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qlc nand 文章 進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區(qū)
三星第一季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)38億美元同比猛增7倍
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,三星電子今天發(fā)布的財(cái)報(bào)顯示,受益于PC需求增加以及電視價(jià)格上漲,該公司第一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比猛增7倍。 利潤(rùn)增長(zhǎng) 三星的初步財(cái)報(bào)顯示,該公司第一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)約為4.3萬(wàn)億韓元(約合38億美元),上下浮動(dòng)區(qū)間為2000億韓元,去年同期調(diào)整后營(yíng)業(yè)利潤(rùn)僅為 5900億韓元。根據(jù)彭博社的調(diào)查,15名分析師此前對(duì)三星營(yíng)業(yè)利潤(rùn)的中位數(shù)預(yù)期為4.27萬(wàn)億韓元。 外界預(yù)計(jì),受到存儲(chǔ)芯片以及平板顯示器價(jià)格上漲的刺激,三星第一季度將創(chuàng)下今年最好業(yè)績(jī)。受此影響,三星股價(jià)周一創(chuàng)下歷史新高。分析
- 關(guān)鍵字: 三星電子 NAND 存儲(chǔ)芯片
分析師認(rèn)為全球芯片市場(chǎng)仍有支撐點(diǎn)
- 按Benchmark Euqity研究公司報(bào)道, 緊接著2009年未的迅速地復(fù)蘇, 進(jìn)入2010年時(shí)全球半導(dǎo)體業(yè)在數(shù)量上仍有15-20%的增長(zhǎng)。 按Benchmark的分析師Gary Mobley的看法, 從2009年1月的谷底算起,全球芯片出貨量己經(jīng)增長(zhǎng)大於75%。在相同的期間美國(guó)費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)也增長(zhǎng)相近的量。 當(dāng)大部分工業(yè)分析師都認(rèn)為今年半導(dǎo)體市場(chǎng)有20%的增長(zhǎng)時(shí),Benchmark分析師相信今年非 常可能有22%-24%的增長(zhǎng)。 其中某些芯片的庫(kù)存包括存儲(chǔ)器,部分模擬電路
- 關(guān)鍵字: 芯片 NAND 智能手機(jī)
嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應(yīng)用
- 嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應(yīng)用,當(dāng)前各類(lèi)嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)中,存儲(chǔ)模塊是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Nor-flash存儲(chǔ)器的容量較小、寫(xiě)入速度較慢,但因其隨機(jī)讀取速度快,因此在嵌入式系統(tǒng)中,常應(yīng)用在程
- 關(guān)鍵字: 應(yīng)用 原理 Nand-Flash 系統(tǒng) 嵌入式
09年全球前十大NAND供應(yīng)商排行榜出爐
- 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Web-Feet Research公布2009年全球NAND閃存供貨商排行榜,三星電子(Samsung Electronics)仍穩(wěn)居市占率第一名位置,其后則是東芝(Toshiba)與SanDisk;SanDisk的表現(xiàn)意外亮眼,領(lǐng)先美光(Micron)、海力士(Hynix)與英特爾(Intel)。 在其它市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)的排行榜中,SanDisk往往并未列名,因?yàn)樵谀承┣闆r下該公司是與合作伙伴東芝視為一體。Web-Feet Research報(bào)告中列出了17家閃存制造商的出貨成績(jī),東芝與
- 關(guān)鍵字: 三星電子 NAND
2009年亞太半導(dǎo)體供應(yīng)商表現(xiàn)出色
- 來(lái)自調(diào)研公司 iSuppli的統(tǒng)計(jì)顯示,2009年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體處于下滑狀態(tài),但總部在亞太地區(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商卻實(shí)現(xiàn)了逆勢(shì)上漲。 亞太區(qū)供應(yīng)商專(zhuān)注熱門(mén)產(chǎn)品 iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示,2009年總部位于亞太地區(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商合計(jì)營(yíng)業(yè)收入實(shí)際增長(zhǎng)2.3%,從2008年的435億美元上升到445億美元。相比之下,2009年全球半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入銳減11.7%,從2008年的2602億美元降至2299億美元。 “去年芯片產(chǎn)業(yè)形勢(shì)黯淡,而亞太地區(qū)的供應(yīng)商卻設(shè)法實(shí)現(xiàn)了增長(zhǎng),因?yàn)樗麄儗?zhuān)注于
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東芝計(jì)劃耗資150億日元生產(chǎn)25納米閃存
- 東芝公司今年計(jì)劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗(yàn)生產(chǎn)線,生產(chǎn)小于25納米制程的NAND閃存芯片。 目前東芝生產(chǎn)的NAND閃存是采用32與43納米技術(shù),主要應(yīng)用于手機(jī)及數(shù)字相機(jī)等電子消費(fèi)產(chǎn)品。為生產(chǎn)新的25納米制程以下的芯片,需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術(shù),因此,東芝也將進(jìn)行相應(yīng)的技術(shù)升級(jí)。目前,東芝已向荷蘭半導(dǎo)體微影系統(tǒng)大廠ASML訂購(gòu)設(shè)備,預(yù)計(jì)在今年夏天試驗(yàn)投產(chǎn)。消息一經(jīng)公布,東芝在股市中漲幅達(dá)3.5%,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)同類(lèi)電氣機(jī)器指數(shù)0.8%的漲幅
- 關(guān)鍵字: 東芝 NAND 閃存
Micron發(fā)布季度報(bào)告 DRAM銷(xiāo)售環(huán)比增長(zhǎng)24%
- Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010財(cái)年第二季度的運(yùn)營(yíng)成果。對(duì)于2010財(cái)年的第二季度,該公司取得了可歸屬于其股東的3.65億美元,合攤薄股每股0.39美元的凈收入,其凈銷(xiāo)售額達(dá)近20億美元。相比之下,2010財(cái)年第一季度的凈收入為2.04億美元,合攤薄股每股0.23美元,凈銷(xiāo)售額為17.4億美元,并且2009財(cái)年第二季度的凈虧損為7.63億美元,合攤薄股每股0.99美元,凈銷(xiāo)售額為10億美元。2010財(cái)年之前各個(gè)時(shí)期的金額及
- 關(guān)鍵字: Micron NAND Flash
海力士預(yù)期今年?duì)I收將達(dá)10年高點(diǎn)
- 由于目前存儲(chǔ)器供應(yīng)短缺、供不應(yīng)求,全球第2大存儲(chǔ)器廠商海力士(Hynix)預(yù)期2010年的營(yíng)收可望達(dá)到10年來(lái)的最高點(diǎn)。 目前DRAM市場(chǎng)正處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。自2009年全球經(jīng)濟(jì)逐漸回溫后,企業(yè)放寬支出,對(duì)個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)的需求也回升,光是2010年P(guān)C銷(xiāo)量就可能較2009年增加10%,帶動(dòng)了DRAM的需求量上升。 另外,智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)及其它行動(dòng)設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模日增,也讓NAND Flash的需求量不斷攀升。但相對(duì)于存儲(chǔ)器芯片需求量節(jié)
- 關(guān)鍵字: Hynix NAND 存儲(chǔ)器芯片
閃存密集型產(chǎn)品需求上升 NAND價(jià)格穩(wěn)定帶來(lái)正面環(huán)境
- 據(jù)iSuppli公司,由于來(lái)自高密度應(yīng)用的需求上升以及供應(yīng)商的產(chǎn)量穩(wěn)步增長(zhǎng),NAND閃存價(jià)格波動(dòng)了兩年之后,該市場(chǎng)已恢復(fù)穩(wěn)定。 第一季度NAND平均價(jià)格下降4%,而2009年第四季度是下降1.4%。相比于這些相對(duì)溫和的變化,2009年第一季度大漲34%。 NAND價(jià)格持續(xù)透明,導(dǎo)致2009年第四季度營(yíng)業(yè)收入創(chuàng)出最高記錄,使得多數(shù)NAND供應(yīng)商對(duì)于2010年持有非常樂(lè)觀的看法。在智能手機(jī)和microSD卡等高密度應(yīng)用的推動(dòng)下,市場(chǎng)對(duì)于NAND閃存的需求不斷增長(zhǎng),也增強(qiáng)了廠商的信心。這種旺盛需
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三星電子:半導(dǎo)體廠房跳電損失估計(jì)不到90億韓元
- 三星電子(SamsungElectronics)表示,截至臺(tái)北時(shí)間25日下午3時(shí)為止,南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計(jì)不到90億韓圜(790萬(wàn)美元)。三星并表示,目前尚未找出跳電的原因。MeritzSecurities分析師LeeSun- tae指出,三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實(shí)不大,主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。 YonhapNews于南韓時(shí)間24日下午7時(shí)48分報(bào)導(dǎo),三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電,其K2、K5廠區(qū)在當(dāng)?shù)貢r(shí)間
- 關(guān)鍵字: 三星電子 DRAM NAND
三星電子:半導(dǎo)體廠房跳電損失估計(jì)不到90億韓圜
- 三星電子(Samsung Electronics)表示,截至臺(tái)北時(shí)間25日下午3時(shí)為止,南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計(jì)不到90億韓圜(790萬(wàn)美元)。三星并表示,目前尚未找出跳電的原因。 Meritz Securities分析師Lee Sun-tae指出,三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實(shí)不大,主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。 Yonhap News于南韓時(shí)間24日下午7時(shí)48分報(bào)導(dǎo),三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電,其K2、K5廠區(qū)在
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三星公司Fab13/Fab14內(nèi)存/閃存芯片工廠再遭斷電事故侵?jǐn)_
- 韓國(guó)三星電子公司近日表示本月24日下午,其設(shè)在Kiheung地區(qū)的一個(gè)NAND閃存生產(chǎn)基地遭遇了斷電事故,不過(guò)據(jù)三星公司的發(fā)言人表示這次為期一小 時(shí)的斷電并沒(méi)有對(duì)其32Gb以及其它大容量NAND閃存芯片的生產(chǎn)造成顯著影響。 據(jù)三星的通路合作伙伴透露,在這次停電事故中受到影響的工廠主要包括三星旗下兩間12英寸廠Fab13和Fab14.其中Fab13主要負(fù)責(zé)為三星生產(chǎn)內(nèi)存芯片,而Fab14則主要生產(chǎn)NAND閃存芯片。Fab13和Fab14的月產(chǎn)能大約分別是12萬(wàn)/13萬(wàn)片晶圓。 無(wú)獨(dú)有偶,20
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東芝宣布其Fab5新廠房將于今年七月份開(kāi)工建造
- 東芝公司近日宣布他們將在日本三重縣四日市現(xiàn)有的生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)中心附近新建一座Fab5閃存芯片廠,這間芯片廠將于今年七月份開(kāi)始動(dòng)工。目前,東芝設(shè)在四日市的生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)中心 已建有四間NAND閃存芯片廠。盡管2008年秋季爆發(fā)了全球經(jīng)濟(jì)危機(jī),而NAND閃存芯片的市場(chǎng)需求也一度相當(dāng)萎靡,但近期隨著智能手機(jī)和其它應(yīng)用型產(chǎn) 品的熱銷(xiāo),閃存芯片的市場(chǎng)需求已經(jīng)開(kāi)始回暖,而且未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)還將保持增長(zhǎng)趨勢(shì),因此東芝最終作出了開(kāi)工建造Fab5芯片廠的決定。 按照東芝的計(jì)劃,其Fab5工廠將于明年春季完工,而后期的投資力度和
- 關(guān)鍵字: 東芝 NAND 閃存芯片
NAND Flash控制芯片業(yè)淘汰賽登場(chǎng) SSD時(shí)代加速產(chǎn)業(yè)整合
- NAND Flash控制芯片市場(chǎng)曾吸引眾多IC設(shè)計(jì)業(yè)者爭(zhēng)相投入,隨著快閃記憶卡市場(chǎng)飽和,以及固態(tài)硬碟(SSD)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手環(huán)伺,過(guò)去擁有NAND Flash大廠作靠山便是票房保證的時(shí)代已不再,未來(lái)NAND Flash大廠對(duì)于控制芯片業(yè)者而言,恐怕不再是大樹(shù)好乘涼,尤其包括三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)等大廠在走進(jìn)SSD時(shí)代后,由于用在PC的零組件輕忽不得,遂紛收回控制芯片采購(gòu)權(quán),改采自家芯片,NAND Flash控制芯片產(chǎn)業(yè)勢(shì)必將展開(kāi)一波整合及淘汰賽。 N
- 關(guān)鍵字: 三星電子 NAND IC設(shè)計(jì)
東芝重啟產(chǎn)能擴(kuò)展計(jì)劃 新閃存生產(chǎn)廠7月開(kāi)工
- 日本最大的內(nèi)存芯片廠商?hào)|芝將重啟因經(jīng)濟(jì)衰退而擱置的產(chǎn)能擴(kuò)展計(jì)劃,它將從7月開(kāi)始建設(shè)新的閃存生產(chǎn)廠。 東芝表示,新生產(chǎn)廠位于日本中部四日市,是公司第五條生產(chǎn)線,預(yù)計(jì)在2011年春季完建。東芝沒(méi)有透露該生產(chǎn)廠的建設(shè)成本。 包括蘋(píng)果iPhone在內(nèi)的智能手機(jī)銷(xiāo)售的增長(zhǎng),推動(dòng)了NAND內(nèi)存需求的增長(zhǎng)。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司 iSuppli預(yù)計(jì),NAND閃存市場(chǎng)今年的總收入將增長(zhǎng)34%達(dá)到181億美元。 東芝發(fā)言人Hiroki Yamazaki稱(chēng),雖然東芝尚未決定四日市芯片生產(chǎn)廠的投資規(guī)模,但是建立新
- 關(guān)鍵字: 東芝 內(nèi)存芯片 NAND
qlc nand介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條qlc nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)qlc nand的理解,并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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