qlc nand 文章進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區(qū)

投資10nm/3D NAND　晶圓廠設(shè)備支出今年增3.7%

　　國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)最新報(bào)告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資，將驅(qū)動(dòng)2016年晶圓廠設(shè)備支出攀升，預(yù)估2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?In-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出將增長(zhǎng)3.7%，達(dá)372億美元;而2017年則可望再成長(zhǎng)13%，達(dá)421億美元。　　SEMI指出，2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預(yù)測(cè)2016年上半年晶圓廠設(shè)備支出可望緩慢提升，下半年則將開始加速，為2017年儲(chǔ)備動(dòng)能。2017年相關(guān)支出可望回復(fù)兩位數(shù)成
關(guān)鍵字：晶圓 3D NAND

中國(guó)砸240億美元躍進(jìn)3D NAND閃存時(shí)代

國(guó)內(nèi)終于要有了存儲(chǔ)，剩下的問題就是國(guó)產(chǎn)閃存應(yīng)該如何與三星、Intel、東芝們競(jìng)爭(zhēng)呢？初期的價(jià)格戰(zhàn)是不可避免的，但長(zhǎng)久來(lái)看還得是技術(shù)立足。
關(guān)鍵字： 3D NAND 存儲(chǔ)

東芝將向NAND投資8600億日元，預(yù)計(jì)2016財(cái)年銷售不到5萬(wàn)億日元

　　“失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。雖然無(wú)法預(yù)測(cè)需要多長(zhǎng)時(shí)間，但希望能獲得新生，成為一家能永久發(fā)展下去的企業(yè)”。東芝于2016年3月18日在東京召開了2016年度業(yè)務(wù)計(jì)劃說明會(huì)，代表執(zhí)行董事社長(zhǎng)室町正志在會(huì)上這樣說道。　　東芝的一系列結(jié)構(gòu)改革都已有了目標(biāo)。在說明會(huì)前一天，東芝宣布將把醫(yī)療器械子公司——東芝醫(yī)療系統(tǒng)出售給佳能，將把白色家電業(yè)務(wù)出售給美的集團(tuán)(參閱本站報(bào)道1)。關(guān)于個(gè)人電腦業(yè)務(wù)與其他公司進(jìn)行業(yè)務(wù)合并一事，室町表示“希望在201
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2016年迎3D NAND技術(shù)拐點(diǎn)，誰(shuí)輸在起跑線？

　　為了進(jìn)一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術(shù)導(dǎo)入已迫在眉睫，2016年將真正迎來(lái)NAND Flash技術(shù)拐點(diǎn)。　　1、積極導(dǎo)入48層3D技術(shù)量產(chǎn)，提高成本競(jìng)爭(zhēng)力　　與2D工藝相比，3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲(chǔ)容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達(dá)128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競(jìng)爭(zhēng)力。　
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主流NAND Flash制程轉(zhuǎn)進(jìn)遇瓶頸閃迪/美光/Intel怎么樣了？

除供過于求價(jià)格下滑幅度加劇，現(xiàn)階段主流NANDFlash制程轉(zhuǎn)進(jìn)已遇到瓶頸，另外開發(fā)與生產(chǎn)過程良率不佳的問題，制程轉(zhuǎn)進(jìn)所帶來(lái)的成本下滑效益逐漸縮減。
關(guān)鍵字： NAND 美光

2015年第四季NAND品牌商營(yíng)收/利潤(rùn)衰退

　　2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價(jià)下滑9~10%外，智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預(yù)期，也讓eMMC與SSD價(jià)格單季下滑幅度擴(kuò)大至10~11%。　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，在價(jià)格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營(yíng)收較第三季衰退2.3%。該機(jī)構(gòu)研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，除價(jià)格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash製程轉(zhuǎn)進(jìn)已遇到瓶頸，三星(Sam
關(guān)鍵字： NAND 三星

2015年第四季NAND廠商營(yíng)收排行

　　2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價(jià)下滑9~10%外，智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預(yù)期，也讓eMMC與SSD價(jià)格單季下滑幅度擴(kuò)大至10~11%。　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，在價(jià)格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營(yíng)收較第三季衰退2.3%。該機(jī)構(gòu)研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，除價(jià)格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash制程轉(zhuǎn)進(jìn)已遇到瓶頸，三星(Sam
關(guān)鍵字： NAND SSD

運(yùn)用材料工程解決半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)拐點(diǎn)的挑戰(zhàn)

　　今年，半導(dǎo)體行業(yè)將迎來(lái)幾大重要的技術(shù)拐點(diǎn)。存儲(chǔ)器制造商正逐步轉(zhuǎn)向3D NAND技術(shù)，從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲(chǔ)設(shè)備。我們預(yù)計(jì)2016年所有主要存儲(chǔ)器制造商都將實(shí)現(xiàn)3D NAND器件的批量生產(chǎn)。　　由平面結(jié)構(gòu)向3D NAND器件的過渡將帶來(lái)一系列生產(chǎn)工藝上的新要求，促進(jìn)了由材料所推動(dòng)的芯片尺寸縮微，推升了對(duì)新材料、新工藝技術(shù)的需求。在這個(gè)背景下，對(duì)厚度和一致性能夠進(jìn)行精確的、原子級(jí)層到層控制的新型沉積和蝕刻設(shè)備，對(duì)于制造多層堆疊存儲(chǔ)單元來(lái)說至關(guān)重要。此外，隨著越來(lái)越多支持圖案
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND

國(guó)內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)開始崛起主控芯片廠商最有希望拔得頭籌

　　2015年中國(guó)半導(dǎo)體廠商在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的布局與投資逐漸加溫。除了在晶圓制造端的布局外，主控芯片得益于在整體NANDFlash產(chǎn)業(yè)極大的戰(zhàn)略地位，也將成為下一波中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)值得關(guān)注的焦點(diǎn)。　　TrendForce旗下存儲(chǔ)事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆跔I(yíng)運(yùn)上中國(guó)國(guó)產(chǎn)主控芯片廠商除直接銷售芯片外，多半推出完整的固態(tài)硬盤解決方案以便直接切入市場(chǎng)應(yīng)用。主要目標(biāo)客戶群多以企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)、政府機(jī)關(guān)與國(guó)防軍工等原先合作關(guān)系密切，或是有投資關(guān)系的戰(zhàn)略伙伴為主。產(chǎn)品開發(fā)則傾力下個(gè)世代
關(guān)鍵字： NAND SSD

慧榮科技攜嵌入式存儲(chǔ)和圖形產(chǎn)品亮相2016嵌入式世界展會(huì)

　　在設(shè)計(jì)和推廣固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation,)于2月23至25日在德國(guó)紐倫堡舉行的2016嵌入式世界展會(huì)，在1號(hào)廳160號(hào)展臺(tái)向業(yè)界展示其針對(duì)汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的各種嵌入式存儲(chǔ)及圖形解決方案。　　慧榮科技展臺(tái)將展出如下產(chǎn)品：　　Ferri-eMMC?解決方案　　Ferri-eMMC解決方案是一款集成了NAND閃存、嵌入式微控制器和固件的高成本效益、小尺寸產(chǎn)
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中國(guó)廠商積極發(fā)展記憶體主控芯片

未來(lái)中國(guó)國(guó)產(chǎn)主控晶片產(chǎn)業(yè)與行業(yè)內(nèi)公司的發(fā)展將呈現(xiàn)百花爭(zhēng)鳴的態(tài)勢(shì)，產(chǎn)品應(yīng)用也有機(jī)會(huì)從企業(yè)級(jí)儲(chǔ)存產(chǎn)品，向下延伸至消費(fèi)性產(chǎn)品，這也是下一波國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體的焦點(diǎn)。
關(guān)鍵字： NAND 半導(dǎo)體

存儲(chǔ)器接連刷新歷史最高紀(jì)錄，768Gbit 3D NAND亮相

　　在“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日于美國(guó)舊金山舉行)會(huì)議上，NAND的大容量化和微細(xì)化、SRAM的微細(xì)化，以及DRAM的高帶寬化等存儲(chǔ)器技術(shù)取得穩(wěn)步進(jìn)展，接連刷新了歷史最高紀(jì)錄。除了這些存儲(chǔ)器的“正常推進(jìn)”之外，此次的發(fā)表還涉及車載高可靠混載閃存等的應(yīng)用、新型緩存及TCAM，內(nèi)容豐富?！　〈鎯?chǔ)器會(huì)議共有3個(gè)。分別以非易失存儲(chǔ)器、SRAM、DRAM為主題。3場(chǎng)會(huì)議共有14項(xiàng)發(fā)表。其中有12項(xiàng)來(lái)自亞洲，日本有2項(xiàng)(內(nèi)容均為非易失存儲(chǔ)器)。下面來(lái)介紹
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3D NAND技術(shù)謹(jǐn)慎樂觀中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)能有望釋放

　　全球DRAM市場(chǎng)先抑后揚(yáng)。2015年DRAM收入預(yù)計(jì)下降2.4%，2016年將下降10.6%，有望在2017年與2018年迎來(lái)復(fù)蘇。但是，預(yù)測(cè)隨著中國(guó)公司攜本地產(chǎn)品進(jìn)入DRAM市場(chǎng)，DRAM價(jià)格將在2019年再次下降;占2014年內(nèi)存用量需求20.9%的傳統(tǒng)產(chǎn)品(桌面PC與傳統(tǒng)筆記本電腦)產(chǎn)量預(yù)計(jì)在2015年下降11.6%，并在2016年進(jìn)一步下降6.7%。　　DRAM市場(chǎng)2016年供過于求　　近期，我們對(duì)于DRAM市場(chǎng)的預(yù)測(cè)不會(huì)發(fā)生顯著變化;2015年與2016年將遭遇市場(chǎng)總體營(yíng)收下滑，而在
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Toshiba準(zhǔn)備出售NAND以外的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)

　　根據(jù)日本當(dāng)?shù)氐呢?cái)經(jīng)媒體《日經(jīng)新聞(Nikkei)》近日?qǐng)?bào)導(dǎo)，大廠東芝(Toshiba)已經(jīng)決定出售半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，僅留下快閃記憶體產(chǎn)品線;此舉被視為是經(jīng)歷過假帳丑聞、付出高昂組織重整代價(jià)的該公司轉(zhuǎn)虧為盈之必要步驟。　　未來(lái)東芝將專注并強(qiáng)化在快閃記憶體與核能業(yè)務(wù)的投資與經(jīng)營(yíng)，該公司并將上述兩大業(yè)務(wù)做為成長(zhǎng)支柱。東芝目前是僅次于三星電子(Samsung Electronics)的全球第二大NAND快閃記憶體供應(yīng)商，這也是該公司保留記憶體業(yè)務(wù)、將出售其他半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的原因。　　將出售的東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)包括類
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手機(jī)標(biāo)稱16G內(nèi)存，為何實(shí)際卻少于16G

　　摘要：現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲(chǔ)介質(zhì)，就是各類移動(dòng)終端及手機(jī)的主要存儲(chǔ)介質(zhì)。兩者有何區(qū)別，存儲(chǔ)芯片的實(shí)際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢? 　　我們總是在說手機(jī)內(nèi)存，那到底是用什么介質(zhì)存儲(chǔ)的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲(chǔ)介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機(jī)興起后，為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級(jí)版,他的結(jié)構(gòu)如下：　　　　我們接觸到的16G、32G等手機(jī)，為何實(shí)際存儲(chǔ)容量卻總是小于這些值呢?難道
關(guān)鍵字： NAND FLASH eMMC