qlc nand 文章 進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區(qū)
(2023.3.20)半導(dǎo)體周要聞-莫大康
- 半導(dǎo)體周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非:華為三年完成了13000型號器件的替代開發(fā)近日,華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮,為在解題揭榜中做出突出貢獻(xiàn)的獲獎人員代表頒獎,華為總裁任正非發(fā)表了講話,部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀(jì)要。任正非表示,在美國制裁華為這三年期間,華為完成 13000 + 型號器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復(fù)換板開發(fā)等,直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來,因?yàn)橛辛藝a(chǎn)的零部件供應(yīng)。任正非表示,華為現(xiàn)在還屬于困難時期,但在前進(jìn)的道路上并沒有停步。
- 關(guān)鍵字: 莫大康 半導(dǎo)體 華為 光刻機(jī) NAND
存儲器廠商Q1虧損恐難逃
- 由于DRAM及NAND Flash第一季價格續(xù)跌,加上庫存水位過高,終端消費(fèi)支出持續(xù)放緩,據(jù)外電消息,韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出,南亞科(2408)及華邦電(2344)因減產(chǎn)及跌價導(dǎo)致營收及毛利率持續(xù)下滑,第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報導(dǎo),三星電子3月19日提交給韓國金融監(jiān)督院的申報文件中指出,截至去年第四季,整體庫存資產(chǎn)達(dá)到52.2兆韓元(約折合399億美元),遠(yuǎn)高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中,占三星營收比重最高的半導(dǎo)
- 關(guān)鍵字: 存儲器 DRAM NAND Flash
存儲大廠展示300層NAND Flash,預(yù)計最快2024年問世
- 近日,在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上,韓國存儲器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示,新3D NAND Flash快閃存儲器預(yù)定兩年內(nèi)上市,有望打破紀(jì)錄。外媒報導(dǎo),SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開發(fā),提供1TB(128GB)容量,20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達(dá)194MB/s,較上一代238層堆疊和164MB/
- 關(guān)鍵字: 300層 NAND Flash SK海力士
(2023.3.20)半導(dǎo)體周要聞-莫大康
- 半導(dǎo)體一周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非:華為三年完成了13000型號器件的替代開發(fā)近日,華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮,為在解題揭榜中做出突出貢獻(xiàn)的獲獎人員代表頒獎,華為總裁任正非發(fā)表了講話,部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀(jì)要。任正非表示,在美國制裁華為這三年期間,華為完成 13000 + 型號器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復(fù)換板開發(fā)等,直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來,因?yàn)橛辛藝a(chǎn)的零部件供應(yīng)。任正非表示,華為現(xiàn)在還屬于困難時期,但在前進(jìn)的道路上并沒有停步
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 莫大康 華為 NAND 光刻機(jī)
均價跌幅擴(kuò)大,2022年第四季NAND Flash總營收環(huán)比下跌25%
- TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示,NAND Flash市場自2022年下半年以來面臨需求逆風(fēng),供應(yīng)鏈積極去化庫存加以應(yīng)對,此情況導(dǎo)致第四季NAND Flash合約價格下跌20~25%,其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產(chǎn)品,跌幅約23~28%。在原廠積極降價求量的同時,客戶為避免零部件庫存再攀高,備貨態(tài)度消極,使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長僅5.3%,平均銷售單價環(huán)比減少22.8%,2022年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比下跌25.0%,達(dá)
- 關(guān)鍵字: 集邦 NAND Flash
支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng)新
- 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝(用于移動應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能)的性能,就需要對架構(gòu)、材料和核心制造流程進(jìn)行復(fù)雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項(xiàng)包括新的計算架構(gòu)、不同的材料,包括更薄的勢壘層和熱預(yù)算更高的材料,以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠(yuǎn)的方式組合這些。當(dāng)今的頂級智能手機(jī)使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺,包括一個或多
- 關(guān)鍵字: 3D NAND DRAM 5nm SoC
分區(qū)存儲助力QLC應(yīng)用到嵌入式存儲設(shè)備
- 目前應(yīng)用在移動終端的嵌入式存儲設(shè)備(這里主要指UFS/eMMC等,以下統(tǒng)稱“嵌入式存儲設(shè)備”)中主流介質(zhì)還是TLC。但更高存儲密度的QLC也已經(jīng)產(chǎn)品化,比如一些數(shù)據(jù)中心(讀密集型應(yīng)用)已經(jīng)在部署QLC存儲設(shè)備。QLC可以給存儲設(shè)備帶來更低的成本,作為消費(fèi)級產(chǎn)品的嵌入式存儲設(shè)備,未來引入QLC也是勢在必行。但和當(dāng)前主流TLC相比,QLC在性能和壽命上都相差很大,從下面某原廠TLC和QLC在性能和壽命方面的一個對比可見一斑。(Table 1:某原廠TLC和QLC性能和壽命對比) 因此,QLC要應(yīng)用在
- 關(guān)鍵字: 分區(qū)存儲 QLC 嵌入式存儲設(shè)備
西部數(shù)據(jù)宣布進(jìn)一步削減生產(chǎn)和投資,NAND 晶圓產(chǎn)量將減少至 30%
- IT之家 2 月 7 日消息,據(jù)韓媒 Business Korea 報道,在內(nèi)存半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)低迷的情況下,全球 NAND 閃存市場第四大公司西部數(shù)據(jù)宣布將進(jìn)一步縮減設(shè)備投資和生產(chǎn)。西部數(shù)據(jù) 1 月 31 日在 2022 年第四季度業(yè)績電話會議上表示,2023 財年設(shè)備投資總額將達(dá)到 23 億美元(當(dāng)前約 156.17 億元人民幣)。據(jù)IT之家了解,這一數(shù)字比 2022 年 10 月披露的 27 億美元(當(dāng)前約 183.33 億元人民幣)下降了 14.8%,與 2022 年 8 月公布
- 關(guān)鍵字: NAND 內(nèi)存 西部數(shù)據(jù)
NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成
- 消費(fèi)性固態(tài)硬盤(Client SSD)受惠于疫情紅利,在過去二年作為推動全球NAND Flash需求位成長的要角,市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦預(yù)估,2022年消費(fèi)性SSD在筆電的滲透率達(dá)92%,2023年約96%。但隨疫情紅利退場,加上總經(jīng)不佳導(dǎo)致消費(fèi)性電子需求急凍,未來消費(fèi)性SSD需求放緩最明顯,連帶使整體NAND Flash需求位成長受限,估2022~2025年的年增率均低于30%。容量方面,2022年消費(fèi)性SSD于筆電搭載容量已逾500GB,512GB消費(fèi)性SSD在近期迅速跌價后,已與半年前256GB報價相近,甚至
- 關(guān)鍵字: NAND Flash
基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)
- 在現(xiàn)代電子設(shè)備中,越來越多的產(chǎn)品使用NAND FLASH芯片來進(jìn)行大容量的數(shù)據(jù)存儲,而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據(jù)NAND FLASH的特點(diǎn),需要識別NAND FLASH芯片的壞塊并進(jìn)行管理。FPGA對壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進(jìn)行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設(shè)計方法,利用FPGA中RAM模塊,設(shè)計了狀態(tài)機(jī)電路,靈活地實(shí)現(xiàn)壞塊表的建立、儲存和管理,并且對該設(shè)計進(jìn)行測試驗(yàn)證。
- 關(guān)鍵字: NAND FLASH FPGA 壞塊 壞塊檢測 202212
全球首款!美光232層NAND客戶端SSD正式出貨
- 12月15日,美光宣布,已開始向PC OEM客戶出貨適用于主流筆記本電腦和臺式機(jī)的美光2550 NVMe固態(tài)硬盤(SSD)。據(jù)官方介紹,美光2550是全球首款采用200+層NAND技術(shù)的客戶端SSD,該產(chǎn)品基于PCIe 4.0架構(gòu),采用美光232層NAND技術(shù),加強(qiáng)了散熱架構(gòu)和低功耗設(shè)計。美光2550 SSD可在包括游戲、消費(fèi)和商用客戶端等主流PC平臺上提升應(yīng)用程序的運(yùn)行速度和響應(yīng)靈敏度。與競品相比,2550 SSD文件傳輸速度快112%,辦公應(yīng)用運(yùn)行速度快67%,主流游戲加載速度快57%,內(nèi)容創(chuàng)
- 關(guān)鍵字: 美光 232層 NAND SSD
韓國芯片出口暴降30%!SSD腰斬白菜價甩賣:SK海力士、三星虧到家
- 作為韓國的重要支柱,芯片出口的多少,直接關(guān)系著幾大財團(tuán)的營收,比如三星、SK海力士等等。據(jù)國外媒體報道,消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑,導(dǎo)致對芯片的需求下滑,尤其是存儲芯片,需求與價格雙雙下滑。韓國關(guān)稅廳最新公布的數(shù)據(jù)顯示,在11月份的前20天,韓國芯片出口52.8億美元,同比下滑 29.4%。除了芯片,韓國重要的出口產(chǎn)品還有智能手機(jī)等移動設(shè)備,但這一類產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額,也同比下滑20.6%,降至13.6億美元。比較有標(biāo)志性的一個現(xiàn)象是,全球智能手機(jī)老大已經(jīng)在不停的砍單了,至少在3000萬部,這也
- 關(guān)鍵字: 三星 SK海力士 DRAM NAND
三星開始量產(chǎn)第8代V-NAND,存儲密度高達(dá)1Tb
- 作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè),正如在2022年度閃存峰會和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的,三星今日宣布,已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb(太字節(jié))三比特單元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度,可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。三星電子第八代V-NAND,1Tb三星閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁SungHoi Hu表示:"市場對更高密度、更大容量存儲的需求,推動了V-NAND層數(shù)的增加,三星采用3D縮放(3
- 關(guān)鍵字: 三星 V-NAND 存儲密度
三星宣布量產(chǎn)第 8 代 V-NAND 閃存,PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps
- IT之家 11 月 7 日消息,雖然還沒有發(fā)布任何實(shí)際產(chǎn)品,但三星電子現(xiàn)宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片,該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度,當(dāng)搭配高端主控使用時,它可使得消費(fèi)級 SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據(jù)介紹,第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案,三星電子沒有公開 IC 的大小和實(shí)際密度,不過他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱,與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比,
- 關(guān)鍵字: V-NAND 閃存 三星
qlc nand介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條qlc nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對qlc nand的理解,并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對qlc nand的理解,并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473