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內(nèi)存市場(chǎng)價(jià)量普漲，存儲(chǔ)廠商轉(zhuǎn)虧為盈

  • 　　最近幾個(gè)月來(lái)，DRAM價(jià)格連連上漲，同時(shí)也拉升了NAND Flash顆粒的價(jià)格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時(shí)期已經(jīng)有較大起色，但是這內(nèi)存的價(jià)格上漲也波及到了電子賣場(chǎng)中的零售價(jià)格。那么究竟現(xiàn)在的內(nèi)存產(chǎn)品是怎樣的一個(gè)局面呢，下面小編就給大家來(lái)個(gè)深度分析，給你講講這里面的道道。 　　9月DRAM價(jià)格猛增13% Flash亦漲4% 　　9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報(bào)價(jià)約為 1.70 美元，較上個(gè)月多出了近 13%。D
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SanDisk Q3意外由虧轉(zhuǎn)盈 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)展望樂(lè)

  • 　　美國(guó)內(nèi)存大廠SanDisk近日公布第3季財(cái)報(bào)，意外由虧損轉(zhuǎn)為強(qiáng)勁獲利，主要由于銷售額優(yōu)于預(yù)期，以及先前減記的庫(kù)存收入回補(bǔ)加持。這也反映了內(nèi)存制造商持續(xù)受惠于閃存芯片市場(chǎng)好轉(zhuǎn)趨勢(shì)。 　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，SanDisk第3季由去年同期的虧損1.659億美元或每股74美分，改善為獲利2.313億美元或每股99美分。去除特殊項(xiàng)目后，每股獲利則為76美分，優(yōu)于分析師預(yù)期的每股26美分。 　　該季營(yíng)收增長(zhǎng)14%至9.352億美元，遠(yuǎn)優(yōu)于公司今年7月份預(yù)估的介于7.25-7.75億美元，以及分析師預(yù)期的7.87
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力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規(guī)劃投入200億元

  • 　　“經(jīng)濟(jì)部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)畫」20日最后截止日期，卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺(tái)塑集團(tuán)旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計(jì)畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺(tái)灣存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局，反將了臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)一軍。力晶董事長(zhǎng)黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產(chǎn)NAND Flash，且100%為自有技術(shù)，比任何同業(yè)都符合“經(jīng)濟(jì)部”所要求技術(shù)扎根條件，未來(lái)力晶
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鎂光34nm企業(yè)級(jí)MLC/SLC NAND閃存明年初量產(chǎn)

  • 　　鎂光34nm制程企業(yè)級(jí)MLC/SLC NAND閃存芯片已經(jīng)進(jìn)入試樣階段，MLC部分的存儲(chǔ)密度可達(dá)32Gb，寫入壽命達(dá)3萬(wàn)次，是普通MLC產(chǎn)品的6倍;SLC部分存儲(chǔ)密度為16Gb，寫入壽命同樣為3萬(wàn)次，是普通SLC產(chǎn)品的3倍. 　　鎂光這次開發(fā)成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規(guī)范(Open NAND Flash Interface)，數(shù)據(jù)傳輸率最高可達(dá)200MB/S，而且可以采用閃存封裝內(nèi)部集成多片閃存芯片的封裝方案。 　　鎂光表示，明年初這兩種閃存芯片便可正式量產(chǎn)。
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市場(chǎng)供貨吃緊，NAND閃存合約價(jià)持續(xù)上揚(yáng)

  • 　　研究機(jī)構(gòu)集邦科技(DRAM eXchange)表示，10月上旬主流MLC NAND Flash合約均價(jià)上漲約8%~10%，主要原因是多數(shù)供貨商已接獲部份電子系統(tǒng)廠客戶10月到11月的旺季長(zhǎng)單，同時(shí)近期記憶卡客戶的旺季備貨需求，因此NAND Flash市場(chǎng)供貨吃緊，在賣方主導(dǎo)市場(chǎng)下，10月上旬NAND Flash合約價(jià)持續(xù)地上揚(yáng)。 　　   　　16Gb MLC NAND Flash合約價(jià)走勢(shì)圖 　　集邦科技指出，在10月到11月，多數(shù)NANDFlash供貨商份仍將優(yōu)先供貨給電子系
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NAND Flash缺翻天　三星推品牌記憶卡與民爭(zhēng)食？

  • 　　2009年NAND Flash缺貨缺翻天，三星電子(Samsung Electronics)在享有最大獲利之余，不但對(duì)飽受缺貨之苦的存儲(chǔ)器模塊廠袖手旁觀，還要推出「SAMSUNG」自有品牌記憶卡產(chǎn)品來(lái)?yè)屖晨蛻麸埻耄降缀J里是賣什么藥?業(yè)界相當(dāng)好奇!而原本應(yīng)該站在反對(duì)立場(chǎng)的大客戶創(chuàng)見(jiàn)，這次卻成為三星自有品牌記憶卡的代理商，究竟整起故事的來(lái)龍去脈為何?連同業(yè)都有霧里看花之感，只能說(shuō)三星2009年真的是新人事、新作風(fēng)，每一步都讓業(yè)界跌破眼鏡! 　　與三星做生意的客戶都知道，2009年不論在DRAM或是N
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NAND Flash強(qiáng)勢(shì)不墜 模塊廠9月營(yíng)收將再寫新高

  • 　　NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機(jī)內(nèi)嵌存儲(chǔ)器的帶動(dòng)，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價(jià)大漲至7.5美元，存儲(chǔ)器模塊廠9月營(yíng)收在NAND Flash和DRAM芯片價(jià)格雙雙大漲的帶動(dòng)下，預(yù)計(jì)可再次創(chuàng)下新高，同時(shí)第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月營(yíng)收續(xù)創(chuàng)歷史新高，創(chuàng)見(jiàn)也受惠歐洲市場(chǎng)買氣回籠，9月預(yù)計(jì)可達(dá)新臺(tái)幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月營(yíng)收預(yù)估可達(dá)35億~40億元，勁永9月營(yíng)收也將維持高檔不墜。 　　NAND Flash現(xiàn)貨
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三星DRAM芯片停止對(duì)臺(tái)供貨

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)上任，營(yíng)運(yùn)策略出現(xiàn)不少重大轉(zhuǎn)變，將影響存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)生態(tài)，三星日前決定全面停止對(duì)臺(tái)銷售DRAM芯片，一律只銷售DRAM模塊。存儲(chǔ)器廠表示，三星策略明顯側(cè)重OEM市場(chǎng)，減少與現(xiàn)貨客戶合作，就連NAND Flash芯片供貨策略，亦同樣以消費(fèi)性電子大廠為優(yōu)先，尤其近期PC廠對(duì)于DRAM模塊需求強(qiáng)勁，三星供應(yīng)臺(tái)灣DRAM模塊數(shù)量大減，市場(chǎng)日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價(jià)。 　　存儲(chǔ)器業(yè)者指出，三星2009年在全球供貨策略出現(xiàn)許多
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NAND Flash強(qiáng)勢(shì)不墜　模塊廠9月營(yíng)收將再寫新高

  • 　　NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機(jī)內(nèi)嵌存儲(chǔ)器的帶動(dòng)，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價(jià)大漲至7.5美元，存儲(chǔ)器模塊廠9月營(yíng)收在NAND Flash和DRAM芯片價(jià)格雙雙大漲的帶動(dòng)下，預(yù)計(jì)可再次創(chuàng)下新高，同時(shí)第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月營(yíng)收續(xù)創(chuàng)歷史新高，創(chuàng)見(jiàn)也受惠歐洲市場(chǎng)買氣回籠，9月預(yù)計(jì)可達(dá)新臺(tái)幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月營(yíng)收預(yù)估可達(dá)35億~40億元，勁永9月營(yíng)收也將維持高檔不墜。 　　NAND Flash現(xiàn)貨
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數(shù)據(jù)中心和企業(yè)IT需求將推動(dòng)SSD增長(zhǎng)六倍

  • 　　據(jù)iSuppli 公司，雖然2009 年面向筆記本電腦的固態(tài)硬盤(SSD)銷售因?yàn)閮?nèi)存價(jià)格飛漲而受挫，但企業(yè)市場(chǎng)對(duì)彌補(bǔ)上述領(lǐng)域的疲軟表現(xiàn)是綽綽有余，從而推動(dòng)今年整體SSD 市場(chǎng)的營(yíng)業(yè)收入將增長(zhǎng)六倍。 　　第二季度NAND 閃存的成本大幅上升，引起SSD 價(jià)格跳漲，使其與硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)相比缺乏競(jìng)爭(zhēng)力，并影響其在筆記本電腦中的普及。 NAND 閃存是SSD 中的關(guān)鍵部分，約占其價(jià)值的90%。然而，對(duì)于尋求擴(kuò)展功能和降低整體功耗的企業(yè)數(shù)據(jù)中心來(lái)說(shuō)，SSD 仍然是一個(gè)具有吸引力的選擇。 　　由于企業(yè)
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IC資本支出依然謹(jǐn)慎 供應(yīng)收緊價(jià)格上漲

  • 　　分析師指出，資本支出創(chuàng)下歷史新低使IC市場(chǎng)供應(yīng)收緊，價(jià)格可能隨之上漲，但可能會(huì)發(fā)生其他不可預(yù)料的結(jié)果。 　　IC Insights總裁Bill McClean稱，今年半導(dǎo)體資本支出在銷售額中所占的比例降至12%，創(chuàng)歷史新低。芯片商在經(jīng)歷了嚴(yán)重衰退后，對(duì)資本投入依然比較謹(jǐn)慎。 　　“我們還不知道資本支出比例12%意味著什么。”McClean說(shuō)道，“我們從來(lái)沒(méi)有遇到過(guò)這種情況。” 　　資本支出比例在2008年為16%，2004年至2007年均在20%至
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東芝Sandisk計(jì)劃明年啟用2xnm制程量產(chǎn)閃存芯片

  • 　　據(jù)業(yè)者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計(jì)劃要在明年下半年開始采用20nm級(jí)別制程來(lái)量產(chǎn)NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產(chǎn)能，直至達(dá)到20萬(wàn)片的產(chǎn)能水平。 　　東芝公司最近已經(jīng)開始32nm制程3bpc(每存儲(chǔ)單元3bit數(shù)據(jù))閃存芯片的量產(chǎn)，按原先的計(jì)劃，合資的四日市芯片廠32nm制程芯片的產(chǎn)量應(yīng)在今年底前達(dá)到總產(chǎn)量的50%左右，不過(guò)按目前的產(chǎn)能規(guī)劃來(lái)看，實(shí)際的量產(chǎn)實(shí)施時(shí)間看來(lái)已經(jīng)會(huì)有所拖延。 　　另一方面，對(duì)手In
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NAND Flash缺貨潮11月前無(wú)解　大廠產(chǎn)能全被包下

  • 　　蘋果意外在9月初向NAND Flash大廠下訂單，導(dǎo)致NAND Flash供給大幅吃緊，預(yù)計(jì)在2009年11月底之前，缺貨情況仍無(wú)解?，F(xiàn)在三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)產(chǎn)能都被蘋果包下來(lái)，另外存儲(chǔ)器模塊龍頭大廠金士頓(Kingston)則是包下英特爾70%的NAND Flash產(chǎn)能，雙方成為長(zhǎng)期合作伙伴，顯示未來(lái)全球4大NAND Flash廠能釋出的產(chǎn)能相當(dāng)少，缺貨潮將延燒到11月。 　　存儲(chǔ)器業(yè)者表示，這次NAND Flash缺貨潮相
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DRAM廠和模塊廠誤判情勢(shì)　DDR2供貨吃緊

  • 　　2009年面臨DDR2和DDR3規(guī)格交替之際，各廠紛紛壓寶氣勢(shì)如虹的DDR3氣勢(shì)，DDR2飽受冷板凳之苦許久，然現(xiàn)在風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)，DDR2受到供給減少、PC大廠又回頭青睞之故，市場(chǎng)意外出現(xiàn)缺貨聲浪，DRAM廠和模塊廠雙雙感嘆誤判形勢(shì)，導(dǎo)致現(xiàn)在DDR2庫(kù)存過(guò)低，南亞科副總白培霖即指出，DDR2在10月之后，缺貨問(wèn)題將更明顯浮上臺(tái)面，且由合約價(jià)蔓延至現(xiàn)貨價(jià)，屆時(shí)1Gb DDR2現(xiàn)貨價(jià)格將看到2美元。 　　近期市場(chǎng)傳言，三星電子(Samsung Electronics)有意將1Gb DDR2價(jià)格壓在1.7美
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手機(jī)內(nèi)建NAND Flash風(fēng)潮

  • 　　手機(jī)搭載記憶體分為2種形式，第1是外接快閃記憶卡，第2是內(nèi)建NAND Flash記憶體。隨著消費(fèi)者對(duì)于利用手機(jī)下載多媒體影音、照片、游戲等需求日益提升，對(duì)于記憶體容量的需求更是越來(lái)越高。 　　過(guò)去只流行數(shù)位相片的時(shí)代，NAND Flash容量可能只要1GB或2GB即相當(dāng)夠用，但數(shù)位影片的風(fēng)氣盛行后，這樣的低容量產(chǎn)品已無(wú)法滿足消費(fèi)者的需求，因此除了外接快閃記憶卡之外，內(nèi)建NAND Flash記憶體的風(fēng)潮已開始發(fā)酵，從最早內(nèi)建4GB和8GB容量記憶體，現(xiàn)在內(nèi)建記憶體容量已提升至16GB和32GB。 　
  • 關(guān)鍵字： Samung  NAND  智能手機(jī)  
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