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消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產就緒

  • IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發(fā)，計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產準備，2026 年二季度正式啟動大規(guī)模生產。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計劃于 2025 上半年實現(xiàn)量產?！?SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法，SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
  • 關鍵字： SK海力士  內存  NAND  

消息稱 SK 海力士考慮推動 NAND 業(yè)務子公司 Solidigm 在美 IPO

  • IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國經濟日報》（Hankyung）與 Blocks & Files 報道，SK 海力士考慮推動 NAND 閃存與固態(tài)硬盤子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購第一階段后成立的獨立美國子公司?！?Solidigm D5-P5336，E1.L 規(guī)格，61.44TB由于內外部因素的共同影響，Sol
  • 關鍵字： SK海力士  內存  NAND  

長江存儲再度“亮劍”，在美國起訴美光侵犯其 11 項專利

  • IT之家 7 月 22 日消息，據外媒 Tomshardware 報道，中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區(qū)指控美光侵犯了長江存儲的 11 項專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產品。長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權的存儲產品，并支付專利使用費。長江存儲指控稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
  • 關鍵字： 長江存儲  NAND  美光  內存  

為什么QLC可能是NAND閃存的絕唱？

  • NAND 閃存已經達到了一定的密度極限，無法再進一步擴展。
  • 關鍵字： NAND  

三星發(fā)布了其首款60TB固態(tài)硬盤，能否搶占先機？

  • 內存和存儲芯片制造商三星發(fā)布了其首款容量高達60TB的企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD），專為滿足企業(yè)用戶的需求而設計。得益于全新主控，三星表示未來甚至可以制造120TB的固態(tài)硬盤。對比2020年發(fā)布的上一代BM1733，BM1733采用了第5代V-NAND技術的QLC閃存、堆疊層數為96層、最大容量為15.36TB，顯然BM1743的存儲密度有了大幅度提升。三星以往的固態(tài)硬盤容量上限為32TB，此次推出的BM1743固態(tài)硬盤則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是，目前三星在該細分市場將面臨的競爭相對較少，因
  • 關鍵字： 三星  固態(tài)硬盤  V-NAND  

鎧俠產能滿載 傳7月量產最先進NAND Flash產品

  • 《科創(chuàng)板日報》4日訊，鎧俠產線稼動率據悉已在6月回升至100%水準、且將在7月內量產最先進存儲芯片(NAND Flash)產品，借此開拓因生成式AI普及而急增的數據存儲需求。據悉，鎧俠將開始量產的NAND Flash產品堆疊218層數據存儲元件，和現(xiàn)行產品相比，存儲容量提高約50%，寫入數據時所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ）
  • 關鍵字： 鎧俠  NAND Flash  

我國科學家技術突破 存儲芯片無限次擦寫引圍觀：TLC、QLC買誰 恐不再糾結

  • 7月1日消息，據國內媒體報道稱，四川科學家借力AI 開發(fā)出"耐疲勞鐵電材料"，讓存儲芯片無限次擦寫。報道中提到，電子科技大學光電科學與工程學院劉富才教授團隊聯(lián)合復旦大學、中國科學院寧波材料技術與工程研究所在國際知名學術期刊《Science》上發(fā)表最新研究成果，開發(fā)出"耐疲勞鐵電材料"，在全球范圍內率先攻克困擾領域內70多年的鐵電材料疲勞問題。鐵電材料在經歷反復極化切換后，極化只能實現(xiàn)部分翻轉，導致鐵電材料失效，即鐵電疲勞。這一問題早在1953年就已被研究者發(fā)現(xiàn)報道，
  • 關鍵字： 存儲芯片  TLC  QLC  

NAND市場，激戰(zhàn)打響

  • 隨著人工智能（AI）相關半導體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動，NAND 閃存市場也感受到了這一趨勢的影響。目前，NAND 閃存市場的競爭正在加劇，存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產品開始量產，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分，
  • 關鍵字： 三星  第九代 V-NAND  

鎧俠結束減產？兩座NAND工廠開工率提高至100%

  • 據日經新聞報道，鑒于市場正在復蘇，日本存儲芯片廠商鎧俠已結束持續(xù)20個月的減產行動，且貸方同意提供新的信貸額度。報道稱，鎧俠于6月份將位于三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND工廠的生產線開工率提高至100%。而隨著業(yè)務好轉，債權銀行已同意為6月份到期的5,400億日元（34.3億美元）貸款進行再融資。他們還將設立總額為2,100億日元的新信貸額度。2022年10月，為應對需求低迷的市場環(huán)境，鎧俠發(fā)布聲明稱，將調整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠的生產，將晶圓生產量減少約30%，并表示會繼續(xù)根據
  • 關鍵字： 鎧俠  NAND  

Omdia：2027 年 QLC 市場規(guī)模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍

  • IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉述市場分析機構 Omdia 的話稱，2027 年 QLC 市場規(guī)模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對比，Omdia 認為 2023 年 QLC 閃存市場份額占比僅有 12.9%，今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話說，未來三年 QLC 在 NAND 市場整體中的占比將在今年的基礎上繼續(xù)提升 1.24 倍，達 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市場滲透主要
  • 關鍵字： QLC  NAND 閃存  

三星計劃到2030年推出1000層3D NAND新材料

  • 據外媒報道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實現(xiàn)pb級ssd。如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現(xiàn)出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據三星電子高管預測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數將超過1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
  • 關鍵字： 三星  NAND  存儲  

三星1000層NAND目標，靠它實現(xiàn)

  • 三星電子計劃實現(xiàn)“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現(xiàn)目標，且可能是關鍵。目前，三星已經推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據業(yè)內消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術，堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現(xiàn)超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數據、云計算等領域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的研究
  • 關鍵字： 三星  NAND  Flash  

三星1000層NAND目標，靠它實現(xiàn)？

  • 三星電子計劃實現(xiàn)“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現(xiàn)目標，且可能是關鍵。目前，三星已經推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據業(yè)內消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術，堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現(xiàn)超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數據、云計算等領域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的
  • 關鍵字： 三星  1000層  NAND  

SK海力士開發(fā)新一代移動端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”

  • · 作為業(yè)界最高性能產品，將于今年第3季度開始量產并搭載于端側AI手機· 與前一代產品相比，長期使用所導致的性能下降方面實現(xiàn)大幅改善，其使用壽命也提升40%· “繼HBM后，也在NAND閃存解決方案領域引領面向AI的存儲器市場”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司開發(fā)出用于端側（On-Device）AI*的移動端NAND閃存解決方案產品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0為新一代移動端NAND閃存解決方案產品，其產品實現(xiàn)業(yè)界最高
  • 關鍵字： SK海力士  AI  存儲  NAND  

SK海力士試圖用低溫蝕刻技術生產400多層的3D NAND

  • 在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨特的性能。
  • 關鍵字： SK海力士  3D NAND  
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