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Uni-chem收購(gòu)Hynix美國(guó)DRAM廠 轉(zhuǎn)產(chǎn)太陽(yáng)能電池

  •   南韓皮革供貨商Uni-chem Co. 26日在接受專訪時(shí)表示,該公司將斥資5,000萬(wàn)美元買下南韓內(nèi)存芯片大廠Hynix Semiconductor Inc.位于美國(guó)奧勒岡州猶吉尼市已停止運(yùn)作的DRAM廠。根據(jù)報(bào)導(dǎo),Uni-chem計(jì)劃利用該座廠房生產(chǎn)太陽(yáng)能電池,以便開拓新事業(yè)。Uni-chem主要供應(yīng)皮革給現(xiàn)代汽車、起亞汽車以及Burberry、Coach等豪華精品商。   根據(jù)報(bào)導(dǎo),Uni-chem甫于2009年8月收購(gòu)太陽(yáng)能電池企業(yè)Spire Corp.子公司Spire Solar Syst
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英特爾:為產(chǎn)業(yè)融合而重組

  •   英特爾在2005年1月17日重組的4年之后,于2009年9月14日再次對(duì)其組織架構(gòu)大刀闊斧地進(jìn)行了重組。   坊間著實(shí)對(duì)此熱議了一陣。從這些文章的標(biāo)題看,有就事論事說(shuō)主要產(chǎn)品部門整合到英特爾架構(gòu)事業(yè)部的,也有說(shuō)重組是為了給CEO歐德寧騰出時(shí)間專注企業(yè)戰(zhàn)略的,還有說(shuō)是因?yàn)橹袊?guó)讀者熟悉的基辛格離職去了EMC的,而筆者發(fā)現(xiàn)最多而又最離譜的文章標(biāo)題是《英特爾重組 為物色CEO接班人做準(zhǔn)備》。   西方現(xiàn)代管理制度強(qiáng)調(diào)的是因事用人,而因人設(shè)事最為忌諱。事實(shí)上,英特爾自創(chuàng)始以來(lái),從諾伊斯到摩爾再到貝瑞特直到現(xiàn)
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三星DRAM芯片停止對(duì)臺(tái)供貨

  •   三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)上任,營(yíng)運(yùn)策略出現(xiàn)不少重大轉(zhuǎn)變,將影響存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)生態(tài),三星日前決定全面停止對(duì)臺(tái)銷售DRAM芯片,一律只銷售DRAM模塊。存儲(chǔ)器廠表示,三星策略明顯側(cè)重OEM市場(chǎng),減少與現(xiàn)貨客戶合作,就連NAND Flash芯片供貨策略,亦同樣以消費(fèi)性電子大廠為優(yōu)先,尤其近期PC廠對(duì)于DRAM模塊需求強(qiáng)勁,三星供應(yīng)臺(tái)灣DRAM模塊數(shù)量大減,市場(chǎng)日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價(jià)。   存儲(chǔ)器業(yè)者指出,三星2009年在全球供貨策略出現(xiàn)許多
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TMC爭(zhēng)取政府注資 低于百億新臺(tái)幣

  •   臺(tái)灣創(chuàng)新內(nèi)存公司(TMC)召集人宣明智28日再度前往“經(jīng)濟(jì)部”,與新任“經(jīng)濟(jì)部”長(zhǎng)施顏祥見面,爭(zhēng)取TMC營(yíng)運(yùn)資金。據(jù)了解,TMC規(guī)劃,政府注資金額低于100億元(新臺(tái)幣,下同),由于金額遠(yuǎn)低于官方與業(yè)界原預(yù)期,一般認(rèn)為TMC將可如愿獲得政府注資,正式邁入營(yíng)運(yùn)。   DRAM現(xiàn)貨價(jià)直逼2美元,DRAM廠即將邁入轉(zhuǎn)盈之際,TMC仍然積極運(yùn)作。施顏祥先前擔(dān)任經(jīng)濟(jì)部常務(wù)次長(zhǎng)時(shí),便負(fù)責(zé)協(xié)助TMC籌劃與溝通等重要工作,與宣明智互動(dòng)密切。這是施顏祥就任“
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制程差距擴(kuò)大 臺(tái)灣DRAM廠隱憂

  •   臺(tái)灣DRAM大廠南科宣布8億股現(xiàn)金增資計(jì)劃,預(yù)計(jì)籌措100億元以上資金,全數(shù)投入50納米制程,以及償還公司債,盡管DRAM現(xiàn)貨價(jià)格已站上每顆2美元,時(shí)間點(diǎn)來(lái)得比預(yù)期早,國(guó)內(nèi)DRAM廠暫時(shí)度過(guò)最艱困的時(shí)刻,但三星半導(dǎo)體將在明年把40納米推升為生產(chǎn)線主力,成本大幅降低的優(yōu)勢(shì),勢(shì)必更加顯著,臺(tái)廠與國(guó)外一線大廠的苦戰(zhàn)還是難免。   由于DDR2過(guò)渡至DDR3面臨產(chǎn)能轉(zhuǎn)換的瓶頸期,導(dǎo)致DDR3產(chǎn)能不足,進(jìn)一步拉抬DDR2價(jià)格,原本內(nèi)存模塊廠預(yù)測(cè),今年第四季底,DDR2現(xiàn)貨價(jià)才有機(jī)會(huì)達(dá)到2美元,但根據(jù)集邦科技報(bào)
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南亞科擬再募資上百億元

  •   DRAM大廠南亞科再度宣布籌資計(jì)畫,預(yù)計(jì)辦理8億股的現(xiàn)金增資,籌措資金新臺(tái)幣百億元,用途在于買3廠的機(jī)器設(shè)備和償還到期公司債,目前南亞科積極轉(zhuǎn)換制程到美光(Micron)68奈米制程,約有20~25%產(chǎn)能比重已轉(zhuǎn)換過(guò)去,10月目標(biāo)是80%產(chǎn)能都轉(zhuǎn)到68奈米,為未來(lái)主力制程50 奈米做暖身,南亞科將挾持臺(tái)塑集團(tuán)的銀彈和美光的技術(shù),成為臺(tái)系DRAM廠聚焦之處。   南亞科在6月發(fā)行10億股的私募,當(dāng)時(shí)由臺(tái)塑集團(tuán)相關(guān)企業(yè)出面認(rèn)購(gòu),募得資金約新臺(tái)幣122.2億元資金,南亞科24日再度宣布將辦理8億股的現(xiàn)金增
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三星對(duì)半導(dǎo)體銷售前景仍謹(jǐn)慎 拒談收購(gòu)Hynix

  •   全球最大內(nèi)存芯片制造商三星電子(Samsung Electronics)近日表示,盡管半導(dǎo)體業(yè)已由2年的低迷谷底重振,公司對(duì)前景仍抱持謹(jǐn)慎態(tài)度。   三星電子半導(dǎo)體部門總裁權(quán)五鉉(Kwon Oh-hyun)在中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)北舉辦的移動(dòng)解決方案年度論壇上表示,由于政府鼎力相助,此行業(yè)現(xiàn)發(fā)展情況優(yōu)于公司當(dāng)初預(yù)期。然而他指出:“盡管如此,我們抱持的觀點(diǎn)仍偏向謹(jǐn)慎,預(yù)估歐美感恩節(jié)假期時(shí),將是銷售情況的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。”   感恩節(jié)假期在美國(guó)落在11月,加拿大則為10月。   權(quán)五鉉另表示,目
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年內(nèi)必有存儲(chǔ)廠商倒閉 Spansion進(jìn)行戰(zhàn)略調(diào)整

  •   “2009年一定會(huì)有一些閃存或者DRAM廠商倒閉,產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步整合是必然趨勢(shì),而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存,就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日,全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營(yíng)銷總監(jiān)John Nation抵京,他帶來(lái)了Spansion最新的第二季度財(cái)務(wù)狀況,以及公司為脫離破產(chǎn)保護(hù)而進(jìn)行的戰(zhàn)略調(diào)整。   Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商,也是全球最大一家專門出品閃存的企業(yè)。   今年3月1日,Spansion公司宣布,根
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IC資本支出依然謹(jǐn)慎 供應(yīng)收緊價(jià)格上漲

  •   分析師指出,資本支出創(chuàng)下歷史新低使IC市場(chǎng)供應(yīng)收緊,價(jià)格可能隨之上漲,但可能會(huì)發(fā)生其他不可預(yù)料的結(jié)果。   IC Insights總裁Bill McClean稱,今年半導(dǎo)體資本支出在銷售額中所占的比例降至12%,創(chuàng)歷史新低。芯片商在經(jīng)歷了嚴(yán)重衰退后,對(duì)資本投入依然比較謹(jǐn)慎。   “我們還不知道資本支出比例12%意味著什么。”McClean說(shuō)道,“我們從來(lái)沒(méi)有遇到過(guò)這種情況。”   資本支出比例在2008年為16%,2004年至2007年均在20%至
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海力士半導(dǎo)體擬售28%股權(quán) 曉星集團(tuán)有購(gòu)買意向

  •   據(jù)外電報(bào)道,曉星集團(tuán)表示了收購(gòu)海力士半導(dǎo)體的意向。   海力士股份管理協(xié)商會(huì)主管機(jī)構(gòu)的外換銀行表示,在受理海力士收購(gòu)意向書(L01)截止的最后一天,只有一家企業(yè)提交了意向書。據(jù)了解,這家企業(yè)是曉星集團(tuán)。   外換銀行本月7日向43家企業(yè)發(fā)出了出售通知。該43家企業(yè)包括:公平交易委員會(huì)指定的企業(yè)集團(tuán)當(dāng)中,去年資產(chǎn)總額達(dá)到5萬(wàn)億韓元以上的29家企業(yè);在2007年和2008年均受到相互出資限制的企業(yè)集團(tuán)中,資產(chǎn)總額達(dá)2萬(wàn)億韓元以上的14家企業(yè)。   當(dāng)初估計(jì),國(guó)內(nèi)至少會(huì)有4、5家企業(yè)會(huì)對(duì)收購(gòu)海力士有興
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三星加大DDR3芯片產(chǎn)量緩解市場(chǎng)需求壓力

  •   據(jù)報(bào)道,三星芯片部總裁Oh-Hyun Kwon近日在臺(tái)北舉行的三星年度移動(dòng)解決方案論壇上表示,三星正在提高DDR3芯片產(chǎn)量,以緩解目前市場(chǎng)上DDR3芯片供應(yīng)短缺現(xiàn)狀。   Oh-Hyun Kwon指出,DDR3芯片的需求增長(zhǎng)量超過(guò)了先前的預(yù)計(jì),導(dǎo)致了DDR3供應(yīng)短缺。不過(guò)三星目前已經(jīng)加大了DDR3芯片生產(chǎn)量,以滿足市場(chǎng)的增長(zhǎng)需求,40nm工藝將成為他們明年芯片生產(chǎn)的主要處理技術(shù)。   Oh-Hyun Kwon認(rèn)為,提高產(chǎn)量的方法并不只是多建幾家工廠,技術(shù)升級(jí)將是三星以后提高芯片產(chǎn)量的主要途徑。
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Rambus聯(lián)合金士頓開發(fā)出“線程式內(nèi)存條技術(shù)”

  •   Rambus公司以往的新聞幾乎都與XDR DRAM的官司有關(guān),不過(guò)這次他們則和金士頓合作開發(fā)出了一種可用于增大DDR3內(nèi)存帶寬的技術(shù)“線程式內(nèi)存條技術(shù)”(Threaded memory module)。這種技術(shù)基于現(xiàn)有的DDR3技術(shù),不過(guò)將內(nèi)存條上的內(nèi)存芯片進(jìn)行了分塊處理,位于各個(gè)分塊內(nèi)部的芯片共享一個(gè)命令/地址端口,不過(guò)數(shù)據(jù)傳 輸部分則可通過(guò)各自獨(dú)立的傳輸通道進(jìn)行傳輸,傳輸?shù)奈粚捒蛇_(dá)64字節(jié)(512bit),這樣就可以將傳統(tǒng)DDR3內(nèi)存的帶寬提升50%左右,而且采用這種 技術(shù)
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三星芯片部總裁:全球芯片需求形勢(shì)好于預(yù)期

  •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,三星電子芯片部門總裁權(quán)五鉉(Oh-Hyun Kwon)周二表示,全球芯片需求形勢(shì)好于公司原來(lái)預(yù)期,因此三星電子正在提高芯片產(chǎn)量以滿足市場(chǎng)需求。   權(quán)五鉉將需求提升歸功于企業(yè)重建庫(kù)存以及政府的經(jīng)濟(jì)刺激政策。   在臺(tái)北的新聞發(fā)布會(huì)上,權(quán)五鉉舉例道個(gè)人電腦用的DDR3芯片的需求就非常強(qiáng)勁。三星電子正在臺(tái)北舉行一個(gè)關(guān)于手機(jī)行業(yè)的論壇。   他表示,三星正在提高DDR3芯片的產(chǎn)量,預(yù)計(jì)將有助于結(jié)束市場(chǎng)供給短缺的現(xiàn)象。   權(quán)五鉉表示,此前由于制造商產(chǎn)能過(guò)度擴(kuò)張,DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取
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4大DRAM廠現(xiàn)金正流入 華亞科、力晶、茂德飛越現(xiàn)金成本線

  •   DRAM價(jià)格漲不停,1Gb容量DDR2價(jià)格直逼2美元,苦熬多時(shí)的臺(tái)系DRAM廠終于進(jìn)入現(xiàn)金正流入的狀態(tài),包括華亞科、力晶和茂德營(yíng)運(yùn)都終止失血,南亞科在自己晶圓廠生產(chǎn)部分也開始有現(xiàn)金流入,但采購(gòu)自華亞科的部分,受到母子公司拆帳仍是Margin-Sharing模式,因此部分還是現(xiàn)金流出,但以整個(gè)臺(tái)塑集團(tuán)的DRAM事業(yè)來(lái)看,已進(jìn)入現(xiàn)金正流入狀態(tài),下一步臺(tái)系DRAM業(yè)者的目標(biāo)是轉(zhuǎn)虧為盈。   4 大DRAM廠2008年虧損金額超過(guò)新臺(tái)幣1,000億元,眼看龍頭廠三星電子(Samsung Electronic
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IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM

  •   IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM測(cè)試芯片,并稱該芯片是半導(dǎo)體業(yè)界面積最小、密度最高、速度最快的片上動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。   IBM表示,使用SOI技術(shù)可使芯片性能提高30%,功耗降低40%。IBM還表示,基于SOI技術(shù)的嵌入式DRAM每個(gè)存儲(chǔ)單元只有一個(gè)單管,和32nm、22nm的片上SRAM相比,具有更理想的密度和速度。   IBM的這款32nm SOI嵌入式DRAM周期時(shí)間可以小于2納秒,與同類SRAM相比待機(jī)功耗降低4倍,軟錯(cuò)誤率降低1000多倍,功耗也大大減少。   IBM希望將3
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