qlc nand 文章進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區(qū)

三星 NAND 市占下滑，大陸供應(yīng)鏈威脅來(lái)勢(shì)洶洶

　　中國(guó)政府積極扶植半導(dǎo)體，南韓三星倍感威脅，最新數(shù)據(jù)顯示三星 NAND 快閃記憶體的市占率被剛間接染紅的 SanDisk 搶走，更讓韓廠感受到紅色供應(yīng)鏈的威脅儼然已兵臨城下。　　DRAMeXchange 第三季統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，三星 NAND 記憶體市占率為 31.5%，較去年同期下滑 1.1 個(gè)百分點(diǎn)，與此同時(shí)，東芝上升 1.4 個(gè)百分點(diǎn)至 20.5%，Sandisk 更是成長(zhǎng) 2 個(gè)百分點(diǎn)至 15.4%。(yonhapnews.com) 　　中國(guó)清華紫光集團(tuán)目前為硬碟大廠 WD(Western D
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TrendForce：第三季NAND Flash價(jià)格下滑加劇，整體營(yíng)收成長(zhǎng)趨緩

　　TrendForce旗下存儲(chǔ)事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報(bào)告顯示，第三季NAND Flash價(jià)格下滑速度加快，整體營(yíng)收僅較第二季成長(zhǎng)約2.4%。DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，第三季原先看好的旺季效?yīng)需求并未出現(xiàn)，來(lái)自于總體經(jīng)濟(jì)面的雜音讓各種NAND Flash終端需求銷售不如預(yù)期，也讓第三季整體NAND Flash市場(chǎng)呈現(xiàn)供過(guò)于求的格局，價(jià)格下滑的力道加強(qiáng)也讓廠商營(yíng)收成長(zhǎng)與利潤(rùn)保衛(wèi)面臨挑戰(zhàn)，第四季供過(guò)于求的情況將持續(xù)，營(yíng)收再度成長(zhǎng)的動(dòng)能也備受考驗(yàn)。　　
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紫光暫時(shí)擱置投資臺(tái)廠正與美芯片廠談判

　　紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)表示，將暫時(shí)擱置對(duì)臺(tái)灣科技公司的投資計(jì)畫。紫光目前重點(diǎn)是五年內(nèi)投資人民幣3，000億元(約新臺(tái)幣1.5兆元)，打造成為全球第三大晶圓制造廠，且目前正與美國(guó)一家芯片公司談判中。　　稍早趙偉國(guó)提出愿將旗下展訊、銳迪科與聯(lián)發(fā)科合并，共同對(duì)抗美國(guó)芯片大廠高通，并布建“從芯到云”相關(guān)產(chǎn)業(yè)重要零組件，先前趙偉國(guó)來(lái)臺(tái)，還曾密會(huì)NAND控制IC大廠群聯(lián)董事長(zhǎng)潘建成。　　市場(chǎng)先前解讀，趙偉國(guó)頻頻對(duì)臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)業(yè)釋出友善態(tài)度，若日后陸資投資我IC設(shè)計(jì)業(yè)規(guī)范松綁，紫光結(jié)盟
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中國(guó)NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整

　　研究機(jī)構(gòu)TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲(chǔ)存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國(guó)業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來(lái)越關(guān)鍵。　　TrendForce 旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，雖然NAND Flash短期內(nèi)受到供過(guò)于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局，但長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，NAND Flash的相關(guān)應(yīng)用成長(zhǎng)依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見(jiàn)度越來(lái)愈高，NAND Flash成為未來(lái)儲(chǔ)存
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如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過(guò)程位反轉(zhuǎn)？

　　摘要：關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash，一直都是很多用戶頭疼的難點(diǎn)，他們強(qiáng)調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案，也制定了規(guī)范的操作流程，但是燒錄的良品率還是無(wú)法提高，只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來(lái)!　　近日某電子科技有限公司的客戶郵件反饋：使用我們的SmartPRO 6000F-Plus燒錄MICRON廠家的TSOP48封裝的Nand Flash MT29F2G08ABAEA，不良率比較高，甚至達(dá)到了10%的燒錄不良率，而燒錄SAMSUNG廠家
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因應(yīng)中國(guó)市場(chǎng)需求　Intel大連廠轉(zhuǎn)生產(chǎn)3D NAND

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)龍頭英特爾(Intel)日前宣布與中國(guó)的大連市政府配合，將原先以65奈米制程生產(chǎn)處理器晶片的中國(guó)大連廠，轉(zhuǎn)型為生產(chǎn)最新的3D-NAND Flash 晶片，總投資金額高達(dá)55億美元，預(yù)計(jì)于明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。　　根據(jù)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新公布數(shù)據(jù)，2015年整體中國(guó)市場(chǎng)NAND Flash總消耗量換算產(chǎn)值高達(dá)66.7億美元，占全球產(chǎn)值29.1%，明年更可望達(dá)到全球NAND Flash產(chǎn)量的三分之一，成長(zhǎng)幅度十分驚人。　　DRAMeXchan
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英特爾大連廠變道：一座明星廠的尷尬自救

從一個(gè)經(jīng)典明星案例到現(xiàn)在這種尷尬的路徑，這是中美兩國(guó)科技、全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)、產(chǎn)業(yè)變遷、英特爾戰(zhàn)略共同博弈下的一種結(jié)果。
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中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入快速成長(zhǎng)期晶圓代工業(yè)者卡位戰(zhàn)開(kāi)打

半導(dǎo)體被列入重點(diǎn)培植產(chǎn)業(yè)，政府計(jì)劃性的補(bǔ)貼下，全球市占率的日益攀升，產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力快速成長(zhǎng)，直接威脅了臺(tái)灣、歐美廠商，全球主要晶圓代工業(yè)者已陸續(xù)在中國(guó)進(jìn)行卡位戰(zhàn)。
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研調(diào)：陸今年DRAM、NAND總消化量估占全球22%及29%

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新研究顯示，由于中國(guó)大陸內(nèi)需市場(chǎng)胃納量龐大，在伺服器以及智慧型手機(jī)的出貨需求持續(xù)攀升，預(yù)估今(2015)年中國(guó)內(nèi)需市場(chǎng)在DRAM與NAND的總消化量換算產(chǎn)值高達(dá)120億與66.7億美元，分別占全球產(chǎn)值的21.6%與29.1%。　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，從DRAM需求觀察，近年來(lái)中國(guó)品牌不論在個(gè)人電腦或是智慧型手機(jī)領(lǐng)域出貨量不斷增長(zhǎng)。其中，聯(lián)想(0992.HK)在個(gè)人電腦市場(chǎng)與第一名的惠普出貨量在伯仲之間，并穩(wěn)居
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全新賽普拉斯SLC NAND閃存系列可降低系統(tǒng)成本，提升系統(tǒng)安全性

　　全球嵌入式系統(tǒng)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司今日宣布推出面向高安全應(yīng)用的單層單元(SLC)NAND閃存系列。此前，高安全應(yīng)用的設(shè)計(jì)者一直使用帶有分區(qū)保護(hù)的NOR閃存存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼，并利用商用級(jí)SLC NAND閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)固件和應(yīng)用。全新的賽普拉斯SecureNAND™閃存系列通過(guò)為機(jī)頂盒、POS機(jī)、可穿戴設(shè)備和其他高安全應(yīng)用提供帶有集成式分區(qū)保護(hù)特性的單一非易失性內(nèi)存，可幫助用戶降低系統(tǒng)成本，提高系統(tǒng)的安全性。　　賽普拉斯SecureNAND系列包括1Gb、2Gb和4Gb閃存，所有
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今年推兩款存儲(chǔ)芯片美光現(xiàn)轉(zhuǎn)機(jī)

　　《巴倫周刊》(Barron’s)報(bào)導(dǎo)指出，半導(dǎo)體廠商美光(Micron)盡管今年以來(lái)遭遇股價(jià)蒸發(fā)近半，但仍有許多投資人看多，原因在于訂于今年問(wèn)世的兩款記憶晶片──新一代3D NAND快閃記憶體與新款3D XPoint，鎖定手機(jī)應(yīng)用程式市場(chǎng)和大數(shù)據(jù)分析領(lǐng)域，料將大幅提升美光利潤(rùn)率。　　兩款晶片系與英特爾合作研發(fā)。前者料增進(jìn)美光2016年?duì)I收與凈利，而后者料自2018年起占美光營(yíng)收比明顯擴(kuò)大。　　有看多美光者預(yù)測(cè)，股價(jià)可能于1年間上漲逾6成，達(dá)每股30美元。較保守的假設(shè)為，1年間上漲
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紫光“三星化”壯大：企業(yè)合作找龍頭人才招募選精英

　　中國(guó)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)芯謀研究 (ICwise) 4 日在《微博》放話，“這兩天半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會(huì)有重大新聞”，5 日正式發(fā)文，表示臺(tái)灣南亞科總經(jīng)理高啟全將離職，加入中國(guó)紫光集團(tuán)，負(fù)責(zé)半導(dǎo)體儲(chǔ)存業(yè)務(wù)。消息一出，果然在臺(tái)灣帶來(lái)震撼。外界也好奇，近來(lái)動(dòng)作頻頻的紫光集團(tuán)，究竟有什么背景與能耐，在半導(dǎo)體行業(yè)到處“興風(fēng)作浪”? 　　■紫光發(fā)展簡(jiǎn)歷　　依紫光集團(tuán)官網(wǎng)簡(jiǎn)介，紫光的前身是中國(guó)清華大學(xué)在 1988 年所成立的科技開(kāi)發(fā)公司，并在 1993 年改組為清華紫光 (集
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東芝財(cái)報(bào)風(fēng)波長(zhǎng)期恐將損及NAND事業(yè)

　　東芝(Toshiba)財(cái)報(bào)不實(shí)風(fēng)波雖未涉及目前東芝利潤(rùn)最高的NAND快閃存儲(chǔ)器部門，但日媒體日經(jīng)Tech-On訪問(wèn)日本半導(dǎo)體界人士，卻表示長(zhǎng)期終將損害快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。　　目前東芝半導(dǎo)體事業(yè)主力NAND存儲(chǔ)器產(chǎn)品，由于移動(dòng)裝置需求持續(xù)成長(zhǎng)，銷售量不斷增大，為日本少數(shù)仍名列前茅且具世界競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體產(chǎn)品;但這項(xiàng)產(chǎn)品需要大量資金持續(xù)投資才能保持領(lǐng)先，受企業(yè)財(cái)務(wù)狀況影響比其他半導(dǎo)體產(chǎn)品更大。　　現(xiàn)在東芝碰上財(cái)務(wù)問(wèn)題，對(duì)NAND快閃存儲(chǔ)器的投資必然受到影響，雖說(shuō)新社長(zhǎng)室町正志出身半導(dǎo)體事業(yè)，對(duì)這個(gè)
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FinFET/3D NAND前景亮　推升半導(dǎo)體設(shè)備需求

　　鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實(shí)現(xiàn)更高運(yùn)算/儲(chǔ)存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導(dǎo)體設(shè)備商應(yīng)用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長(zhǎng)的潛力，已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機(jī)臺(tái)和磊晶技術(shù)。　　應(yīng)用材料副總裁兼臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸指出，隨著先進(jìn)制程發(fā)展，該公司產(chǎn)品開(kāi)發(fā)有兩大重點(diǎn)方向，一是電晶體與導(dǎo)線技術(shù)，另一個(gè)是圖形制作與檢測(cè)技術(shù)。　　應(yīng)用材料副總裁兼臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
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美光2016 資本支出大增至53億美元，市場(chǎng)冷淡

　　內(nèi)存大廠美光 14 日舉辦 2015 年夏季分析師會(huì)議(Analyst Conference)，會(huì)中宣布 2016 會(huì)計(jì)年度資本支出將增加為 53 億至 58 億美元，但盡管美光砸錢拚研發(fā)與產(chǎn)能，市場(chǎng)似乎對(duì)內(nèi)存前景不具信心，當(dāng)日股價(jià)仍小跌了 4%、77分美元，收在 16.93 美元。　　美光財(cái)務(wù)長(zhǎng) Ernie Maddock 在會(huì)中公布 2016 會(huì)計(jì)年度的資本支出將達(dá) 53 億至 58 億美元。反觀即將在本月底結(jié)束的 2015 年會(huì)計(jì)年度，資本支出僅介于 36 億美元至 40 億美元，再往回推至
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