qlc nand 文章 進入qlc nand技術(shù)社區(qū)
潛力無限的汽車存儲芯片
- 隨著智能化、電動化浪潮的推進,汽車芯片的含量成倍提升,電動車半導體含量約為燃油車2倍,智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片,2035年增長為1285億顆。價值增量端,2020年汽車芯片價值量為339億美元,2035年為893億美元??梢娦酒瑢⒊蔀槠囆吕麧櫾鲩L點,有望成為引領(lǐng)半導體發(fā)展新驅(qū)動力?! ∑囆酒瑥膽铆h(huán)節(jié)可以分為5類:主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等,以存儲芯片為例,2022年全球汽車存儲芯片市場規(guī)模約52億美元,國內(nèi)汽車存儲芯片市場規(guī)模
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盈利能力大增,估值較低的存儲龍頭被看好?
- 5月30日兆易創(chuàng)新宣布,公司Flash產(chǎn)品累計出貨量已超過190億顆,年出貨量超過28億顆,目前兆易創(chuàng)新在NOR Flash領(lǐng)域已成為中國第一,全球第三,2020年兆易創(chuàng)新NOR Flash產(chǎn)品市場份額達到17.8%。除了NOR Flash存儲芯片,兆易創(chuàng)新業(yè)務還包括DRAM存儲芯片以及存儲器和MCU,在過去一段時間行業(yè)普遍缺芯的背景下,兆易創(chuàng)新的營收與凈利潤均實現(xiàn)大幅增長,2021年和2022年一季度公司營收分別增長89.25%和165.33%,歸母凈利潤分別增長39.25%和127.65%。目前芯片行
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中國DRAM和NAND存儲技術(shù)和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國嗎?
- 近日,韓國進出口銀行海外經(jīng)濟研究所(OERI)推算,韓國和中國在存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)差距為:DRAM的差距約為 5年,NAND 的差距約為2年。該研究院分析,中國DRAM制造企業(yè)長鑫存儲2022年將推進第二代10nm(1y或16nm至17nm)DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國企業(yè)計劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm)DRAM??紤]到每一代的技術(shù)差距為2年-2年半,兩國之間的技術(shù)差距超過5年。據(jù)該研究院推測,在NAND閃存領(lǐng)域,中國與韓國的技術(shù)差距約為2年。中國存儲芯片企業(yè)長江存
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中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖
- 全球范圍看,2021-2023年存儲芯片的市場規(guī)模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元,增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。其中,2021年DRAM市場規(guī)模約占56%,NAND Flash市場規(guī)模約占41%(IC Insights數(shù)據(jù))。另外,根據(jù)CFM 閃存市場預計,2021年全球存儲市場規(guī)模將達1620億美元,增長29%,其中DRAM為945億美元,NAND Flash為675億美元。這兩個調(diào)研機構(gòu)的數(shù)據(jù)相近,相差100億美元。目前,全球儲存芯片市場主要被韓國、歐美以及
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長江存儲SSD上新!42mm迷你身材飚出3.9GB/s
- 這兩年,長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤,都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài),從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日,長江存儲有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列,可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務器等各種場景,而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓,可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片,容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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存儲芯片從落后20年,到追上三星、美光,中國廠商只花了6年
- 近日,有消息稱,國內(nèi)存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初,會實現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國內(nèi)存儲芯片廠商,終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片,而大規(guī)模量產(chǎn)和應用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片,而大規(guī)模應用也要到2023年去了??梢姡瑖a(chǎn)存儲芯片,在技術(shù)上確實已經(jīng)追上了三星
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中國芯片傳來捷報,長江存儲取得技術(shù)突破,正式打破三星壟斷
- 中國芯片傳來捷報,長江存儲取得重大技術(shù)突破,正式打破韓國三星壟斷,目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn),預計年底實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展狀態(tài),用短短3年的時間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離,長江存儲直接越級跳過了96層,直接進入了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是
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國產(chǎn)存儲芯片又取得突破,長江存儲192層閃存送樣,預計年底量產(chǎn)
- 頭一段時間,有媒體報道稱,長江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣,預計年底實現(xiàn)量產(chǎn)。長江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè),從成立之初便保持了一個高速的發(fā)展狀態(tài)。2016年成立,2017年便推出了32層NAND閃存。2019年,推出64層堆棧3D NAND閃存,并成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距,長江存儲跳過了96層,直接進行了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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美光針對數(shù)據(jù)中心推出業(yè)界首款基于 176 層 NAND 的SATA SSD
- 內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布推出全球首款專為數(shù)據(jù)中心工作負載設計的基于 176 層 NAND 技術(shù)的SATA 固態(tài)硬盤 (SSD)。美光 5400 SATA SSD 是目前最先進的數(shù)據(jù)中心 SATA SSD產(chǎn)品,采用久經(jīng)考驗的第 11 代 SATA 架構(gòu),支持廣范的應用場景,提供相比傳統(tǒng)機械硬盤 (HDD) 顯著提升的性能,并延長了 SATA 平臺的使用壽命。美光副總裁暨數(shù)據(jù)中心存儲產(chǎn)品總經(jīng)理 Alvaro Toledo 表示
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SK海力士首次公開與Solidigm的“合作產(chǎn)品”
- “獨立子公司成立僅三個月,兩家公司在事業(yè)上的合作全面開始”SK海力士和Solidigm首次公開了結(jié)合SK海力士128層NAND閃存與Solidigm的SSD控制器和固件的合作產(chǎn)品。SK海力士和Solidigm將繼續(xù)優(yōu)化兩家公司的運營,以創(chuàng)造協(xié)同效應和合作伙伴關(guān)系。加州圣何塞和南韓首爾2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm(或“公司”, www.skhynix.com)今日首次公開了兩家公司共同開發(fā)的新企業(yè)級SSD(eSSD)產(chǎn)品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年
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針對勒索軟件與網(wǎng)絡攻擊 IBM打造新一代儲存產(chǎn)品
- IBM發(fā)布下一代閃存產(chǎn)品,瞄準日益嚴峻的勒索軟件和其他網(wǎng)絡攻擊。 IBM FlashSystem Cyber Vault旨在幫助企業(yè)更快速地檢測勒索軟件和其他網(wǎng)絡攻擊并從中恢復;而建基于 IBM Spectrum Virtualize 的全新 FlashSystem 存儲模型能夠提供單一且一致的操作環(huán)境,旨在提高混合云環(huán)境下的網(wǎng)絡復原力和應用程序性能。 IBM 推出下一代儲存產(chǎn)品,瞄準勒索軟件及其他網(wǎng)絡攻擊根據(jù)IBM網(wǎng)絡彈性機構(gòu)的研究,46%的受訪者表示在過去兩年中經(jīng)歷了勒索軟件攻擊。隨著網(wǎng)絡攻
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TrendForce:三星NAND Flash生產(chǎn)不受西安封城影響
- 中國西安正受疫情影響而封城,目前尚無法預期解封時間,根據(jù)TrendForce調(diào)查,由于三星(Samsung)在當?shù)卦O有兩座大型工廠,均用以制造3D NAND高層數(shù)產(chǎn)品,投片量占該公司NAND Flash產(chǎn)能達42.3%,占全球亦達15.3%,現(xiàn)下封城措施并未影響該工廠的正常營運。然而,當?shù)胤獬谴胧﹪栏窆芸厝肆骷拔锪鳎M管2021年底至2022年一月中以前的出貨多已經(jīng)安排妥適,但無法排除接下來因物流延遲出貨的可能,這將可能對采購端的物料安排造成影響。此外,該公司的原物料進貨也有可能受到物流受阻而延遲,但三星
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筆記本電腦與手機火熱 2021年第一季NAND Flash總營收季增5.1%
- 根據(jù)TrendForce表示,2021年第一季NAND Flash產(chǎn)業(yè)總營收達148.2億美元,季增5.1%,其中位出貨量成長11%,大致抵消平均銷售單價下跌5%帶來的影響。在議價時,需求端雖受惠于筆電、智能型手機需求強勁,但數(shù)據(jù)中心市場需求仍屬疲弱,市場尚未脫離供過于求的狀態(tài),各類產(chǎn)品合約價仍呈現(xiàn)明顯下跌。然而,OEM/ODM采購開始留意到NAND Flash控制器缺貨沖擊中低容量產(chǎn)品供給,自今年一月下旬便開始增加訂單,一方面避免陷入缺貨風險,也希望在料況無虞的情況下,策略性擴大市占,使得第一季NAND
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qlc nand介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對qlc nand的理解,并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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