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FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)電路分析

FPGA的管腳主要包括：用戶I/O（User I/O）、配置管腳、電源、時(shí)鐘及特殊應(yīng)用管腳等。其中有些管腳可有多種用途，所以在設(shè)計(jì)FPGA電路之前，需要認(rèn)真的閱讀相應(yīng)FPGA的芯片手冊(cè)。
關(guān)鍵字： Cyclone Altera Flash FPGA CPLD SDRAM FPGA最小系統(tǒng)

FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)的概念

FPGA最小系統(tǒng)是可以使FPGA正常工作的最簡(jiǎn)單的系統(tǒng)。它的外圍電路盡量最少，只包括FPGA必要的控制電路。一般所說(shuō)的FPGA的最小系統(tǒng)主要包括：FPGA芯片、下載電路、外部時(shí)鐘、復(fù)位電路和電源。如果需要使用NIOS II軟嵌入式處理器還要包括：SDRAM和Flash。一般以上這些組件是FPGA最小系統(tǒng)的組成部分。
關(guān)鍵字： FPGA最小系統(tǒng) Altera NiosII Flash SDRAM

SPI Flash M25P32 的TFFS文件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

TFFS文件系統(tǒng)中的Core Layer內(nèi)核層可將其他層連接起來(lái)協(xié)同工作；翻譯層主要實(shí)現(xiàn)DOS和TFFS之間的交互、管理文件系統(tǒng)和Flash各個(gè)物理塊的關(guān)系，同時(shí)支持TFFS的各種功能，如磨損均衡、錯(cuò)誤恢復(fù)等；MTD層執(zhí)行底層的程序驅(qū)動(dòng)(map、read、write、erase等)；socket層的名稱(chēng)來(lái)源于可以插拔的socket存儲(chǔ)卡，主要提供與具體的硬件板相關(guān)的驅(qū)動(dòng)。
關(guān)鍵字：文件系統(tǒng) Flash SOCKET

Flash硬件接口和程序設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵技術(shù)

閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點(diǎn)廣泛地應(yīng)用于辦公設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、家用電器等領(lǐng)域。介紹了Flash的使用方法，并給出了單片機(jī)與閃速存儲(chǔ)器接口和程序設(shè)計(jì)中應(yīng)注意的關(guān)鍵技術(shù)。
關(guān)鍵字：編程接口 Flash 擦除

大容量NOR Flash與8位單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)

Flash存儲(chǔ)器又稱(chēng)閃速存儲(chǔ)器，是20世紀(jì)80年代末逐漸發(fā)展起來(lái)的一種新型半導(dǎo)體不揮發(fā)存儲(chǔ)器。它兼有RAM和ROM的特點(diǎn)，既可以在線擦除、改寫(xiě)，又能夠在掉電后保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。NOR Flash是Flash存儲(chǔ)器中最早出現(xiàn)的一個(gè)品種，與其他種類(lèi)的Flash存儲(chǔ)器相比具有以下優(yōu)勢(shì)：可靠性高、隨機(jī)讀取速度快，可以單字節(jié)或單字編程，允許CPU直接從芯片中讀取代碼執(zhí)行等。因此NOR Flash存儲(chǔ)器在嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用開(kāi)發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單
關(guān)鍵字： NOR Flash 接口單片機(jī)

F1aSh存儲(chǔ)器在TMS320C3X系統(tǒng)中的應(yīng)用

以基于TMS320C32 DSP開(kāi)發(fā)的故障錄波裝置為模型，介紹AMD公司的Flash存儲(chǔ)器Am29F040摘要的原理和應(yīng)用；利用它的操作過(guò)程實(shí)現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在F1ash存儲(chǔ)器內(nèi)的特性，結(jié)合TMS320C3x提出實(shí)現(xiàn)DSP系統(tǒng)上電后用戶程序的自動(dòng)引導(dǎo)的方法。
關(guān)鍵字： DSP Flash TI

Flash數(shù)據(jù)丟失，說(shuō)好的數(shù)據(jù)去哪了？

芯片貼板后跑不起來(lái)？Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過(guò)程中莫名改變或不翼而飛？程序丟失可能無(wú)法正常運(yùn)行，從而造成整個(gè)系統(tǒng)崩潰，下面我們來(lái)看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化。
關(guān)鍵字：電源電壓 Flash MCU

麥格理分析師：DRAM和Flash價(jià)格會(huì)持續(xù)漲到年底

　　據(jù)外媒報(bào)道，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上周出現(xiàn)降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。　　他認(rèn)為下半年DRAM和NAND價(jià)格仍會(huì)續(xù)漲，有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價(jià)。　　據(jù)巴隆周刊(Barron's)報(bào)導(dǎo)，Daniel Kim發(fā)布報(bào)告說(shuō)：「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)今年下半年會(huì)比預(yù)期更強(qiáng)。」他看好存儲(chǔ)芯片價(jià)格會(huì)持續(xù)漲到今年底。　　整體來(lái)說(shuō)，Daniel Kim認(rèn)為芯片價(jià)格上漲，即暴露看空論點(diǎn)的瑕疵。　　他指出，建構(gòu)數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
關(guān)鍵字： DRAM Flash

盤(pán)點(diǎn)+分析：Flash原廠2016年財(cái)報(bào)

2016年Flash原廠加速向3D NAND切換，除了研發(fā)成本增加，切換過(guò)程中也很容易出現(xiàn)產(chǎn)能損失，同時(shí)還需要更新舊設(shè)備，增加新設(shè)備，以及擴(kuò)大生產(chǎn)空間，從而導(dǎo)致Flash原廠NAND Flash產(chǎn)出減少，以及投資成本增加。
關(guān)鍵字： Flash 三星

大陸韓國(guó)擴(kuò)產(chǎn)競(jìng)賽 Flash后年產(chǎn)能恐過(guò)剩

　　儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)(NANDFlash)軍備競(jìng)賽再起，南韓存儲(chǔ)大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元)，在南韓及大陸兩地增加存儲(chǔ)產(chǎn)能;紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢廠，也預(yù)定本月底正式動(dòng)土，都為2018年供給過(guò)于求再現(xiàn)，埋下隱憂。　　目前各市調(diào)機(jī)構(gòu)均看好明年NANDFlash仍處于供不應(yīng)求局面，但南韓存儲(chǔ)大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲(chǔ)廠，在中國(guó)大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴(kuò)充產(chǎn)能，希望市占率能趕上三星，但也為NANDFlash市場(chǎng)投下新變數(shù)。　　稍早三星和美光也都
關(guān)鍵字： Flash 晶圓

為滿足NAND Flash市場(chǎng)需求 SK海力士建新廠

　　SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個(gè)存儲(chǔ)器晶圓廠，滿足NAND Flash市場(chǎng)增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個(gè)月開(kāi)始設(shè)計(jì)外部的建設(shè)，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達(dá)2.2兆韓元(18.4億美金)。　　SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)，以及引導(dǎo)向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個(gè)半導(dǎo)體工廠需要超過(guò)2年，所以提前做好準(zhǔn)備。　　SK海力士曾在20
關(guān)鍵字： NAND Flash SK海力士

Flash數(shù)據(jù)為何不翼而飛

　　芯片貼板后跑不起來(lái)?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過(guò)程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無(wú)法正常運(yùn)行，從而造成整個(gè)系統(tǒng)崩潰，下面我們來(lái)看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化?！　?nbsp; 　　1、用戶代碼對(duì)Flash的誤操作不當(dāng)引起程序丟失或被錯(cuò)誤改寫(xiě)　　例如，在有對(duì)Flash寫(xiě)入或擦除操作的代碼中，如果用戶誤調(diào)用了寫(xiě)入或擦除函數(shù)或者由于程序跑飛而恰好執(zhí)行了Flash擦除或?qū)懭牒瘮?shù)，這自然會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失或改變。針對(duì)以上情況，可以在程序中設(shè)置多個(gè)允許操作的變量，當(dāng)執(zhí)行寫(xiě)入或擦除操作時(shí)，對(duì)
關(guān)鍵字： Flash 芯片

NAND Flash供不應(yīng)求，第三季品牌商營(yíng)收大幅季成長(zhǎng)19.6%

　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于智能手機(jī)需求強(qiáng)勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開(kāi)始漲價(jià)，使得NAND Flash原廠營(yíng)收季成長(zhǎng)19.6%，營(yíng)業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆谒募靖黜?xiàng)終端設(shè)備出貨進(jìn)入今年最高峰，預(yù)估整體NAND Flash供不應(yīng)求的市況將更為顯著，各項(xiàng)NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)漲幅將更高，廠商的營(yíng)收
關(guān)鍵字： NAND Flash 英特爾

Flash缺貨，存儲(chǔ)器成為三星的搖錢(qián)樹(shù)

　　NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1。(法新社) 　　根據(jù)DIGITIMES的報(bào)導(dǎo)，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計(jì)2017年DRAM供應(yīng)量成長(zhǎng)率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產(chǎn)業(yè)，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，F(xiàn)lash則約9兆韓元，遠(yuǎn)不如原
關(guān)鍵字： Flash 存儲(chǔ)器

中國(guó)存儲(chǔ)三大勢(shì)力成形各自進(jìn)擊

　　早前報(bào)導(dǎo)，中國(guó)存儲(chǔ)三大勢(shì)力成形，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)、晉華集成已積極展開(kāi)建廠、布建產(chǎn)能，就差合肥團(tuán)隊(duì)還未有相關(guān)消息，現(xiàn)在相關(guān)招募信息與環(huán)評(píng)結(jié)果曝光，也透露更多發(fā)展信息。　　中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)成三路進(jìn)擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢(shì)力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國(guó)主導(dǎo)的合肥長(zhǎng)鑫合作下也蠢蠢欲動(dòng)，現(xiàn)在從兆易創(chuàng)新的招募消息與合肥長(zhǎng)鑫的環(huán)評(píng)公告，也可一窺其在合肥的布局。　　合肥將發(fā)展存儲(chǔ)的消息已不是新聞，但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達(dá)前社長(zhǎng)坂本幸雄，目前得到消息已淡出合
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) Flash