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東芝跑第一，64 層 3D Flash 開始試產送樣

  • 　　據(jù)海外媒體報道，韓國三星電子為全球第一家量產 3D 架構 NAND 型快閃存儲器(Flash Memory)的廠商，不過其NAND Flash 最大競爭對手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領先全球同業(yè)，研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產品(見首圖)，且開始進行送樣。 　　東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術，并自今日起領先全球同業(yè)開始進行樣品出貨，且預計將透過甫于 7 月完工的四日市工廠“新第 2 廠房”進行生
  • 關鍵字： 東芝  Flash   

全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌

  • 　　許多廠商開始將重心轉移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產品中導入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場消長 　　在全快閃儲存陣列這類型產品誕生初期，唯一的賣點便是高效能，應用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領域。為了擴展應用環(huán)境，后來的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 　　我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個階段： 　　第一階段是效能導向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類產品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣列
  • 關鍵字： Flash  存儲器  

全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌

  • 　　許多廠商開始將重心轉移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產品中導入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場消長 　　在全快閃儲存陣列這類型產品誕生初期，唯一的賣點便是高效能，應用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領域。為了擴展應用環(huán)境，后來的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 　　我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個階段： 　　第一階段是效能導向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類產品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣
  • 關鍵字： Flash  存儲器  

中國半導體存儲器市場前景

  • 本文介紹了存儲器芯片分類，國際存儲芯片廠商的發(fā)展情況，及我國存儲芯片供需情況。
  • 關鍵字： 存儲器  市場  DRAM  Flash  201607  

NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯　價格走揚

  • 　　第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚。 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚，而近一個月漲幅開始增加。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，NAND Flash原廠持續(xù)降低對于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
  • 關鍵字： NAND Flash  

火災后瘋7供應商三星Flash廠部分復工

  • 三星西安工廠受到變電站爆炸停電影響，對供應緊張的NAND Flash雪上加霜，不過事故后回復速度很快，給當?shù)毓╇娋趾腿菓碧幚睃c個贊。
  • 關鍵字： 三星  Flash  

下半年NAND Flash一定缺貨，且會非常缺

  • 　　全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應商慧榮科技總經理茍嘉章昨(21)日表示，固態(tài)硬碟(SSD)價格已到甜蜜點，今年出貨將大爆發(fā)，成為成長最強勁的記憶體產品;法人預估臺廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等，可望掀比價效應。 　　慧榮是以臺灣為研發(fā)重心，立足全球的國際公司，上周五(20日)股價以每股42.19美元創(chuàng)2005年6月在美國那斯達克掛牌以來新高，市值達1.48億美元(約新臺幣48.5億元)，同創(chuàng)歷史新高。 　　茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會后，針對今年NAND Fl
  • 關鍵字： NAND Flash  

發(fā)展Flash晶圓制造的四大投資方向

  • 　　中國大陸業(yè)者在NANDFlash產業(yè)鏈的相關布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。 　　某研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產能，預估2020年中國大陸國內Flash月產能達59萬片，相較于2015年增長近7倍。 　　   　　預估2012~2016年NANDFlash生產端年平均位元增長率達47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%，顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產業(yè)。 　　拓墣
  • 關鍵字： Flash  晶圓  

TrendForce：2020年中國大陸國內Flash月產能上看59萬片

  • 　　中國大陸業(yè)者在NAND Flash產業(yè)鏈的相關布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。TrendForce旗下拓墣產業(yè)研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產能，預估2020年中國大陸國內Flash月產能達59萬片，相較于2015年增長近7倍。 　　TrendForce預估2012~2016年NAND Flash生產端年平均位元增長率達47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%，顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
  • 關鍵字： Flash  NAND   

Flash芯片你都認識嗎？

  • 　　Flash存儲器，簡稱Flash，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還不會因斷電而丟失數(shù)據(jù)，具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點;在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場上，F(xiàn)lash總類可謂繁多，功能各異，而你對它了解有多少呢?　　為了讓大家更深入了解Flash，今天將主要根據(jù)芯片的通信協(xié)議并且結合Flash的特點，給大家一個全新認識。　　一、IIC?EEPROM　　IIC?EEPROM，采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點：簡單的兩條總線線路，一條串行數(shù)據(jù)線(SDA)
  • 關鍵字： Flash  EEPROM  

Flash與SAS硬碟價格2015年恐現(xiàn)死亡交叉

  • 　　資料儲存解決方案大廠NetApp表示，經由云端與Flash兩股推力驅動，讓近年IT基礎架構進入新一波的轉型期，其中2016年經由融合式基礎架構(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系統(tǒng)工具應用性竄升，將讓2016年成為IT的精簡之年。 　　此外值得注意的是，TLC架構的Flash存儲器借由需求性提升及單位成本快速下降，預期今年每GB的FLash價格也將較SAS硬碟更低，并讓All Flash資料中心的將進入主流儲存領
  • 關鍵字： Flash  SAS  

手機標稱16G內存，為何實際卻少于16G

  • 　　摘要：現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質，就是各類移動終端及手機的主要存儲介質。兩者有何區(qū)別，存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關系呢? 　　我們總是在說手機內存，那到底是用什么介質存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質。eMMC是近幾年智能手機興起后，為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結構如下： 　　   　　我們接觸到的16G、32G等手機，為何實際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
  • 關鍵字： NAND FLASH  eMMC  

中國下個購并標的：NAND Flash控制芯片

  • 　　中國政府近來積極透過中資集團陸續(xù)收購或入資海外半導體公司，期建立自有半導體供應鏈?，F(xiàn)階段，邏輯晶片從設計、制造到封裝測試皆已具雛型，反觀記憶體領域則為主要發(fā)展缺口。資策會MIC認為，中資集團下一波購并目標將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者，并設法取得大規(guī)模制造產能，以補強記憶體產業(yè)發(fā)展。 　　資策會MIC產業(yè)顧問兼主任洪春暉表示，中國近期積極透過購并，來改善半導體自制比例過低的情形，現(xiàn)今中國在本土邏輯IC設計、晶圓代工、邏輯IC封測等產業(yè)鏈上，已有一定程度的發(fā)展，上述領域皆具有本土廠商或已與外商
  • 關鍵字： NAND Flash  芯片  

TrendForce：經濟前景未明，2016年全球NAND Flash產值增長有限

  • 　　全球經濟依舊前景不明，各項NAND Flash終端需求廠商態(tài)度相對保守，TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示，由于終端設備平均搭載量與固態(tài)硬盤(SSD)需求增長，2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長44%，然而生產端為了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash廠商將會加速3D-NAND Flash的開發(fā)，整體NAND Flash年度位元產出增長率將大幅增長50%。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，2016年NAND Fl
  • 關鍵字： NAND Flash  TLC  

掌握ECC/壞區(qū)塊管理眉角　NAND Flash嵌入式應用效能增

  • 　　NAND Flash記憶體在出廠時是允許部分晶片含有壞區(qū)塊，或者好的區(qū)塊中含有一些錯誤位元，因此在實際應用時，須搭配使用控制器，透過硬體與軟體進行壞區(qū)塊管理，以及利用錯誤更正編碼(ECC)演算法修正錯誤位元，方能提升嵌入式系統(tǒng)儲存效能。 　　NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術演進快速，平均每1∼2年就前進一個制程世代來降低成本，在售價大幅下降情況下，愈來愈多嵌入式系統(tǒng)，例如：藍光播放器、電視、數(shù)位相機、印表機等應用均采用NAND低成本的優(yōu)勢，取代原本使用的NOR型快閃記
  • 關鍵字： NAND Flash  
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