新聞中心

EEPW首頁 > 嵌入式系統(tǒng) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法

基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法

作者: 時(shí)間:2009-12-29 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

1. 引言

對于需要大的片上存儲器的各種不同的應(yīng)用, 需要提供可且可串聯(lián)的存儲器陣列。通過不同的配置選擇,嵌入式存儲器陣列可以被合并從而達(dá)到位寬或字深的擴(kuò)展并且可以作為單端口,雙端口存儲器,只讀存儲器,F(xiàn)IFO,大的查找表或移位寄存器,每種應(yīng)用都支持不同的數(shù)據(jù)寬度和高度。
在本文中我們的嵌入式存儲器是一個(gè)可配置的同步16Kb。如圖1所示,每個(gè)存儲器有兩個(gè)獨(dú)立的端口,它們的結(jié)構(gòu)和工作模式完全對稱,并且支持雙端口工作模式。每個(gè)端口都有自己的時(shí)鐘信號,時(shí)鐘使能信號,寫信號。雖然對每個(gè)端口的操作是完全同步且獨(dú)立于另一個(gè)端口的,但是可以通過外面的電路連接擴(kuò)展數(shù)據(jù)位寬或地址寬度。當(dāng)寫允許信號WEN為低,EN為高時(shí),存儲器讀取地址確定的存儲單元的數(shù)據(jù),當(dāng)WEN和EN同時(shí)為高時(shí),輸入總線上的數(shù)據(jù)被寫入存儲單元。在存儲器模塊被用于流水線邏輯中的情況下,根據(jù)數(shù)據(jù)路徑邏輯獲取存儲器數(shù)據(jù)時(shí)不同的需要,每個(gè)存儲器模塊的寫數(shù)據(jù)過程可以配置成三種工作模式。根據(jù)不同的配置,輸出數(shù)據(jù)總線上的數(shù)據(jù)可以隨輸入數(shù)據(jù)同時(shí)更新,或者一個(gè)時(shí)鐘周期后更新,或者保持不變。
每個(gè)存儲器模塊都支持多種配置方式,可以配置成以下各種工作模式:16Kx1, 8Kx2, 4Kx4, 2Kx8, 1Kx16 and 512x32。一個(gè)可的正交開關(guān)矩陣用于連接輸入/輸出與外部數(shù)據(jù)總線。存儲器模塊可以配置成只讀存儲器。只讀存儲器的數(shù)據(jù)在配置過程通過第三個(gè)端口確定,也即下面講到的存儲單元的C端口。在配置過程,該配置端口支持讀寫操作。
一種全新的存儲單元的以及實(shí)現(xiàn)各種配置的電路將會重點(diǎn)介紹。最后將給出Nanosim的仿真結(jié)果。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/152168.htm



圖1. 存儲器模塊 圖2 三端口存儲單元

2. 存儲器模塊的設(shè)計(jì)

2.1 存儲單元的設(shè)計(jì)
當(dāng)存儲器模塊配置為只讀存儲器時(shí),只讀存儲器的內(nèi)容必須要在的配置過程予以定義,在有些情況下還需要對存儲器模塊的內(nèi)容予以初始化,所以存儲單元需要提供一個(gè)端口專門用于存儲器內(nèi)容的定義或初始化。我們的存儲單元采用的是一個(gè)三端口的結(jié)構(gòu),其中兩個(gè)端口用于片上邏輯,第三個(gè)端口用于片外邏輯。片外即第三個(gè)端口用于只讀存儲器或查找表的內(nèi)容定義或靜態(tài)存儲器的內(nèi)容初始化,也可用于存儲器測試中的驗(yàn)證。如圖2所示,存儲單元實(shí)際上是一對交叉耦合的反相器,通過三對NMOS與三個(gè)端的位線(bitline)連接,三個(gè)端的字線分別控制各端的NMOS導(dǎo)通與否。A,B端用于片上邏輯的讀寫操作,而C端作為配置端只在配置過程中應(yīng)用。A,B兩端口的位線為垂直走向,字線為水平走向,而配置端C端恰好相反,其位線為水平走向,字線為垂直走向,原因在于在的配置過程中 ,配置數(shù)據(jù)按列送入FPGA[4][5]。這種存儲器單元結(jié)構(gòu)同時(shí)滿足了實(shí)現(xiàn)存儲器模塊的片外配置功能和片上功能的需要。
2.2 位線結(jié)構(gòu)
A,B兩端口的位線結(jié)構(gòu)用于正常的讀寫操作,下圖3給出了此位線結(jié)構(gòu)。一列存儲單元(256個(gè))共用一對位線,它們在讀/寫過程的開始前被預(yù)充電至vdd,然后被選中的存儲單元驅(qū)動(讀過程)或被輸入緩沖器驅(qū)動(寫過程)。在讀過程中靈敏放大器被其使能信號觸發(fā)以放大位線上的差分信號,然后其單輸出數(shù)據(jù)經(jīng)過緩沖器被驅(qū)動經(jīng)過列選擇器,再經(jīng)過總線選擇開關(guān)矩陣,最后到達(dá)輸出數(shù)據(jù)總線。靈敏放大器用于將小信號的差分輸入(位線電壓)放大為大信號的單端輸出。如圖3.B所示我們采用了一種鎖存型靈敏放大器,它的兩個(gè)輸出經(jīng)過一個(gè)改進(jìn)緩沖器以單端輸出,這種靈敏放大器結(jié)構(gòu)簡單,驅(qū)動能力強(qiáng),建立時(shí)間短,有效地縮短了存儲器的讀取時(shí)間,提高了性能[1],[2]。

2.3 配置電路的設(shè)計(jì)
如前所述,存儲器模塊可以配置成以下存儲器結(jié)構(gòu):16Kx1, 8Kx2, 4Kx4, 2Kx8, 1Kx16 以及512x32,配置電路就是能夠?qū)崿F(xiàn)這些配置的邏輯。組成配置電路的就是上面提到的列選擇器和總線選擇開關(guān)矩陣。通過對列選擇器和總線選擇開關(guān)矩陣的配置,可以實(shí)現(xiàn)以上各種存儲器結(jié)構(gòu),以及讀過程中的三種輸出模式。


上一頁 1 2 下一頁

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉