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全球NAND Flash擴產(chǎn)競賽3缺1

  • 　　存儲器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報價下跌影響而驟降，除了積極布局非標準型DRAM相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域之外，市場認為目前全球4大NAND Flash陣營中，唯一沒有宣布要擴產(chǎn)的只剩下海力士，2011年平板計算機和智能型手機等應(yīng)用都是NAND Flash當?shù)?，海力士還有1座空著的12寸晶圓廠M12，未來若此座廠房加入NAND Flash生產(chǎn)行列，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊!　　
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iPad將成今年NAND閃存成長動力

  • 　　據(jù)市場研究公司iSuppli星期五發(fā)表的研究報告稱，隨著消費者越來越多地使用平板電腦，蘋果的iPad今年將推動NAND閃存芯片的應(yīng)用增長將近五倍。 　　iSuppli稱，用于制作移動設(shè)備中使用的固態(tài)硬盤的NAND閃存芯片今年的消費量預(yù)計將達到23億GB，比2010年消費的4768億GB增長382.4%。iSuppli預(yù)計到2014年，NAND閃存芯片的出貨量將達到123億GB?！　?/li>
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三星2010年NAND Flash市占直逼40%　產(chǎn)業(yè)成長率達58%

  • 　　2010年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)由平板計算機(Tablet PC)及智能型手機(Smartphone)稱霸應(yīng)用端，傳統(tǒng)的快閃記憶卡和優(yōu)盤一直等到2010年第4季都沒有表現(xiàn)的舞臺，整體2010年NAND Flash市場營收成長達58.7%，為191.7億美元，其中三星電子(Samsung Electronics)持續(xù)稱王，美光(Micron)在第4季市占率持續(xù)超越海力士(Hynix)，但差距相當少，雙方持續(xù)纏斗意味濃厚。 　　2010年快閃記憶卡和優(yōu)盤等NAND Flash應(yīng)用風光不再，取而代之的
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2011年NAND閃存銷售額將進一步增長

  • 　　據(jù)iSuppli公司，作為多種消費電子產(chǎn)品的事實性存儲媒介，NAND閃存2011年將再度實現(xiàn)兩位數(shù)的增長。 　　2010年NAND閃存銷售額創(chuàng)下最高紀錄，增長38%。預(yù)計今年銷售額將達到220億美元，比2010年的187億美元增長18%。而NAND閃存比特出貨量增長幅度更大，預(yù)計2011年增長72%，達到193億GB。 　　盡管增長勢頭強勁，但2011年底市場形勢可能發(fā)生變化?？紤]到目前市場中樂觀氣氛彌漫，而且供應(yīng)商可能過度投資擴大生產(chǎn)，風險可能在2011年底浮現(xiàn)，屆時供應(yīng)可能超過需求。預(yù)計201
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2011年NAND閃存銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)增長

  • 　　據(jù)iSuppli公司，作為多種消費電子產(chǎn)品的事實性存儲媒介，NAND閃存2011年將再度實現(xiàn)兩位數(shù)的增長。 　　2010年NAND閃存銷售額創(chuàng)下最高紀錄，增長38%。預(yù)計今年銷售額將達到220億美元，比2010年的187億美元增長18%。而NAND閃存比特出貨量增長幅度更大，預(yù)計2011年增長72%，達到193億GB。 　
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英特爾亞太NAND Flash操盤手離職引發(fā)業(yè)者嘩然

  • 　　英特爾(Intel)跨足NAND Flash產(chǎn)業(yè)邁入第5年，但近期在策略上有諸多調(diào)整，引發(fā)存儲器業(yè)界高度關(guān)注，包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產(chǎn)，卻不見英特爾投資身影，近期英特爾在亞太區(qū)NAND Flash操盤手、亦是嵌入式產(chǎn)品事業(yè)群暨微型移動裝置事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)陳武宏閃電離職，更引發(fā)存儲器業(yè)者一陣嘩然，目前該職務(wù)由英特爾亞太區(qū)技術(shù)營銷服務(wù)事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)黃逸松暫代，而相關(guān)模塊廠對此表示，雙方合作關(guān)系不會受影響。 　　
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平板計算機起飛帶動NAND Flash需求

  • 　　集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，在Android可望逐漸成熟，市場接受度提高，預(yù)期2011年平板計算機出貨量由今年的1500萬臺大增至5000萬臺的規(guī)模，可說是平板計算機起飛年，將帶動內(nèi)建式NAND Flash應(yīng)用，預(yù)估2011年平板計算機占整體NAND Flash的消耗量比重將從今年的5%提升至10%以上。 　　
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NAND芯片漲價15% 或引iPad漲價

  • 　　亞洲最大半導(dǎo)體交易市場Dramexchange分析師西恩·楊15號(周三)表示，東芝旗下一家芯片工廠突發(fā)短時電力故障，以致NAND芯片出現(xiàn)停產(chǎn)。該分析師還表示，到2011年1月中旬之前，包括iPad在內(nèi)等多款產(chǎn)品均在使用的這款NAND閃存芯片價格或?qū)⑸蠞q15%。 　　
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Gartner下調(diào)2011年度半導(dǎo)體設(shè)備市場預(yù)測

  • 　　根據(jù)Gartner發(fā)布的報告，該公司下調(diào)對于明(2011)年度半導(dǎo)體設(shè)備市場的預(yù)測;原先該公司預(yù)期將成長4.9%，現(xiàn)在預(yù)期將縮減1%。另外，Gartner原先預(yù)估今年成長113%，現(xiàn)在估計可達131%至384億美元。該公司分析家KlausRinnen指出，今年產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了有史以來最強勁的成長，不過2011年度的市場將比較疲軟，屆時設(shè)備采購主要的重點將在于產(chǎn)能的擴充而不是在技術(shù)設(shè)備上。他表示由于媒體平板電腦的拉抬，NAND將是記憶體領(lǐng)域中資本投資最多者。
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2011年半導(dǎo)體市場回歸正常軌道

  • 　　2010年全球半導(dǎo)體市場成長幅度超過30%，這是在歷經(jīng)過去幾年全球不景氣之后，經(jīng)濟復(fù)蘇所展現(xiàn)出的成果。而據(jù)Semico預(yù)測，2011年全球半導(dǎo)體銷售額年成長幅度大約小于10%。乍看之下，這比2010年成長率要低得多，它代表壞消息嗎?事實上，這個溫和的成長數(shù)據(jù)代表著半導(dǎo)體市場正在回歸正常軌道。 　　
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美光新加坡廠明年投產(chǎn)

  • 　　美系存儲器大廠美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進，已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座，在擴產(chǎn)速度上，美光在2011年也不會缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產(chǎn)，對于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴產(chǎn)計畫，美光表示不擔心供過于求，在產(chǎn)能增加的同時，平板計算機等應(yīng)用也大幅崛起，預(yù)計2011年NAND Flash市場供需可維持健康的狀態(tài)。 　　
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臺灣加入NAND Flash戰(zhàn)局

  • 　　臺灣長久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險，全球大廠紛競逐下世代技術(shù)，近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下，研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲器，計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，將廣邀存儲器廠及晶圓代工廠加入，首波會先洽談臺系存儲器廠，目標5~10年內(nèi)將此技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)，讓臺灣正式加入NAND Flash產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)局。
  • 關(guān)鍵字： NAND  9納米  

東芝停電事故或?qū)⒁I(lǐng)NAND閃存漲價

  • 　　亞洲最大的半導(dǎo)體交易市場Dramexchange分析師周三表示，由于東芝一家芯片工廠因短時電力故障而停產(chǎn)的影響，到2011年1月中旬之前，NAND閃存芯片的價格可能會上漲15%。 　　
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND  

東芝日本廠跳電 受影響產(chǎn)能恐達20%

  • 　　華爾街日報(WSJ)報導(dǎo)，東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會影響接下來的產(chǎn)能，普遍使用于智能型手機(Smartphone)、平板計算機(TabletPC)及數(shù)碼音樂播放器的NAND價格將因此跟漲。 　　東芝表示，這次的跳電事件可能影響未來2個月的產(chǎn)能，減少20%的產(chǎn)出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產(chǎn)，總產(chǎn)出約占市場產(chǎn)能的3分之1，出貨量僅次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。 　　接下來幾個月，全球的快閃存儲器市場的供
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半導(dǎo)體存儲器廠商恢復(fù)大型設(shè)備投資

  • 　　2010年在半導(dǎo)體存儲器業(yè)界，各廠商紛紛恢復(fù)了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結(jié)狀態(tài)的大型設(shè)備投資。由此，市場上的份額競爭再次變得激烈起來。 2008～2009年導(dǎo)致各廠商收益惡化的價格下跌在2010年上半年僅出現(xiàn)了小幅下跌。然而，進入2010年下半年后，以DRAM為中心、價格呈現(xiàn)出大幅下降的趨勢。2011年很有可能再次進入殘酷的實力消耗戰(zhàn)。技術(shù)方面，微細化競爭愈演愈烈，以突破現(xiàn)有存儲器極限為目標的新存儲器的開發(fā)也越來越活躍。 　　
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