％，達(dá)183.5億美元，推動(dòng)多數(shù)業(yè)者營(yíng)收呈季增趨勢(shì)。TrendForce指出，第一季三大原廠(chǎng)出貨皆季減，反映產(chǎn)業(yè)淡季效應(yīng)，加上下游業(yè)者的庫(kù)存水平墊高，采購(gòu)量明顯衰退。三大原廠(chǎng)延續(xù)著2023年第四季合約價(jià)上漲氛圍，再加上庫(kù)存仍處于健康水位，漲價(jià)意圖強(qiáng)烈。其中，中系手機(jī)銷(xiāo)售暢旺，帶動(dòng)mobile DRAM的價(jià)格漲幅領(lǐng)先所有應(yīng)用，而consumer DRAM的原廠(chǎng)庫(kù)存仍待去化，拖累價(jià)格漲幅居所有應(yīng)用之
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  DRAM  TrendForce  

合約價(jià)上漲抵消淡季效應(yīng)，推升DRAM第一季營(yíng)收季增5.1%

  • 根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢(xún)調(diào)查顯示，2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)主流產(chǎn)品合約價(jià)走揚(yáng)、且漲幅較2023年第四季擴(kuò)大，帶動(dòng)營(yíng)收較前一季度成長(zhǎng)5.1%，達(dá)183.5億美元，推動(dòng)多數(shù)業(yè)者營(yíng)收延續(xù)季增趨勢(shì)。出貨表現(xiàn)上，第一季三大原廠(chǎng)皆出現(xiàn)季減，反映產(chǎn)業(yè)淡季效應(yīng)，加上下游業(yè)者的庫(kù)存水平已墊高，采購(gòu)量明顯減弱。平均銷(xiāo)售單價(jià)方面，三大原廠(chǎng)延續(xù)著2023年第四季合約價(jià)上漲氛圍，再加上庫(kù)存仍處于健康水位，故漲價(jià)意愿強(qiáng)烈。其中，中系手機(jī)銷(xiāo)售暢旺，帶動(dòng)Mobile DRAM的價(jià)格漲幅領(lǐng)先所有應(yīng)用，而Co
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南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)

  • IT之家 5 月 30 日消息，綜合臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，南亞科技在昨日的年度股東常會(huì)上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進(jìn)入試產(chǎn)階段。南亞科技目前已在進(jìn)行 1B nm 制程的 DRAM 試產(chǎn)，涵蓋 8/4Gb DDR4 內(nèi)存和 16Gb DDR5 內(nèi)存。南亞科技表示其首批 DDR5 內(nèi)存將在下半年少量試產(chǎn)，明年進(jìn)一步提升產(chǎn)量。此外南亞科技還在 1B nm 節(jié)點(diǎn)規(guī)劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內(nèi)存、16
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美光計(jì)劃投資約300億元在日本新建DRAM廠(chǎng)

  • 據(jù)日媒報(bào)道，美光科技計(jì)劃投入6000億-8000億日?qǐng)A（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠(chǎng)，用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠(chǎng)房將于2026年初動(dòng)工，并安裝極紫外光刻（EUV）設(shè)備。消息稱(chēng)最快2027年底便可投入營(yíng)運(yùn)。報(bào)道稱(chēng)，此前，日本政府已批準(zhǔn)多達(dá)1920億日?qǐng)A補(bǔ)貼，支持美光在廣島建廠(chǎng)并生產(chǎn)新一代芯片。去年，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省曾表示，將利用這筆經(jīng)費(fèi)協(xié)助美光科技生產(chǎn)芯片，這些芯片將是推動(dòng)生成式AI、數(shù)據(jù)中心和自動(dòng)駕駛技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。
  • 關(guān)鍵字： 美光  DRAM  日本  EUV  

HBM火熱效應(yīng) DRAM下半年 可望供不應(yīng)求

  • 三星、SK海力士及美光等國(guó)際內(nèi)存巨擘，皆積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）制程，法人表示，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)下，下半年DRAM產(chǎn)品恐供不應(yīng)求，預(yù)期南亞科、威剛及十銓等業(yè)者受惠。據(jù)TrendForce研究，DRAM原廠(chǎng)提高先進(jìn)制程投片，產(chǎn)能提升將集中今年下半年，預(yù)期1alpha nm（含）以上投片，至年底將占DRAM總投片比重約40％。由于HBM獲利表現(xiàn)佳，加上需求續(xù)增，生產(chǎn)排序最優(yōu)先。以HBM最新發(fā)展進(jìn)度來(lái)看，2024年HBM3e將是市場(chǎng)主流，集中在2024年下半年出貨。SK海力士依舊是主要供貨商，與美光均采1be
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三星和SK海力士計(jì)劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3

  • 近兩年，DRAM市場(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過(guò)渡，此外在存儲(chǔ)器市場(chǎng)經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫(kù)存水平。DDR3內(nèi)存的市場(chǎng)需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場(chǎng)消息稱(chēng)，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動(dòng)DDR3內(nèi)存的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)漲幅最高可達(dá)20%。三星已經(jīng)通知客戶(hù)將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
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SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線(xiàn)已超兩成用于 HBM 內(nèi)存

  • IT之家 5 月 14 日消息，據(jù)韓媒 Hankyung 報(bào)道，兩大存儲(chǔ)巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動(dòng)時(shí)表示，整體 DRAM 生產(chǎn)線(xiàn)中已有兩成用于 HBM 內(nèi)存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM，HBM 內(nèi)存坐擁更高單價(jià)，不過(guò)由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對(duì)晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內(nèi)存的兩倍乃至三倍。內(nèi)存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線(xiàn)占比才能滿(mǎn)足不斷成長(zhǎng)的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下，三星電子代表預(yù)計(jì)，不僅 HBM 內(nèi)存，通用 DRAM（如標(biāo)準(zhǔn) DDR5）的價(jià)格年內(nèi)也不會(huì)
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第二季DRAM合約價(jià)漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新預(yù)估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%，全線(xiàn)產(chǎn)品僅eMMC/UFS價(jià)格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢(xún)?cè)阮A(yù)估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當(dāng)時(shí)從合約價(jià)先行指標(biāo)的現(xiàn)貨價(jià)格就可看出，現(xiàn)貨價(jià)已出現(xiàn)連續(xù)走弱，上漲動(dòng)能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機(jī)
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