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兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機(jī)
- 搶攻DRAM市場商機(jī),三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案,以達(dá)更高效能、更低功耗,以及更小的體積。 DRAM市場表現(xiàn)強(qiáng)勁,IC Insights預(yù)估,2017年DRAM市場將激增74%,為1994年以來最大增幅;未來DRAM預(yù)計將成為至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別,產(chǎn)值高
- 關(guān)鍵字: DRAM DDR4
明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求
- 內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào),DRAM市場仍將持續(xù)吃緊,NAND Flash市場則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過于求。 DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài),產(chǎn)品價格同步高漲,只是業(yè)界普遍預(yù)期,明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。 內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見指出,DRAM 市場供貨持續(xù)吃緊,價格未見松動跡象。 NAND Flash 方面,隨著 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟,生產(chǎn)良率改善,可望填補(bǔ)供貨缺口。 另一內(nèi)存模塊廠威剛表示,短期內(nèi)全球 DRAM
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
5nm工藝可能無法實現(xiàn)?存儲器除了3D NAND還有其他選擇?看這4個技術(shù)老兵怎么說
- 5nm以下的工藝尺寸縮減邏輯;DRAM、3DNAND和新型存儲器的未來;太多可能解決方案帶來的高成本。 近日,外媒SE組織了一些專家討論工藝尺寸如何繼續(xù)下探、新材料和新工藝的引入帶來哪些變化和影響,專家團(tuán)成員有LamResearch的首席技術(shù)官RickGottscho、GlobalFoundries先進(jìn)模塊工程副總裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技術(shù)合伙人DavidShortt、ASML計算光刻產(chǎn)品副總裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
- 關(guān)鍵字: 5nm DRAM
再進(jìn)一步,三星發(fā)布最強(qiáng)10nmDRAM芯片
- 根據(jù)三星最新財報顯示,三星Q3凈利潤更是高達(dá)98.7億美元,增長145%,季度凈利直逼蘋果,成為世界最賺錢的兩家公司之一。而耀眼財報的背后,其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)起著舉足輕重的作用。 昨日半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)曝出一條最大新聞——“ 三星電子全球首發(fā)第二代10納米級DRAM產(chǎn)品。” 三星在聲明中稱,這是全球第一個第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片,擁有強(qiáng)化的節(jié)能效率和資料處理效能,將鎖定云端運(yùn)算中心、移動設(shè)備和高速繪圖卡等高階大數(shù)據(jù)處理的電子設(shè)備。
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%,明年首季確定再漲
- DRAM 內(nèi)存市場近期嚴(yán)重供不應(yīng)求,造成全球內(nèi)存龍頭三星將于 2018 年第 1 季價格再上調(diào) 3% 至 5%。 而另一家內(nèi)存大廠 SK 海力士也將調(diào)漲約 5%。 除此之外,有部分供應(yīng)鏈透露,2018 年第 2 季的價格恐也將不樂觀,價格將續(xù)漲 5% 以上。 因此,在需求太強(qiáng)勁的情況下,此波 DRAM 價格從 2016年下半年以來,每季都呈現(xiàn)上漲的態(tài)勢。 如果加上 2018 年第 1 季持續(xù)漲價,報價已經(jīng)連續(xù) 7 季走揚(yáng),堪稱 DRAM 史上時間最長的多頭行情。 事實上,當(dāng)前的第 4 季是傳統(tǒng)
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第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%,再寫史上新高
- 今年內(nèi)存供給吃緊,推升價格持續(xù)走揚(yáng),研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)期第四季DRAM銷售金額將創(chuàng)歷史新高。 據(jù)IC Insights估計,第四季DRAM銷售金額將來到211億美元,較去年同期跳增65%,且是有史以來最佳記錄。 全年來看,DRAM市場預(yù)估成長74%,較1993-2017年平均水平高61個百分點(diǎn),也是繼1994年成長78%以來最強(qiáng)成長動能。 許多因素造就今年內(nèi)存走大多頭,當(dāng)中包含近幾年主要內(nèi)存廠刻意節(jié)制擴(kuò)產(chǎn)動作,同期間剛好又遇上數(shù)據(jù)中心、行動與游戲設(shè)備對高效能內(nèi)存的需求大
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南亞科:明年DRAM市場穩(wěn)健,Q1供貨仍吃緊
- 今年DRAM市場強(qiáng)勁成長,南亞科技(2408)預(yù)期2017年第四季及2018年第一季供貨將持續(xù)吃緊,DRAM平均銷售單價走勢穩(wěn)健;展望2018,預(yù)期明年整體DRAM市場供需均衡且健康,市場將持續(xù)維持穩(wěn)健。 隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車、高速運(yùn)算等應(yīng)用,促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更多元發(fā)展,DRAM成為電子產(chǎn)品的關(guān)鍵組件,帶動今年內(nèi)存市場強(qiáng)勁成長逾50%。 展望2018年,南亞科預(yù)期DRAM資本支出主要用于先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換及維持原有月產(chǎn)能,DRAM位年成長率在20%~25%,預(yù)估2018年需求將較2017
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研調(diào):預(yù)計2017年DRAM市場銷售額增長74%至720億美元
- 縱觀2017年,隨著數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、智能手機(jī)和其他移動產(chǎn)品對DRAM需求不斷提升,DRAM產(chǎn)能供不應(yīng)求,平均售價也在持續(xù)上漲。如圖1所示,IC Insights預(yù)計2017年第四季度DRAM銷售額將增至211億美元的歷史最好成績,與2016年第四季度的128億美元相比增長65%。 圖1 2015Q1-2017Q4的DRAM季度營收 IC Insights預(yù)計2017年全年DRAM的銷售額將達(dá)720億美元,年增長率達(dá)74%。這是自1993年(1994年的年增長率為78%)以來的歷史最好
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2021年全球IC市場規(guī)模4345億美元 汽車與物聯(lián)網(wǎng)IC應(yīng)用成長最快
- 調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights最新報告預(yù)估,全球整體IC市場規(guī)模將由2016年的2,977億美元,成長為2021年的4,345億美元。合計2016~2021年規(guī)模年復(fù)合成長率(CAGR)為7.9%。 在12類IC終端應(yīng)用主要產(chǎn)品中,僅游戲機(jī)與平板電腦產(chǎn)品用IC市場規(guī)模會出現(xiàn)下滑,其余如汽車、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)連結(jié)、手機(jī)等IC應(yīng)用市場規(guī)模都會呈現(xiàn)成長。其中以車用與物聯(lián)網(wǎng)連結(jié)用IC市場規(guī)模成長最快,成長幅度較整體IC高出70%。 預(yù)估2017年全球車用IC市場規(guī)模,將繼2016年成長11%(達(dá)2
- 關(guān)鍵字: 物聯(lián)網(wǎng) DRAM
DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長
- DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求,三星明年首季再漲價3%至5%之后,SK海力士 下季也將漲價約5%,全球DRAM價格連續(xù)七季上揚(yáng),是歷來漲勢最久的一次。 業(yè)界解讀,三星、海力士下季漲價態(tài)度堅決,等于向全球宣告,韓系大廠決定維持DRAM價格持穩(wěn)不墜的決心,消除外界認(rèn)為兩大韓廠打算調(diào)降售價格,防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。 手機(jī)中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認(rèn)為,有人說三星瘋狂擴(kuò)產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽,有點(diǎn)太看得起自己,雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開始進(jìn)入試產(chǎn)階段,要與三星、海力士抗衡,至少還需要
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