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制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情？

  • 　　明年下半年DRAM供給可能會(huì)供不應(yīng)求，韓媒指出，存儲(chǔ)器廠商轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程的產(chǎn)能損失，或許會(huì)讓DRAM陷入供給短缺，炒熱行情。 　　BusinessKorea 12日?qǐng)?bào)道，半導(dǎo)體和投資銀行的業(yè)界消息指出，2017年DRAM需求預(yù)料將年增19.3%，不過2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬組，從當(dāng)前的105萬組、2017年降至103萬組，主要是制程轉(zhuǎn)換造成產(chǎn)能減少。不僅如此，產(chǎn)程轉(zhuǎn)換的供給成長(zhǎng)率以往大約是30%，2017年成長(zhǎng)率可能減至10%，加劇供給不足問題。 　　據(jù)了解，明年上半年是淡季，DRA
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SK海力士業(yè)務(wù)重整 DRAM、NAND等目標(biāo)并進(jìn)

  • 南韓半導(dǎo)體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業(yè)務(wù)組織，將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測(cè)器(CIS)等三大事業(yè)群分開各自營(yíng)運(yùn)，事業(yè)群自行加強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力，而SK海力士
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2012年全球存儲(chǔ)器模組廠營(yíng)收排名

  • 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 根據(jù)記憶體營(yíng)收部分發(fā)布 2012年記憶體模組廠排名調(diào)查，該年度全球模組市場(chǎng)總銷售金額為
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IC Insights：NAND與DRAM朝3D發(fā)展

  • 隨著DRAM和NAND技術(shù)持續(xù)邁向更先進(jìn)幾何制程與多層次存儲(chǔ)器的道路，IC Insights密切觀察有關(guān)DRAM和NAND供應(yīng)商的最新動(dòng)態(tài)，期望能提供更清楚的DRAM/NAND發(fā)展
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DRAM晶片價(jià)格居高不下 智能手機(jī)需求旺

  • 近來DRAM 價(jià)格晶片大宗訂單的價(jià)格依然居高不下。目前主要DRAM晶片制造商增加供應(yīng)給日益成長(zhǎng)的智慧手機(jī)市場(chǎng)，令人擔(dān)心個(gè)人電腦(PC)未來的供應(yīng)。預(yù)料
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SRAM簡(jiǎn)介及與DRAM/SDRAM的比較

  • RAMRAM是指通過指令可以隨機(jī)的、個(gè)別的對(duì)各個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行訪問的存儲(chǔ)器，一般訪問時(shí)間基本固定，而與存儲(chǔ)單元地址無關(guān)。RAM的速度比較快，但其保
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存儲(chǔ)器價(jià)格飆升 DRAM廠營(yíng)運(yùn)旺

  • DRAMeXchange表示，由于DRAM產(chǎn)業(yè)寡占市場(chǎng)格局確立，加上各大DRAM供應(yīng)商按照原先規(guī)劃減少標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器部位影響下，主流模塊4GB均價(jià)在第2季上揚(yáng)16%，由23.5
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四種閃存設(shè)計(jì)優(yōu)劣點(diǎn)分析

  • 由于閃存比傳統(tǒng)媒介有著更為明顯的優(yōu)勢(shì)，在過去一年里，閃存的普及率開始飆升。不過，我們總是很難判斷不同閃存產(chǎn)品之間的區(qū)別。在本文中，我
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DRAM現(xiàn)貨價(jià)短期看漲

  • 根據(jù)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查，DRAM產(chǎn)業(yè)的減產(chǎn)效應(yīng)已正在逐步發(fā)酵當(dāng)中，在跌無可跌的前提之下，短時(shí)間內(nèi)現(xiàn)貨價(jià)格有機(jī)會(huì)帶動(dòng)一波價(jià)格的上
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提高存儲(chǔ)器子系統(tǒng)效率的三種方法

  • 行業(yè)專家認(rèn)為，對(duì)于一個(gè)典型的大型數(shù)據(jù)中心而言，其50億美元成本的80%左右會(huì)用在設(shè)備的機(jī)械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對(duì)于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，高功率密度的
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DDR的前世與今生（一）

  • 　　DDR SDRAM全稱為Double Data Rate SDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”。DDR是在原有的SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來，嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR。 　　說到這里，很多人可能會(huì)問SDRAM、DRAM、SRAM或者RAM、ROM到底是什么鬼，怎么區(qū)別的?小編還是來簡(jiǎn)單普及下關(guān)于存儲(chǔ)的基礎(chǔ)知識(shí)吧。 　　ROM 和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM是只讀存儲(chǔ)器(Read-Only Memory)的簡(jiǎn)稱，是一種只能讀出事先
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存儲(chǔ)器需求動(dòng)能強(qiáng)勁，第四季DRAM合約價(jià)有望再漲逾一成

  • 　　受到第三季進(jìn)入旺季需求帶動(dòng)，存儲(chǔ)器、面板等關(guān)鍵零組件皆終止長(zhǎng)期價(jià)格頹勢(shì)。TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，存儲(chǔ)器在筆電需求回溫、智能手機(jī)延續(xù)強(qiáng)勁成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)與服務(wù)器需求增溫帶動(dòng)下，DRAM與NAND Flash第四季價(jià)格預(yù)計(jì)將同步上揚(yáng)，特別是DRAM合約價(jià)第四季估將再漲逾一成。 　　供應(yīng)持續(xù)吃緊，DRAM市場(chǎng)至2017年維持健康供需狀態(tài) 　　由于今年中國(guó)品牌智能手機(jī)表現(xiàn)超乎預(yù)期，服務(wù)器出貨也受惠于中國(guó)大陸數(shù)據(jù)中心需求增溫，下半年臺(tái)系服務(wù)器代工廠
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3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口

  • 　　存儲(chǔ)器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對(duì)電子產(chǎn)品而言，存儲(chǔ)芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會(huì)需要存儲(chǔ)芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。 　　當(dāng)前，我國(guó)筆記本、智能手機(jī)出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動(dòng)數(shù)據(jù)中心爆發(fā)，使得國(guó)產(chǎn)廠商對(duì)存儲(chǔ)需求量巨大。 　　相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2015年大陸DRAM采購(gòu)規(guī)模估計(jì)為120億美元、NAND Flash采購(gòu)規(guī)模為66.7億美元
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2016 DRAM市場(chǎng)回溫優(yōu)于預(yù)期 美光贏得外資青睞

  • 　　繼上周日系外資提高存儲(chǔ)器廠美光(Micron)自每股16元的目標(biāo)價(jià)到每股20元之后，30日另一家美系外資的最新研究報(bào)告也指出，在當(dāng)前DRAM市場(chǎng)價(jià)格逐步回穩(wěn)的情況下，加上美光逐步降低成本、提高每股獲利的轉(zhuǎn)變，也將美光的目標(biāo)價(jià)由原本的每股18美元，提高至每股20美元的價(jià)位。 　　該外資報(bào)告一開始便提及，看好2016年以來DRAM市場(chǎng)的回溫與產(chǎn)品價(jià)格的回穩(wěn)，而且實(shí)際上的表現(xiàn)還比當(dāng)時(shí)預(yù)估的要好一些。不過，在當(dāng)前許多供應(yīng)商的產(chǎn)能不足的情況下，2017年DRAM的供應(yīng)依舊是吃緊的。尤其，是在3D NAND閃存
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美大學(xué)突破相變化存儲(chǔ)器技術(shù)　速度較DRAM快逾千倍

  • 　　在全球持續(xù)突破存儲(chǔ)器運(yùn)行速度的努力進(jìn)程中，全球各研究人員均對(duì)于“相變化存儲(chǔ)器”(Phase Change Memory;PCM)領(lǐng)域的研究感興趣，并投入大量時(shí)間從事研發(fā)，最新則是美國(guó)史丹佛大學(xué)(Stanford University)的研究做出了新突破，據(jù)稱可讓PCM的運(yùn)行速度較傳統(tǒng)DRAM快上逾1,000倍以上。 　　據(jù)Techspot網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，所謂的相變化存儲(chǔ)器運(yùn)作原理，是指在低阻抗的結(jié)晶態(tài)及高阻抗的非結(jié)晶態(tài)兩種物理狀態(tài)下進(jìn)行移動(dòng)，雖然此技術(shù)在現(xiàn)今全球儲(chǔ)存技術(shù)領(lǐng)域中已展現(xiàn)
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