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Vishay幫助客戶進(jìn)一步了解Vishay Dale電阻技術(shù)的先進(jìn)性
- Vishay在官方網(wǎng)站上發(fā)布Power Metal Strip?分流電阻如何應(yīng)用在定制產(chǎn)品中的解決方案的視頻介紹 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品,滿足特定用戶的需求,Vishay在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)新增加了一個(gè)介紹Power Metal Stri
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IBM公司介紹新款多功能處理器Wire-Speed Power
- 在近日舉辦的國際固態(tài)電路研討會(huì)ISSCC上,IBM公司介紹了一種定位介于服務(wù)器處理器和網(wǎng)絡(luò)用處理器之間的新型處理器,他們將這種處理器命名為 Wire-Speed Power處理器,這種處理器據(jù)IBM公司稱是面向新的系統(tǒng)級(jí)產(chǎn)品市場推出的,其應(yīng)用領(lǐng)域包括網(wǎng)絡(luò)邊緣設(shè)備,服務(wù)器智能化I/O以及分布式運(yùn)算等。 IBM公司負(fù)責(zé)wire-speed架構(gòu)設(shè)計(jì)的首席設(shè)計(jì)師Charlie Johnson表示:“我認(rèn)為這款產(chǎn)品是IBM有史以來開發(fā)的最復(fù)雜的產(chǎn)品。”IBM方面展示的有關(guān)介紹文件稱
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ADI助力Northern Power Systems的風(fēng)輪機(jī)設(shè)計(jì)
- 隨著傳統(tǒng)燃料生產(chǎn)和消耗所導(dǎo)致的環(huán)境和經(jīng)濟(jì)問題與日俱增,清潔的可再生能源市場應(yīng)運(yùn)而生。作為一種彌補(bǔ)石油、...
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XP Power推出低功率絕緣隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器JHM系列
- XP Power 正式宣布推出超緊湊低功率絕緣隔離DC/DC 轉(zhuǎn)換器JHM系列。該系列可選3W和6W的插件式安裝,封裝符合工業(yè)DIP-24引腳標(biāo)準(zhǔn),并且符合國際醫(yī)療設(shè)備需要滿足的UL / IEC 60601-1 和 CSA-C22.2 No 601.1安規(guī)認(rèn)證。該產(chǎn)品提供3000VAC輸入至輸出絕緣一分鐘,可滿足BF和CF應(yīng)用所需要的次級(jí)絕緣要求,5000VAC絕緣可達(dá)10毫秒,可滿足心臟手術(shù)設(shè)備應(yīng)用。任何病人需要接觸到的醫(yī)療器械都需要提供危險(xiǎn)電壓的絕緣保護(hù)并且到達(dá)到低漏電流的標(biāo)準(zhǔn)。JHM系列漏電流僅
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ARM發(fā)布45納米SOI測試結(jié)果,最高節(jié)能40%
- ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會(huì)上發(fā)布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator,SOI)45納米測試芯片的測試結(jié)果。結(jié)果表明,相較于采用傳統(tǒng)的體效應(yīng)工藝(bulk process)進(jìn)行芯片制造,該測試芯片顯示出最高可達(dá)40%的功耗節(jié)省的可能性。這一測試芯片是基于ARM1176™ 處理器,能夠在SOI和體效應(yīng)微處理器實(shí)施之間進(jìn)行直接的比較。此次發(fā)布的結(jié)果證實(shí)了在為高性能消費(fèi)設(shè)備和移動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)低功耗處理器時(shí),SOI是一項(xiàng)取代傳統(tǒng)體效應(yīng)工藝的可行技術(shù)。
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GlobalFoundries 32nm SOI制程良率突破兩位數(shù)
- 在最近召開的GSA會(huì)議(GSA Expo conference)上,GlobalFoundries公司宣稱其使用32nm SOI制程工藝制作的24Mbit SRAM芯片的良率已經(jīng)達(dá)到兩位數(shù)水平,預(yù)計(jì)年底良率有望達(dá)到50%左右。GlobalFoundries同時(shí)會(huì)在這個(gè)會(huì)議上展示其最新的制造設(shè)備。 據(jù)稱目前Intel 32nm Bulk制程技術(shù)的良率應(yīng)已達(dá)到70-80%左右的水平,而且已經(jīng)進(jìn)入正式量產(chǎn)階段,在32nm制程方面他們顯然又領(lǐng)先了一大步。不過按AMD原來的計(jì)劃,32nm SOI制程將在2
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“PAC 2009 China”金秋十月北京登場
- 由Power.org 主辦的 Power Architecture Conference(PAC2009)盛會(huì)將再次回到中國,大會(huì)將于10月14日在北京·柏悅酒店召開。會(huì)議將聚焦多用途的Power架構(gòu)技術(shù)平臺(tái)以及它繁茂而充滿生機(jī)的生態(tài)系統(tǒng)。 本次大會(huì)將亮相基于Power 架構(gòu)的最新產(chǎn)品和解決方案以及來自Power.org的倡議,會(huì)議組織方還邀請(qǐng)了業(yè)界頂尖的專家做主題演講并展開討論和交流。 當(dāng)今世界日新月異,根據(jù)需求不斷創(chuàng)新已經(jīng)成為時(shí)代發(fā)展的必然。Power Architecture
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NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品
- 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors,由飛利浦創(chuàng)立的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品,型號(hào)為PSMN1R2-25YL,它擁有最低的導(dǎo)通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無損耗封裝:LFPAK)中擁有最低導(dǎo)通電阻RDSon的MOSFET,也是恩智浦現(xiàn)有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術(shù)于一體,可在各種嚴(yán)苛應(yīng)用條件下
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Global Foundries挖角為新廠Fab2鋪路
- Global Foundries再度展開挖角,繼建置布局營銷業(yè)務(wù)、設(shè)計(jì)服務(wù)團(tuán)隊(duì)之后,這次延攬建廠、廠務(wù)人才并將目標(biāo)鎖定半導(dǎo)體設(shè)備商,Global Foundries預(yù)計(jì)2009年7月破土的Fab 2正在緊鑼密鼓策畫中,這次延攬的Norm Armour原屬設(shè)備龍頭應(yīng)用材料(Applied Materials)服務(wù)事業(yè)群高層,而Eric Choh則是原超微(AMD)晶圓廠營運(yùn)干部,兩人都熟稔晶圓廠設(shè)備系統(tǒng)與IBM技術(shù)平臺(tái)。 Global Foundries宣布新一波人事布局,主要是為了積極籌備位于紐
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Global Foundries志在英特爾 臺(tái)廠不是主要對(duì)手
- Global Foundries制造系統(tǒng)與技術(shù)副總裁Tom Sonderman表示,Global Foundries位于紐約Fab 2將于7月破土,專攻28納米制程已以下制程技術(shù),未來將持續(xù)延攬來自各界半導(dǎo)體好手加入壯大軍容,同時(shí)他也指出,目前45/40納米良率水平成熟并獲利可期,2009年底前Fab 1將全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)40/45納米制程。Global Foundries表示,在晶圓代工領(lǐng)域臺(tái)積電雖是對(duì)手之一,但真正的目標(biāo)(Bench Mark)其實(shí)對(duì)準(zhǔn)英特爾(Intel)。 競爭對(duì)手臺(tái)積電45/40
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英飛凌與LS合組新公司,聚焦白家電電源模塊
- 新聞事件: 韓國LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd 事件影響: 將使英飛凌和LSI得以加速進(jìn)入高效能家電、低功率消費(fèi)與標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)應(yīng)用等前景好的市場 LS預(yù)計(jì)于2010年1月在天安市的生產(chǎn)基地開始量產(chǎn)CIPOS模塊 韓國LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd,將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與行銷。 合
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 IGBT CIPOS 射極控制二極管技術(shù) SOI
新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)
- 提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu),該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層,采用源漏淺結(jié)擴(kuò)散,形成體接觸的側(cè)面引出,適當(dāng)加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明,該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應(yīng)。而且,該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價(jià)的前提下,通過適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻,從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。
- 關(guān)鍵字: SOI 器件
新型節(jié)能照明電源的控制技術(shù)(07-100)
- 用于建筑照明方面的電力管理解決辦法,如電感熒光燈,電子熒光燈,緊湊型熒光燈(CFL),鹵素?zé)艨刂萍呻娐芬约案邏簹怏w放電燈(H1D)技術(shù)等, 用于范圍寬廣的居民區(qū)、商業(yè)和汽車中,減少了它們所需要的電力,在節(jié)能方面向前邁進(jìn)了巨大的一步。其控制集成電路中的自適應(yīng)控制技術(shù)和高電壓半導(dǎo)體結(jié)隔離技術(shù)是其中的一部分,獲得了廣泛應(yīng)用。
- 關(guān)鍵字: The control technology of new illuminate power
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)power-soi的理解,并與今后在此搜索power-soi的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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