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老杳:面對(duì)政府決策論證專家能否直面良心

  • 　　一條有關(guān)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的重要新聞： 　　《晉江市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2016-2025)》于11日在北京通過(guò)專家論證，一個(gè)千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈正在此興起。 　　與會(huì)專家表示，《發(fā)展規(guī)劃》立足晉江、對(duì)標(biāo)國(guó)內(nèi)、放眼全球，符合區(qū)域?qū)嶋H、切合國(guó)內(nèi)格局、貼合產(chǎn)業(yè)方向，具有較強(qiáng)的指向性和操作性。 　　老杳不是專家，不過(guò)即使從表述文字也可以看出其中眾多蹊蹺，在集成電路領(lǐng)域一窮二白的晉江市，僅僅一個(gè)集成電路的產(chǎn)業(yè)規(guī)劃就意味著“千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈正在此興起”?又如何推演出
  • 關(guān)鍵字： DRAM  集成電路  

IC Insights：英脫歐／DRAM需求疲軟 拖累半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)率

  • 　　長(zhǎng)久以來(lái)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“健康狀況”與全球經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)息息相關(guān)，很少有強(qiáng)大的半導(dǎo)體市場(chǎng)，沒(méi)有好的世界經(jīng)濟(jì)在背后支撐它。在七月推出的2016年McClean報(bào)告中，市調(diào)機(jī)構(gòu)ICInsights預(yù)測(cè)，今年全球GDP成長(zhǎng)率僅2.3%，低于全球不景氣門(mén)檻(RecessionThreshold)的2.5%。 　　受到DRAM市場(chǎng)的需求下降與英國(guó)脫歐影響，整體半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)率將下滑。 　　目前，在許多地區(qū)中，地方經(jīng)濟(jì)逐漸趨緩，即便是中國(guó)，這個(gè)個(gè)人電腦、數(shù)位電視、智慧型手機(jī)、新型商用飛機(jī)與汽車
  • 關(guān)鍵字： DRAM  半導(dǎo)體  

福建千億集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)劃通過(guò) 打造中國(guó)內(nèi)存基地

  • 　　記者12日從福建晉江市委宣傳部獲悉，《晉江市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2016-2025)》(以下簡(jiǎn)稱“《發(fā)展規(guī)劃》”)于11日在北京通過(guò)專家論證，一個(gè)千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈正在此興起。 　　據(jù)介紹，《發(fā)展規(guī)劃》描繪了泉州晉江未來(lái)十年(2016-2025)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展藍(lán)圖，提出到2025年，將構(gòu)建千億規(guī)模的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圈、資源生態(tài)圈、智能生態(tài)圈、企業(yè)生態(tài)圈。 　　論證會(huì)由工信部電子一所副所長(zhǎng)萬(wàn)鵬遠(yuǎn)主持。在3個(gè)多小時(shí)的論證會(huì)上，中科院半導(dǎo)體所所長(zhǎng)李樹(shù)深，中科院微
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集邦科技：DRAM價(jià)格Q3將漲4~8%

  • 　　由于記憶體原廠端供貨吃緊，一線PC-OEM客戶于六月提前與DRAM廠洽談第三季合約價(jià)格，集邦科技旗下DRAMeXchange預(yù)估第三季DRAM合約價(jià)上漲趨勢(shì)確立，漲幅約4～8%。 　　DRAMeXchange 研究協(xié)理吳雅婷表示，經(jīng)過(guò)近兩年的續(xù)跌，6月合約價(jià)已呈現(xiàn)持平，普遍用12.5美元價(jià)格議定完成。DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，DDR3 4GB合約均價(jià)從2014年10月的32.75美元下跌至今年六月的12.5美元，跌幅高達(dá)62%。 　　吳雅婷表示，第三季的DRAM合約均價(jià)起漲，起因于標(biāo)準(zhǔn)
  • 關(guān)鍵字： 集邦科技  DRAM  

中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)前景

  • 本文介紹了存儲(chǔ)器芯片分類，國(guó)際存儲(chǔ)芯片廠商的發(fā)展情況，及我國(guó)存儲(chǔ)芯片供需情況。
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  市場(chǎng)  DRAM  Flash  201607  

日經(jīng):PC用DRAM價(jià)格月增6%，能見(jiàn)度到九月

  • 　　行動(dòng)記憶體需求暴增，在晶片制造商窮于應(yīng)付的同時(shí)， PC用DRAM卻也因此受惠，現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)攀升。 　　據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)，行情指標(biāo)4-Gigabit DDR3 DRAM過(guò)去一個(gè)月上漲6%，目前來(lái)到1.74美元，某些產(chǎn)品甚至還漲到2美元以上。PC出貨量萎縮、需求能見(jiàn)度明明不佳，但PC用DRAM價(jià)格之所以還能往上攀升，是因?yàn)槊拦獾扔洃涹w大廠將部分產(chǎn)能移作生產(chǎn)行動(dòng)產(chǎn)品，以致供給減少。 　　PC制造商夏季機(jī)種目前已陸續(xù)上市，盡管此時(shí)季節(jié)性需求已開(kāi)始減緩，但許多專家仍舊看好DRAM這波反彈行情將一直延續(xù)至九月，
  • 關(guān)鍵字： PC  DRAM  

臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)要重蹈面板覆轍？這個(gè)鍋張忠謀背不背

  • 一個(gè)董事席位不至于讓知識(shí)產(chǎn)權(quán)輕松被轉(zhuǎn)移。不過(guò)一個(gè)錯(cuò)誤的決定卻可能讓臺(tái)灣集成電路產(chǎn)業(yè)重蹈面板的覆轍。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  集成電路  

TrendForce：原廠控制產(chǎn)出，2017年DRAM價(jià)格止跌回穩(wěn)露曙光

  • 　　DRAM產(chǎn)業(yè)因長(zhǎng)期需求不振，合約價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)19個(gè)月的跌幅趨勢(shì)。今年五月底DDR4合約均價(jià)為1.31美元，而DDR3僅1.25美元，各廠都面臨龐大的成本壓力。TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季個(gè)人電腦(PC)將進(jìn)入出貨高峰、中國(guó)品牌智能手機(jī)出貨持續(xù)走揚(yáng)，再加上新一代iPhone 4.7”(2GB)及5.5”(3GB)的拉貨動(dòng)能，將消耗可觀的DRAM產(chǎn)能。此外，各家DRAM供貨商對(duì)于制程轉(zhuǎn)進(jìn)的態(tài)度趨于
  • 關(guān)鍵字： TrendForce  DRAM  

NAND需求好轉(zhuǎn) 將帶動(dòng)DRAM市場(chǎng)趨于健康

  • 　　蘋(píng)果iPhone 7已展開(kāi)備貨，記憶體容量倍增，銷售也看好，業(yè)界預(yù)期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉(zhuǎn)，大廠的產(chǎn)能將轉(zhuǎn)向NAND快閃記憶體，這將帶動(dòng)DRAM市況也趨健康，記憶體模組廠創(chuàng)見(jiàn)、威剛、宇瞻等，預(yù)估下半年?duì)I運(yùn)會(huì)比上半年好。 　　創(chuàng)見(jiàn)預(yù)期今年記憶體市況將比去年好轉(zhuǎn)，主要因上游大廠資本支出較保守，產(chǎn)能增加有限，致使價(jià)格趨緩跌;受惠智能手機(jī)等產(chǎn)品儲(chǔ)存容量不斷上升，加上SSD取代硬盤(pán)態(tài)勢(shì)成形，SSD需求強(qiáng)勁，儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。 　　威剛董事長(zhǎng)陳立白日
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

威剛：DRAM軍備賽三星帶頭喊卡　2年半空頭市場(chǎng)將走完

  • 　　臺(tái)存儲(chǔ)器模組廠威剛董事長(zhǎng)陳立白指出，觀察國(guó)際龍頭大廠動(dòng)向，全球DRAM軍備競(jìng)賽可望在韓系龍頭三星電子(Samsung Electronics)節(jié)制資本支出的情況下停止，預(yù)計(jì)DRAM價(jià)格在2016年第2季落底，9月前后DRAM景氣將好轉(zhuǎn)，為期兩年半的DRAM空頭市場(chǎng)將走完。 　　陳立白認(rèn)為，三星在DRAM的資本支出上踩煞車，影響接近45%的供貨，接下來(lái)就要看SK海力士的態(tài)度，如果海力士也認(rèn)同避免軍備競(jìng)賽的移動(dòng)，開(kāi)始節(jié)制資本支出，對(duì)產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)就是美事一樁。 　　據(jù)臺(tái)存儲(chǔ)器模組業(yè)者表示，SK海力士新董事長(zhǎng)
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三星海力士DRAM市場(chǎng)占有率繼續(xù)增長(zhǎng) 營(yíng)收不增反降

  • 　　市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，三星第一季豪取全球移動(dòng)DRAM逾六成市場(chǎng)(60.4%)，不僅穩(wěn)居全球龍頭，也創(chuàng)下歷史新高。 　　盡管如此，受DRAM平均報(bào)價(jià)下滑沖擊，三星當(dāng)季行動(dòng)DRAM營(yíng)收不增反減，較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元，這或許是搞軍備競(jìng)賽爭(zhēng)奪市占率必需付出的代價(jià)。 　　SK海力士狀況類似，市占率雖然進(jìn)步0.8個(gè)百分點(diǎn)，但同期間行動(dòng)DRAM營(yíng)收來(lái)卻較前期倒退23.1%，成為9.03億美元。加總?cè)桥c海力士市占率，從去年第四
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  

三星+海力士移動(dòng)DRAM逼近九成，美光瀕臨淘汰

  • 　　市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，三星第一季豪取全球移動(dòng)DRAM逾六成市場(chǎng)(60.4%)，不僅穩(wěn)居全球龍頭，也創(chuàng)下歷史新高。(Businesskorea.co.kr) 　　盡管如此，受DRAM平均報(bào)價(jià)下滑沖擊，三星當(dāng)季行動(dòng)DRAM營(yíng)收不增反減，較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元，這或許是搞軍備競(jìng)賽爭(zhēng)奪市占率必需付出的代價(jià)。 　　SK海力士狀況類似，市占率雖然進(jìn)步0.8個(gè)百分點(diǎn)，但同期間行動(dòng)DRAM營(yíng)收來(lái)卻較前期倒退23.1%，成為9.03
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美光漲逾7%！應(yīng)材估DRAM資本支出降溫、三星傳縮手

  • 　　半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)龍頭廠商應(yīng)用材料(Applied Materials Inc.)19日于美股盤(pán)后的營(yíng)收預(yù)估值擊敗分析師預(yù)估，帶動(dòng)20日股價(jià)跳漲13.81%、收22.66美元，漲幅不但居費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)成分股30支成分股之冠，收盤(pán)更創(chuàng)2015年3月30日以來(lái)收盤(pán)新高。 　　美國(guó)記憶體大廠美光(Micron Technology)19日跟著大漲7.25%、收10.80美元，創(chuàng)4月28日以來(lái)收盤(pán)新高。TheStreet.com 20日?qǐng)?bào)導(dǎo)，應(yīng)材在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上指出，投資活動(dòng)逐漸從DRAM轉(zhuǎn)到NAND型快閃記憶體
  • 關(guān)鍵字： 美光  DRAM  

DRAM價(jià)格持續(xù)下跌，第一季全球DRAM總產(chǎn)值環(huán)比衰退16.6%

  • 　　TrendForce旗下存儲(chǔ)事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，受到市況持續(xù)供過(guò)于求、平均銷售單價(jià)下降影響，2016年第一季全球DRAM總產(chǎn)值為85.6億美元，環(huán)比衰退16.6%。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第一季為傳統(tǒng)淡季，除中國(guó)市場(chǎng)的智能手機(jī)略有庫(kù)存回補(bǔ)的需求以外，筆記本電腦與iPhone的出貨量同步遭到下修，導(dǎo)致DRAM市場(chǎng)供過(guò)于求的現(xiàn)象更為明顯。 　　三星營(yíng)收持續(xù)摘冠，美光集團(tuán)開(kāi)始面臨成本保衛(wèi)戰(zhàn) 　　三星依然穩(wěn)坐DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭，第一季營(yíng)收雖下跌16.6%，
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DIGITIMES專欄：三星投入DRAM 18納米制程研發(fā)

  • 　　2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開(kāi)發(fā)18納米制程為其投資重點(diǎn)，DIGITIMES Research觀察，為克服DRAM 18納米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復(fù)雜等課題，三星將運(yùn)用四重曝光顯影技術(shù)(Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細(xì)導(dǎo)電膜形成技術(shù)，以維持其在DRAM技術(shù)的領(lǐng)先地位。 　　三星于DRAM 18納米制程將運(yùn)用自動(dòng)對(duì)位QPT(Self A
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM   
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