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美光新加坡廠明年投產(chǎn)

  • 　　美系存儲器大廠美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進(jìn)，已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座，在擴(kuò)產(chǎn)速度上，美光在2011年也不會缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產(chǎn)，對于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴(kuò)產(chǎn)計畫，美光表示不擔(dān)心供過于求，在產(chǎn)能增加的同時，平板計算機(jī)等應(yīng)用也大幅崛起，預(yù)計2011年NAND Flash市場供需可維持健康的狀態(tài)。 　　
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臺灣加入NAND Flash戰(zhàn)局

  • 　　臺灣長久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險，全球大廠紛競逐下世代技術(shù)，近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下，研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲器，計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，將廣邀存儲器廠及晶圓代工廠加入，首波會先洽談臺系存儲器廠，目標(biāo)5~10年內(nèi)將此技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)，讓臺灣正式加入NAND Flash產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)局。
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東芝停電事故或?qū)⒁I(lǐng)NAND閃存漲價

  • 　　亞洲最大的半導(dǎo)體交易市場Dramexchange分析師周三表示，由于東芝一家芯片工廠因短時電力故障而停產(chǎn)的影響，到2011年1月中旬之前，NAND閃存芯片的價格可能會上漲15%。 　　
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東芝日本廠跳電 受影響產(chǎn)能恐達(dá)20%

  • 　　華爾街日報(WSJ)報導(dǎo)，東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會影響接下來的產(chǎn)能，普遍使用于智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計算機(jī)(TabletPC)及數(shù)碼音樂播放器的NAND價格將因此跟漲。 　　東芝表示，這次的跳電事件可能影響未來2個月的產(chǎn)能，減少20%的產(chǎn)出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產(chǎn)，總產(chǎn)出約占市場產(chǎn)能的3分之1，出貨量僅次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。 　　接下來幾個月，全球的快閃存儲器市場的供
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半導(dǎo)體存儲器廠商恢復(fù)大型設(shè)備投資

  • 　　2010年在半導(dǎo)體存儲器業(yè)界，各廠商紛紛恢復(fù)了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結(jié)狀態(tài)的大型設(shè)備投資。由此，市場上的份額競爭再次變得激烈起來。 2008～2009年導(dǎo)致各廠商收益惡化的價格下跌在2010年上半年僅出現(xiàn)了小幅下跌。然而，進(jìn)入2010年下半年后，以DRAM為中心、價格呈現(xiàn)出大幅下降的趨勢。2011年很有可能再次進(jìn)入殘酷的實力消耗戰(zhàn)。技術(shù)方面，微細(xì)化競爭愈演愈烈，以突破現(xiàn)有存儲器極限為目標(biāo)的新存儲器的開發(fā)也越來越活躍。 　　
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應(yīng)用材料預(yù)估半導(dǎo)體設(shè)備市場將保持5%的成長率

  • 　　針對2011年半導(dǎo)體資本支出的趨勢，設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長，幅度將勝過DRAM產(chǎn)業(yè)，晶圓代工也仍然相當(dāng)強(qiáng)勁，預(yù)估整體半導(dǎo)體設(shè)備市場將有持平至5%的成長幅度。 　　
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預(yù)計明年NAND閃存銷售量漲價跌

  • 　　集邦科技發(fā)布近日報告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達(dá)到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價格將同比下降35%。 　　集邦科技稱，新款智能機(jī)、平板機(jī)的發(fā)布以及春節(jié)期間的采購將緩解明年一季度閃存市場受到的季節(jié)性銷售因素影響。到二季度時，閃存市場的供需就會更加平衡，價格下降幅度不會太大。 　　
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全球IC市場喜憂參半

  • 　　根據(jù)VLSIResearch發(fā)布的報告，該公司預(yù)測2010年度全球IC市場將成長32%，2011年度將成長8%;2010年度設(shè)備市場將成長103%，2011年度將成長10.6%。該公司認(rèn)為目前的全球IC市場呈現(xiàn)出一些正面與負(fù)面的跡象;　
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用于SD卡的NAND flash控制芯片的設(shè)計

  • 　　O 引言　　Flash是一種非易失存儲器，它在掉電條件下仍然能夠長期保持?jǐn)?shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。本文給出了
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未來幾年NAND閃存將面臨過剩隱憂

  • 　　據(jù)iSuppli公司，由于智能手機(jī)以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營業(yè)收入將達(dá)到最高紀(jì)錄。 　　預(yù)計2010年NAND閃存營業(yè)收入將達(dá)到187億美元，比去年的135億美元勁增38%，部分利益于智能手機(jī)和蘋果iPad等消費電子產(chǎn)品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需雙雙增長，2011年NAND閃存市場將繼續(xù)增長，盡管不及今年強(qiáng)勁。iSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計明年NAND閃存市場上升25%至225億美元。 　　
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2011年全球DRAM經(jīng)營慘淡

  • 　　2010年對于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，可說是值得紀(jì)念的一年，拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年成長率將高達(dá)30%，創(chuàng)下10年以來新高紀(jì)錄。然而，受到PC產(chǎn)業(yè)成長趨緩影響，2011年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)僅將成長5%，移動通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長的重要動能。預(yù)估2011年移動通訊用產(chǎn)品占總體半導(dǎo)體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著智能手機(jī)等移動通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。 　　
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NAND Flash的壞塊管理設(shè)計

  • NAND Flash的壞塊管理設(shè)計,摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設(shè)計和實現(xiàn)方案，詳細(xì)闡述了壞塊映射表的建立、維護(hù)及其相關(guān)算法，同時分析了此壞塊算法在Linux內(nèi)核及Bootloader中的具體應(yīng)用。測試結(jié)果表明該算法能夠處理NAND
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NAND Flash管理算法的設(shè)計及實現(xiàn)

  • 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設(shè)計方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級和頁級兩級地址映射機(jī)制以及映射信息在flash的存儲定義，同時還提出了對flash的分區(qū)方法。
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DRAM市場價格持續(xù)下跌

  • 　　隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠亦受到牽累，10月營收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月營收較9月減少達(dá)17.1%。威剛表示，預(yù)期11月營收將因為產(chǎn)業(yè)景氣進(jìn)入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應(yīng)策略是致力降低庫存水位，將庫存維持在約3~4周水平。 　　
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